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單壁碳納米管具有優(yōu)異的電子學(xué)特性,是制備新一代高性能集成電路的重要材料.碳納米管芯片之路存在諸多挑戰(zhàn),包括直徑和手性的控制生長(zhǎng)方法、金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的分離方法、器件加工與集成方法等.這些課題從本質(zhì)上講大多屬于化學(xué)問(wèn)題,因此碳納米管芯片研究為化學(xué)家們提供了新的機(jī)遇與挑戰(zhàn).過(guò)去10年來(lái),我們圍繞單壁碳納米管的軸向能帶工程這一研究思路,開(kāi)展了一系列碳納米管芯片的基礎(chǔ)探索工作,發(fā)展了若干有效的單壁碳納米管局域能帶的調(diào)控方法,包括溫度階躍生長(zhǎng)法、脈沖供料生長(zhǎng)法、基底調(diào)控法以及形變調(diào)控法等.本文系統(tǒng)地闡述了這些局域能帶調(diào)控方法,為使讀者對(duì)該領(lǐng)域的研究進(jìn)展有一個(gè)較為全面的了解,文中對(duì)其他課題組開(kāi)展的代表性工作也給予了綜述性介紹.
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