中波-長波雙色量子阱紅外探測器
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4.3
采用n型摻雜的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生長技術,利用成熟的GaAs集成電路加工工藝,設計并制作了不同結構的中波-長波雙色量子阱紅外探測器(QWIP)器件,器件采用正面入射二維光柵耦合,光柵周期設計為4μm,寬度2μm;對制作的500μm×500μm大面積雙色QWIP單元器件暗電流、響應光譜、探測率進行了測試和分析。在-3V偏壓、77K溫度和300K背景溫度下長波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗電流密度分別為0.6、0.02mA/cm2;-3V偏壓、80K溫度下MWIR和LWIR QWIP的響應光譜峰值波長分別為5.2、7.8μm;在2V偏壓、65K溫度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探測率分別為1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。
多色量子阱紅外探測器的發(fā)展(下)
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軍用紅外探測器需要使用工作在各種紅外波段的大規(guī)格、高均勻性多色焦平面陣列器件。滿足這些要求的一個候選者就是量子阱紅外(光電)探測器(quantumwellinfraredphotodetector,qwip)。作為新一代紅外探測器,qwip基于極薄半導體異質結構中的載流子束縛效應。gaas/algaas/qwip的主要優(yōu)點包括標準的ⅲ-ⅴ族襯底材料和技術、良好的熱穩(wěn)定性、大面積、低研發(fā)成本以及抗輻射性。qwip的另一個重要優(yōu)點是具有帶隙工程能力。可以通過調節(jié)量子阱寬度和勢壘組分設計出滿足特殊要求(例如多色焦平面列陣應用)的器件結構。介紹了對qwip探測物理機制的理解以及近年來多色qwip技術的發(fā)展狀況。
紅外光電子學中的新族——量子阱紅外探測器
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回顧了近10年基于半導體中量子限制效應紅外探測器的進展.主要關注的是二維限制結構,即量子阱結構,形成的區(qū)別與傳統(tǒng)紅外光子探測的子帶躍遷機理.在紅外光電子領域作為新族的量子阱紅外探測器(quantumwellinfraredphoto-detector,qwip)與最典型的紅外探測器代表碲鎘汞紅外探測器進行了各自特色的分析,包括基本工作機理和材料與器件的制備技術等方面.對于qwip發(fā)展的回顧提升了與碲鎘汞紅外探測器之間的互補關系.也給出了對于qwip在未來發(fā)展方面的基本趨勢.
量子級聯紅外探測器
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4.8
半導體基中遠紅外探測器在成像、傳感、國家安全以及國防領域具有廣泛的應用背景。目前,在這個領域最主流的技術之一是量子阱紅外探測器(qwips)。傳統(tǒng)的量子阱紅外探測器往往存在較大的暗電流和較低的工作溫度等限制。量子級聯探測器(qcds)是一種新型的光伏型量子阱紅外探測器。其工作原理基于電子吸收光子后在量子阱的子帶間躍遷并且激發(fā)態(tài)電子通過人工設計的勢能階梯形成無需外加偏置電壓的定向輸運。這種基于新原理的紅外探測器一經出現便引起人們高度的關注并經歷了快速的發(fā)展。文中介紹了中國科學院半導體所在量子級聯探測器研究方面的最新成果。
一種新型紅外探測器的介紹——量子點紅外探測器
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4.7
本文簡單介紹了半導體量子點材料的基本性質及相應的紅外探測器的工作原理,并舉例討論了幾種典型的量子點紅外探測器的結構。最后,對量子點紅外探測器的主要優(yōu)點進行了總結。
HPT型Ge量子點紅外探測器
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4.5
異質結光敏晶體管(hpt)是一種具有內部電流增益的光電探測器,且與異質結雙極晶體管(hbt)的制作工藝完全兼容。利用超高真空化學氣相淀積(uhv/cvd)方法在hbt晶體管的基區(qū)和集電區(qū)間加入多層ge量子點材料作為光吸收區(qū)。tem和dcxrd測試結果表明,生長的多層ge量子點材料具有良好的晶體質量。為了提高hpt的發(fā)射極注入效率,采用高摻雜多晶硅作為發(fā)射極,并制作出兩端hpt型ge量子點探測器。室溫條件下的測試結果表明,hpt型量子點探測器具有低的暗電流密度和高的反向擊穿電壓。-8v偏壓下,hpt型量子點探測器在1.31μm和1.55μm處的響應度分別為4.47ma/w和0.11ma/w。與縱向pin結構量子點探測器相比,hpt型量子點探測器在1.31μm和1.55μm處的響應度分別提高了104倍和78倍。
新型量子點紅外探測器
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4.7
美國倫斯勒理工學院的研究人員開發(fā)出了一種基于納米技術的新型量子點紅外探測器(qdip)。這種以金為主要材料的新型元件可大幅提高現有紅外設備的成像素質,將為下一代高清衛(wèi)星相機和夜視設備的研發(fā)提供可能。
紅外探測器安裝圖
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4.4
紅外探測器安裝圖: 門磁安裝圖: 使用方法: ●首先把紅外探測器安裝在高約1.5~2.5米的地方,打開電源開關。安裝時, 應調整探測器的傾斜角度,以使其探測距離最遠。 ●按遙控器布防鍵,主機發(fā)出“嘀”聲,約延時20秒后探測器進入布防狀態(tài), 有人進入監(jiān)控區(qū),主機即刻報警(人體橫切探測器走動時,靈敏度較高)。每 次觸發(fā)報警時間約為60秒,再次進入監(jiān)控區(qū),再次報警。 ●遇到緊急情況,按遙控器求救鍵,這時,探測器無論是處于布防或撤防狀態(tài), 即刻緊急報警求救。 ●探測器處于報警狀態(tài)或緊急報警狀態(tài)時,按遙控器上的撤防鍵,則立即停止 報警,并且有人在監(jiān)控區(qū)活動也不報警。 安裝指南: 1。探頭應避免直對門窗口,以免誤報; 2。應調整探測器的傾斜角度,以使其探測距離最遠; 3。探頭的菲妮爾透鏡應保持干凈,不能有遮擋物體; 4。探頭應遠離冷熱源,例如空調出風口、暖氣、冷氣機等 5
法國的碲鎘汞紅外探測器
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4.4
0引言在法國,碲鎘汞的研究與發(fā)展已經有25年多的歷史了,這項工作是該國sofradir工業(yè)集團公司和cea-leti公共實驗室之間通過大力協作進行的。為了縮短該技術推向市場的時間,sofradir工業(yè)集團公司和cea-leti在grenoble地區(qū)成立了一個聯合實驗室(defir)。目前在該地區(qū)大約有600人在從事紅外探測器的研制工作。碲鎘汞紅外探測器技術獲得良好評價已經
平面型24元InGaAs短波紅外探測器
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4.4
設計了帶有保護環(huán)結構的平面型24×1ingaas線列短波紅外探測器,利用n-i-n+型inp/in0.53ga0.47as/inp外延材料閉管擴散制備了平面型探測器。lbic測試顯示光敏元沒有明顯擴大,保護環(huán)起到了有效的隔離效果;i-v測試表明器件的優(yōu)值因子r0a約4.2×106.cm2,在-0.1v反向偏壓下的暗電流密度約22na/cm2,擬合得到的理想因子接近1,說明正向電流成分主要為擴散電流;在室溫20℃,器件的響應光譜在0.9~1.68μm波段范圍,其平均峰值電流響應率為1.24a/w,平均峰值探測率為3.0×1012cm.hz1/2/w,量子效率接近95%,響應的不均勻性為2.63%。
紅外探測器成像實驗研究
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4.4
紅外探測器廣泛應用于多光譜成像系統(tǒng)中,文章提出并建立了一種紅外線陣時間延遲積分探測器的成像實驗系統(tǒng),闡述了成像系統(tǒng)的工作原理,對影響成像質量的兩個主要因素電子穩(wěn)像與自動對焦進行了深入分析。利用高精度直流測速機確定了轉臺轉速與探測器的行轉移頻率,采用卡爾曼濾波算法濾除了測速機帶來的噪聲,提高了速度匹配精度。在分析比較紅外相機四種檢焦方法的基礎上采用視頻信號幅度法進行檢調焦。在國家光學機械產品質量監(jiān)督檢驗測試中心實地搭建了成像實驗系統(tǒng),并分別對5.3,6.4和9.2mm寬度靶標成像。實驗結果表明,采集到的原始靶標紋理清晰,照相分辨率達到了每毫米11.3對線,達到了實驗預期目的。
128×128短波/中波雙色紅外焦平面探測器
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4.6
首次在國內報道了128×128面陣短波/中波(sw/mw)雙色碲鎘汞(hgcdte)紅外焦平面探測器(infraredfocalplanearrays,irfpas)的研究成果.基于由采用分子束外延(mbe)和原位摻雜技術生長的p-p-p-n型碲鎘汞(hg1-xcdxte)多層異質結材料,通過b+注入、臺面腐蝕、臺面?zhèn)认蜮g化和爬坡金屬化,以及雙色探測芯片與讀出電路(readoutintegratedcircuit,roic)混成互連等工藝,得到了128×128面陣雙色焦平面探測器.通過濕化學腐蝕方法的優(yōu)化,將光敏元尺寸為(50×50)μm2的雙色微臺面探測器的占空比提高了一倍.該面陣雙色紅外焦平面探測器具有較好的均勻性和正常的光電特性.在液氮溫度下,二個波段的光電二極管截止波長λc分別為2.7μm和4.9μm,對應的峰值探測率dλ*p分別為1.42×1011cmhz1/2/w和2.15×1011cmhz1/2/w.
紅外探測器分類及應用
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4.6
紅外探測器分類及應用 紅外探測器是能對外界紅外光輻射產生響應的光電傳感器,是目前傳感器 領域發(fā)展的重點之一。利用它制成的探測器是軍事、氣象、農業(yè)、工業(yè)、醫(yī)學 等方面需要的設備,它涉及物理、材料等基礎科學和光學、機械、微電子和計 算機等多學科領域的綜合科學技術。 按照工作機理分類: 熱探測器和光子探測器的分類和特點 ·光子探測器:光子探測器的工作機理是利用入射光輻射的光子流與探測器材料 中的電子互相作用,從而改變電子的能量狀態(tài),引起各種電學現象,這種現象 稱為光子效應。光子探測器有內光電和外光電探測器兩種,后者又分為光電 導,光生伏特,光電發(fā)射型,光磁電型等四種。 ·熱探測器:紅外熱探測器的工作原理是利用輻射熱效應。探測器件接收輻射能 量后引起溫度升高,再由接觸型測溫元件測量溫度改變量,從而輸出點型號。 熱探測器主要有四類:熱電堆,熱釋電型,和氣體型。 光子探測器和熱探測器的分類和
主動被動紅外探測器
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4.7
主動/被動紅外探測器 系統(tǒng)的基本組成紅外線報警器是利用紅外線的輻射和接收技校構成的報警 裝置。根據工作原理,又可分為主動式和被動式兩種類型。 (1)主動式紅外探測器 主動式紅外探測器是由收、發(fā)裝置兩部分組成。發(fā)射裝置向裝在幾米甚至于 幾百米遠的接收裝置輻射一束紅外線,當被遮斷時,接收裝置即發(fā)出報警信號, 因此,它也是阻擋式報警器,或稱對射式探測器。通常,發(fā)射裝置由多諧振蕩器、 波形變換電路、紅外發(fā)光管及光學透鏡等組成。振蕩器產生脈沖信號,經波形變 換及放大后控制紅外發(fā)光管產生紅外脈沖光線,通過聚焦透鏡將紅外光變?yōu)檩^細 的紅外光束,射向接收端。 接收裝置由光學透鏡、紅外光電管、放大整形電路、功率驅動器及執(zhí)行機構 等組成。光電管將接收到的紅外光信號轉變?yōu)殡娦盘?,經整形放大后推動?zhí)行機 構啟動報警設備。主動式紅外報警器有較遠的傳輸距離,因紅外線屬于非可見光 源,入侵
量子阱紅外探測器光敏元參數測試
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4.5
針對量子阱紅外探測器(qwip)光敏元靈敏度低,參數測試條件苛刻的局限,在充分研究其工作原理的前提下,構建了其工作環(huán)境,設計了多個參數的測試方案.在液氮制冷條件下測試了8~9mgaas/algaas量子阱紅外探測器的電阻溫度特性、電流溫度特性,利用電流前放和鎖相放大依次對qwip的輸出電流信號進行選頻放大,測試其光電流,得到了qwip光敏元電阻與溫度的對應關系,驗證了器件的負電阻溫度特性,進而可以快速判斷探測器光敏元的有效性.測試采用labview8.0進行數據處理、分析及顯示.通過對實驗數據的分析,qwip的阻抗隨溫度的降低呈指數上升,暗電流隨著工作溫度的降低而減小,光電流隨著溫度的降低而增大,表明探測器的性能隨工作溫度的降低而逐步增強.
長波InAs/GaSbⅡ類超晶格紅外探測器
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4.7
報道了50%截止波長為12.5μm的inas/gasbⅱ類超晶格長波紅外探測器材料及單元器件.實驗采用分子束外延技術在gasb襯底上生長超晶格材料.吸收區(qū)結構為15ml(inas)/7ml(gasb),器件采用pbin的多層異質結構以抑制長波器件暗電流.在77k溫度下測試了單元器件的電流-電壓(ⅰ-ⅴ)特性,響應光譜和黑體響應.在該溫度下,光敏元大小為100μm×100μm的單元探測器rmaxa為2.5ωcm2,器件的電流響應率為1.29a/w,黑體響應率為2.1×109cmhz1/2/w,11μm處量子效率為14.3%.采用四種暗電流機制對器件反向偏壓下的暗電流密度曲線進行了擬合分析,結果表明起主導作用的暗電流機制為產生復合電流.
量子點紅外探測器的性能優(yōu)化
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4.3
量子點紅外探測器是近年來出現的一種新型低維納米結構探測器,因其優(yōu)越的特性引起了人們的廣泛關注。本文給出了一種估算量子點紅外探測器光電流的方法,并以此為基礎,進一步研究了探測器結構對光電流性能的影響。結果顯示,當結構參數層內量子點密度和量子點橫向尺寸的取值都比較小時,探測器能獲得一個高的光電流。
量子點紅外探測器的噪聲表征
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頁數:未知
4.4
為了表征噪聲對量子點紅外探測器性能的影響,本文推導了噪聲的理論模型.該模型通過考慮納米尺度電子傳輸和微米尺度電子傳輸對激發(fā)能的共同影響,并結合噪聲增益,實現了對噪聲的估算.得到的結果與實驗的數據相比,顯示了很好的一致性,從而驗證了這個模型的正確性.
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職位:網架輕鋼施工員
擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林