機(jī)械拋光連接內(nèi)容

機(jī)械拋光是利用拋光輪與拋光膏等精細(xì)磨料，對(duì)管件外表面進(jìn)行輕微切削和研磨，除去管件表面的細(xì)微不平，以達(dá)到整平表面、提高光潔度的目的。拋光并不切削金屬，只是拋去表面氧化膜。

表面整平拋光操作

(1)把拋光輪的圓周速度調(diào)節(jié)到20m/s～30m/s(形狀簡(jiǎn)單，表面較硬的轉(zhuǎn)速可大些)。

(2)根據(jù)被拋管件的材質(zhì)，選用合適的拋光膏。拋光膏由粘合劑與磨料組成，拋光時(shí)與管件磨擦所產(chǎn)生的熱量，使拋光膏的粘合劑熔化，起到拋光作用。

(3)把管件壓向拋光輪適當(dāng)部位，其用力大小、拋光時(shí)間長(zhǎng)短、手的動(dòng)作，全憑拋光人員的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

表面整平適用范圍

拋光用于鍍前表面預(yù)處理，也用于鍍后精加工，后者拋光耗損占鍍層質(zhì)量的5%～20%。

表面整平拋光輪和拋光膏

(1)拋光輪的種類(lèi)見(jiàn)圖5。

(2)拋光膏的組成及應(yīng)用范圍見(jiàn)圖6。

這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過(guò)程中，最初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。