CMOS工藝的低電壓低噪聲放大器研究,外文名是Research on low voltage low noise amplifier with CMOS technology,作者是劉寶宏。
副題名
外文題名
Research on low voltage low noise amplifier with CMOS technology
論文作者
劉寶宏著
導(dǎo)師
毛軍發(fā)指導(dǎo)
學(xué)科專業(yè)
學(xué)位級別
工學(xué)博士
學(xué)位授予單位
上海交通大學(xué)
學(xué)位授予時間
2011
關(guān)鍵詞
館藏號
館藏目錄
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2100433B
低噪聲放大器, 噪聲系數(shù)很低的放大器。一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器,以及高靈敏度電子探測設(shè)備的放大電路。在放大微弱信號的場合,放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴(yán)重,因此希望減小這種...
低噪聲放大器的原理:1. 隔離器:主要用于高頻信號的單向輸入,對于反向的高頻信號進行隔離,同時對各端口的駐波進行匹配。2. 低噪聲管:ATF54143,利用管子的低噪聲特性,減少模塊的內(nèi)部噪聲,降低低...
低噪聲放大器和高功放的區(qū)別:兩者的使用位置不一樣:低噪聲放大器一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器;高功放則用于發(fā)射機的末級。低噪聲放大器: 噪聲系數(shù)很低的放大器。一般用作各類無線電接收機的...
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本文介紹了低噪聲放大器(LNA)設(shè)計原則、方法,重點分析了LNA的穩(wěn)定性、非線性。
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介紹了一種寬帶CMOS低噪聲放大器設(shè)計方法,采用噪聲抵消技術(shù)消除輸入MOS管的噪聲貢獻.芯片采用TSMC 0.25μm1P5M RF CMOS工藝實現(xiàn).測試結(jié)果表明:在50~860MHz工作頻率內(nèi),電壓增益約為13.4dB;噪聲系數(shù)在2.4~3.5dB之間;增益1dB壓縮點為-6.7dBm;輸入?yún)⒖既A交調(diào)點為3.3dBm.在2.5V直流電壓下測得的功耗約為30mW.
CMOS板機主要是優(yōu)勢的價格比較便宜,圖像傳播速度快,由于近期的大力改善,現(xiàn)在CMOS的圖像清晰度已經(jīng)發(fā)生了翻天覆地的變化,已經(jīng)超越了CCD傳感器的清晰度,發(fā)展到盡頭逐漸以清晰度高,價格便宜而得到市場一致認(rèn)可。
另一方面CMOS板機因外圍元器件少,電路簡單,穩(wěn)定性也有很大優(yōu)勢,方便了很多工廠獨立自產(chǎn)CMOS板機。
2008年-2010年:最早的CMOS板機誕生于2008年前后,主要以簡單的1030芯片為主,效果差,價格便宜,主要是出口到貧窮國家為主。
2011年-2012年:PC1089的誕生使CMOS板機的市場格局發(fā)生改變,PC1089清晰度可以達到600線,這個清晰度能滿足大多數(shù)場所使用,并且價格很便宜,推出不久就得到市場追捧??梢赃@樣做PC1089是CMOS板機的一個轉(zhuǎn)折點。
2013年:是CMOS板機爆發(fā)的一年,隨著深圳真功夫安防 CMOS芯片的誕生,清晰度從600線一下提升到800線,安防市場一遍歡騰。鎂光139CMOS板機因需求巨大經(jīng)常斷貨,CCD芯片銷售一落千丈,不得不說CMOS已經(jīng)控制安防市場模擬監(jiān)控產(chǎn)品。
2014年:CMOS板機出現(xiàn)多款新的方案如:比亞迪3005,占領(lǐng)模擬監(jiān)控低端市場,索尼IMX138占領(lǐng)模擬監(jiān)控高端市場,使得網(wǎng)絡(luò)數(shù)字高清,SDI,CVI模組優(yōu)勢不在。最近推出的HD1080 CMOS板機,性價比將超越常規(guī)模擬CMOS板機,因為這是一款不需要安裝IR-CUT的高清CMOS板機。
展望未來
全世界都已經(jīng)嗅到CMOS芯片這塊肥肉的香味,CMOS板機市場在未來的3-5年會越來越大,近期不斷有新方案推出,比如PC3089,1099,鎂光0130,8240,比亞迪3005等新方案,600線,700線,800線,900線,1000線,1200線CMOS芯片會不斷出現(xiàn),CMOS板機市場會越來越好。
為了使微型真空傳感器能夠覆蓋粗真空和高真空的測量,本項目提出利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝在同一個硅片上加工皮拉尼真空傳感器和熱電離真空傳感器。在理論方面,發(fā)展了氣體導(dǎo)熱的微尺度效應(yīng),利用分子動力學(xué)方法計算了氣體熱導(dǎo)率與導(dǎo)熱尺度的關(guān)系,氣體熱導(dǎo)率隨導(dǎo)熱尺寸減小而減小。這與其他理論和實驗結(jié)果是一致的,能夠應(yīng)用到皮拉尼傳感器的設(shè)計之中。利用COMSOL多物理場耦合軟件仿真了皮拉尼傳感器和熱電離傳感器的電熱耦合過程以及電子運行軌跡,指導(dǎo)器件的設(shè)計。經(jīng)過多次0.5微米標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的流片,已成功將皮拉尼真空傳感器與熱電離真空傳感器在同一個芯片上完成,突破了工藝上的限制。皮拉尼真空傳感器采用較成熟的微熱板結(jié)構(gòu),熱電離真空傳感器的結(jié)構(gòu)從鎢加熱絲發(fā)展到鎢的彈簧結(jié)構(gòu),逐步提高了結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性及成品率。除了以鎢加熱電阻作為熱電離真空傳感器的發(fā)射極,也探索了利用CMOS工藝加工場發(fā)射電離真空傳感器的可能性。采用以運算放大器為核心的恒電流電路分別為皮拉尼真空傳感器和熱電離真空傳感器提供電流。初步測試結(jié)果顯示,皮拉尼真空傳感器能夠滿足10E-1~10E5 Pa的測量,熱電離真空傳感器響應(yīng)區(qū)間為0.05~0.5 Pa,進一步的測試正在進行中。 2100433B