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更新時(shí)間：2025.05.17
跨導(dǎo)運(yùn)算放大器及其Spice電路模型的構(gòu)建

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山東科技大學(xué)工程碩士學(xué)位論文 跨導(dǎo)運(yùn)算放大器及其 Spice電路模型的構(gòu)建 2.1 CMOS 模擬集成電路基本單元 2.1.1 MOS 場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu) 絕緣柵場效應(yīng)管又叫作 MOS 場效應(yīng)管，意為金屬 -氧化物 -半導(dǎo)體場效應(yīng)管。圖 2.1 為 MOS 場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)。圖中的 N型硅襯底是雜質(zhì)濃度低的 N型硅薄片。 在它上面再制作兩個(gè)相距很近的 P區(qū)，分別引為漏極和源極， 而由金屬鋁構(gòu)成的柵極則 是通過二氧化硅絕緣層與 N型襯底及 P型區(qū)隔離。這也是絕緣柵 MOS 場效應(yīng)管名稱的 由來。因?yàn)闁艠O與其它電極隔離， 所以柵極是利用感應(yīng)電荷的多少來改變導(dǎo)電溝道去控 制漏源電流的。 MOS場效應(yīng)管的導(dǎo)電溝道由半導(dǎo)體表面場效應(yīng)形成。 柵極加有負(fù)電壓， 而 N 型襯底加有正電壓。由于鋁柵極和 N型襯底間電場的作用，使絕緣層下面的 N 型 襯底表面的電子被排斥，而帶正電的空穴被吸引到表面上

仿真機(jī)規(guī)程

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規(guī)程控制表 版 本 編號(hào) 簽發(fā)日期 編寫人 下次復(fù)核日 期 初 審 人 復(fù) 審 人 批 準(zhǔn) 人 有 否 修訂 第 一 版 2007.11. 20 任宏耀 安玉清 薛斐 2010.11.20 吉日 趙 建 民 肖 軍 政 無 第 二 版 2010.11. 20 安玉清 2013.11.20 孫 廣 東 王 長 軍 錢 文 新 有 1、 增加了三號(hào)機(jī)組仿真機(jī)操作規(guī)程 2、 增加了 RB功能說明 3、 增加了三個(gè)故障處理 4、 增加了仿真機(jī)啟動(dòng)、工程師站說明。 領(lǐng)用時(shí)間 領(lǐng)用人 目 錄 1. 仿真機(jī)說明 ?????????????????????????????? 1 2 機(jī)組啟動(dòng)操作????????????????????????? ??? 9 4 機(jī)組運(yùn)行調(diào)整操作及各種試驗(yàn)??????????????????????? 30 5 機(jī)組停運(yùn)操作????????????????????

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