中文名 | 干化刻蝕機(jī) | 產(chǎn)????地 | 英國(guó) |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 數(shù)學(xué) | 啟用日期 | 2015年04月01日 |
所屬類別 | 分析儀器 > 電子光學(xué)儀器 |
主要工藝參數(shù)指標(biāo):2英寸GaAs,InP, Al2O3刻蝕均一性小于±3%,批次間重復(fù)性好于±3%;GaAs刻蝕速率大于1000nm/min, InP刻蝕速率大于1000nm/min, Al2O3刻蝕速率大于50nm/min。系統(tǒng)配置終點(diǎn)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)670nm激光干涉儀,可用于實(shí)時(shí)測(cè)量刻蝕深度。
300W,13.56MHz射頻源;3kW,13.56MHz ICP源。系統(tǒng)可以刻蝕SiO2、SiNX、Al2O3、Nb、GaAs、InP、GaAlAs及InAs等薄膜材料。直徑下電極,腔室大小滿足4英寸及以下尺寸樣品。工藝腔室真空度優(yōu)于3x10-6 Torr。工藝腔室設(shè)有觀察窗,具有腔壁自動(dòng)加熱功能,腔壁溫度可維持在80℃左右;下電極配置冷水機(jī),控溫精度達(dá)到±0.5℃。系統(tǒng)配置有12路工藝氣體的外置氣體盒,滿足目前工藝應(yīng)用需求。
應(yīng)該是用的吧,能和玻璃的主要成分二氧化硅反應(yīng)。要能腐蝕玻璃的才行,B能與玻璃中的SiO2反應(yīng)。燒堿堿反應(yīng)很慢,而且光滑的表面還不能腐蝕。其他的不能反應(yīng)。希望我的回答對(duì)你有幫助
一般按張來算,一張多少錢加工費(fèi)。
都是熱泵烘干的。
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干法刻蝕工藝總結(jié) 離子束刻蝕機(jī)( IBE-150A) 背景 : 利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子, 氬離子經(jīng)過陽極電場(chǎng)的加速對(duì)樣品表面 進(jìn)行物理轟擊, 以達(dá)到刻蝕的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之類惰性氣體充入離子源放 電室并使其電離形成等離子體, 然后由柵極將離子呈束狀引出并加速, 具有一定 能量的離子束進(jìn)入工作室, 射向固體表面撞擊固體表面原子, 使材料原子發(fā)生濺 射,達(dá)到刻蝕目的,屬純物理過程。 技術(shù)指標(biāo): 裝片:一片六英寸襯底、或 1片四英寸,向下兼容。 抽氣速度: 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 極限真空度: 2×10-4Pa 離子能量: 300eV-400eV ICP 刻蝕機(jī)( OXFORD ICP 180) 背景 : 通入反應(yīng)氣體使用電感耦合等離子體輝光放電將其分解, 產(chǎn)生的具有強(qiáng)化學(xué)活性 的等離子體在電場(chǎng)的加速作用下移動(dòng)到樣品表面, 對(duì)樣品表面既進(jìn)行化學(xué)
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第二章干法刻蝕的介紹 2. 1刻蝕、干法刻蝕和濕法腐蝕 2. 1 .1關(guān)于刻蝕 刻蝕,是指用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。 刻蝕的基 本目的,是在涂膠 (或有掩膜 )的硅片上正確的復(fù)制出掩膜圖形 [1]。 刻蝕,通常是在光刻工藝之后進(jìn)行。 我們通常通過刻蝕, 在光刻工藝之后,將想要的圖 形留在硅片上。從這一角度而言,刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉(zhuǎn)移工藝步驟。 在通常的刻蝕過程中,有圖形的光刻膠層〔或掩膜層 )將不受到腐蝕源顯著的侵蝕或刻蝕, 可作為掩蔽膜, 保護(hù)硅片上的部分特殊區(qū)域, 而未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域, 則被選擇性的刻蝕 掉。 2.1.2 干法刻蝕與濕法刻蝕 在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕。 干法刻蝕, 是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體, 通過經(jīng)光刻而開出的掩蔽層窗口, 與暴露于 等離子體中的硅片行物理和化學(xué)反應(yīng),刻蝕掉硅片上暴露的
等離子刻蝕機(jī)濕法刻蝕相對(duì)于等離子刻蝕的缺點(diǎn)
1. 硅片水平運(yùn)行,機(jī)片高(等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干,硅片受沖擊小);
2. 下料吸筆易污染硅片(等離子刻蝕去PSG后甩干);
3. 傳動(dòng)滾抽易變形(PVDF,PP材質(zhì)且水平放置易變形);
4. 成本高(化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加)。
此外,有些等離子刻蝕機(jī),如SCE等離子刻蝕機(jī)還具備"綠色"優(yōu)勢(shì):無氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。SCE等離子刻蝕機(jī)支持以下四種平面等離子體處理模式:
直接模式--基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上,以獲得最大的平面刻蝕效果。
定向模式--需要非等向性刻蝕(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不帶電托架上,以便取得微小的等離子體效果。
定制模式--當(dāng)平面刻蝕配置不過理想時(shí),特制的電極配置可以提供。
TCP刻蝕機(jī)的刻蝕分辨率:100nm;基片尺寸:2英寸、4英寸。
傳統(tǒng)污泥干化池存在的問題主要表現(xiàn)在:
1、干化池濾料過厚時(shí)易造成阻塞,漂浮物(油)浮在最上層,水在中間,污泥在最下層,由于漂浮物(油)隔斷了水與空氣的接觸面而無法自然蒸發(fā)和過濾,當(dāng)濾料層過薄時(shí),又起不到過濾的目的,從而使污泥干化效果不理想。
2、當(dāng)干化醫(yī)療污水產(chǎn)生的有機(jī)污泥時(shí),需要3個(gè)月左右的時(shí)間,而且每次清理污泥時(shí)都會(huì)帶走大量的濾料,并受氣候變化的影響較大。而對(duì)含浮油污水產(chǎn)生的無機(jī)污泥,則需要半年左右的時(shí)間,還會(huì)造成油污帶來的火險(xiǎn)隱患。
3、傳統(tǒng)污泥干化池清理污泥費(fèi)時(shí)、費(fèi)力,而且,對(duì)含浮油的污泥因沒有將油污分離開,還會(huì)造成固體廢棄物對(duì)環(huán)境產(chǎn)生新的污染。
新型污泥干化池與一般干化池的區(qū)別在于:新型污泥干化池采用直立穿孔PVC管外包尼龍網(wǎng),有效防止了污泥堵塞濾料間隙,延長(zhǎng)了濾料更換時(shí)間,降低了使用成本,提高了污泥處理效果,且運(yùn)行管理方便。