太陽能級多晶硅價格上揚非晶硅電池成熱點

多晶硅太陽能電池制作工藝概述 [雁舞白沙發(fā)表于2005-10-1618:11:00] 孫鐵囤陳東崔容強袁嘵 上海交通大學應用物理系太陽能所上?？臻g電源研究所 摘要大規(guī)模開發(fā)和利用光伏太陽能發(fā)電,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和降低生 產(chǎn)成本是其核心所在，由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產(chǎn) 工藝的改進、ic技術(shù)的滲入和新電池結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，電池的轉(zhuǎn)換效率得到較大的 提高，大規(guī)模生產(chǎn)上，多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率已接近單晶硅電池，在非晶硅電池 穩(wěn)定性問題未取得較大進展時，多晶硅電池受到人們的關注，其世界產(chǎn)量已接近 單晶硅，本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發(fā)展分別從實驗室工藝和規(guī)?；a(chǎn) 兩個方面作了比較系統(tǒng)的描述。 1緒論 眾所周知，利用太陽能有許多優(yōu)點，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前 來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費

在簡述太陽能電池原理和發(fā)展的基礎上,分析了太陽能電池用多晶硅的生產(chǎn)方法.認為:改良的熔鹽電解法和熔鹽三層電解精煉法有可能直接制取太陽能級多晶硅,此法一旦研究成功,將大幅度地降低太陽能級多晶硅生產(chǎn)成本,應引起人們的關注.

《太陽能級多晶硅》國家標準 ics29.045 h82 中華人民共和國國家標準 gb/t××××—×××× 太陽能級多晶硅 solar-gradepolycrystallinesilicon （送審稿） ××××-××-××發(fā)布××××-××-××實施 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布 中國國家標準化管理委員會 gb/t××××—×××× 2 前言 本標準是為適應我國光伏產(chǎn)業(yè)日益發(fā)展的需 要，在修改采用semi16-1296《硅多晶規(guī)范》標 準的基礎上，結(jié)合我國多晶硅生產(chǎn)、試驗、使用 的實際情況而制定的。本標準的制定能滿足市場 及用戶對太陽能級多晶硅的質(zhì)量要求。 本標準考慮了目前市場上的大部分用于太陽 能光伏產(chǎn)業(yè)的多晶硅料，包括：棒狀料、塊狀料、 顆粒料、粉狀料等

太陽能電池光電轉(zhuǎn)換原理主要是利用太陽光射入太陽能電池后產(chǎn)生電子電洞對，利用 p-n接面的電場將電子電洞對分離,利用上下電極將這些電子電洞引出，從而產(chǎn)生電流。整個 生產(chǎn)流程以多晶硅切片為原料，制成多晶硅太陽能電池芯片。處理工藝主要有多晶硅切片清 洗、磷擴散、氧化層去除、抗反射膜沉積、電極網(wǎng)印、燒結(jié)、鐳射切割、測試分類包裝等。 生產(chǎn)工藝主要分為以下過程： ⑴表面處理（多晶硅片清洗、制絨） 與單晶硅絨面制備采用堿液和異丙醇腐蝕工藝不同，多晶硅絨面制備采用氫氟酸和硝 酸配成的腐蝕液對多晶硅體表面進行腐蝕。一定濃度的強酸液對硅表面進行晶體的各相異性 腐蝕，使得硅表面成為無數(shù)個小“金字塔”組成的凹凸表面，也就是所謂的“絨面”，以增 加了光的反射吸收，提高電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。從電鏡的檢測結(jié)果看，小“金字塔” 的底邊平均約為10um。主要反應式為： 32234hno4no

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多晶硅太陽能電池研究進展

利用最先進的光譜分析技術(shù),并結(jié)合現(xiàn)有的高效太陽能電池,美國德拉瓦大學研制成功新型多晶硅太陽能電池,其光電轉(zhuǎn)化效率是目前最先進光伏太陽能電池的兩倍,美國政府正積極推進這項新技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。

實用標準文案 精彩文檔 多晶硅太陽能電池組件參數(shù)多晶硅電池片的規(guī)格：156mm。 型號 尺寸 mm×mm 開路電壓 voc 短路電流 isc 工作電壓 vmpp 工作電流 impp 峰值功率 pmax 重量 kg tep667201 1956×992× 50 44.578.1237.087.5628027kg tep667201 1956×992× 50 43.707.8836.367.1626027kg tep667201 1956×992× 50 43.497.7636.076.9425027kg tep667201 1956×992× 50 42.987.6435.576.7624027kg 實用標準文案 精彩文檔 tep667201 1956×992× 50 41.9

多晶硅太陽能電池制作工藝概述 多晶硅太陽能制作工藝概述 摘要大規(guī)模開發(fā)和利用光伏太陽能發(fā)電,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和降低生產(chǎn)成本是其核心 所 在，由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產(chǎn)工藝的改進、ic技術(shù)的滲入和新電 池 結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，電池的轉(zhuǎn)換效率得到較大的提高，大規(guī)模生產(chǎn)上，多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率已接近單 晶 硅電池，在非晶硅電池穩(wěn)定性問題未取得較大進展時，多晶硅電池受到人們的關注，其世界產(chǎn)量 已 接近單晶硅，本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發(fā)展分別從實驗室工藝和規(guī)模化生產(chǎn)兩個方面作 了 比較系統(tǒng)的描述。 1緒論 眾所周知，利用太陽能有許多優(yōu)點，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前來講，要使太陽 能 發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本應該 是 我們追求的最大目標，從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、

大規(guī)模開發(fā)和利用光伏太陽能發(fā)電,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和降低生產(chǎn)成本是其核心所在,由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產(chǎn)工藝的改進、ic技術(shù)的滲入和新電池結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),電池的轉(zhuǎn)換效率得到較大的提高,大規(guī)模生產(chǎn)上,多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率已接近單晶硅電池,在非晶硅電池穩(wěn)定性問題未取得較大進展時,多晶硅電池受到人們的關注,其世界產(chǎn)量已接近單晶硅,本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發(fā)展分別從實驗室工藝和規(guī)?；a(chǎn)兩個方面作了比較系統(tǒng)的描述。

太陽能光伏發(fā)電之單晶硅、多晶硅、非晶硅電池的區(qū)別 光伏發(fā)電主要是靠電池來吸引太陽能轉(zhuǎn)化為電能，在安裝光伏電站前，還需要對電池有個明 確的了解，這樣才能更好地選擇光伏產(chǎn)品。目前市面上的太陽能電池主要有單晶硅、多晶硅 與非晶硅電池，今天就來告訴大家三種電池各有什么特征和優(yōu)缺點！ 1、外觀上的區(qū)別 從外觀上面看的話，單晶硅電池的四個角呈現(xiàn)圓弧狀，表面沒有花紋；而多晶硅電池的四個 角呈現(xiàn)方角，表面有類似冰花一樣的花紋；而非晶硅電池也就是我們平時說的薄膜組件，它 不像晶硅電池可以看出來柵線，表面就如同鏡子一般清晰、光滑。 ▲單晶硅電池 ▲多晶硅電池 ▲薄膜組件 2、使用上面的區(qū)別 對于使用者來說，單晶硅電池和多晶硅電池沒有太大的區(qū)別，它們的壽命和穩(wěn)定性都很好。 雖然單晶硅電池平均轉(zhuǎn)換效率要比多晶硅高1％左右，但由于單晶硅電池只能做成準正方形 （四邊都是圓弧狀），因此當組成太

單晶硅太陽能電池與多晶硅太陽能電池區(qū)別和共同點 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成 許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶 核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在 物理性質(zhì)方面。例如在力學性質(zhì)、電學性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶 硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了，一般的 半導體器件要求硅的純度六個9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必 須達到九個9。目前，人們已經(jīng)能制造出純度為十二個9的單晶硅。單晶硅是電 子計算機、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學技術(shù)中不可缺少的基本材料。 多晶硅是制造單晶硅的原料。 單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)化的效率更高些！ 單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是 無序排列主要是有它們的

word文檔 單晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太陽能電池 的工作原理及區(qū)別 硅太陽能電池的外形及基本結(jié)構(gòu)如圖1。其中基本材料為p型單晶硅，厚度 為0.3—0.5mm左右。上表面為n+型區(qū)，構(gòu)成一個pn＋結(jié)。頂區(qū)表面有柵狀金屬 電極，硅片背面為金屬底電極。上下電極分別與n＋區(qū)和p區(qū)形成歐姆接觸，整個 上表面還均勻覆蓋著減反射膜。 當入發(fā)射光照在電池表面時，光子穿過減反射膜進入硅中，能量大于硅禁帶寬 度的光子在n+區(qū)，pn＋結(jié)空間電荷區(qū)和p區(qū)中激發(fā)出光生電子——空穴對。各區(qū) 中的光生載流子如果在復合前能越過耗盡區(qū)，就對發(fā)光電壓作出貢獻。光生電子留 于n＋區(qū)，光生空穴留于p區(qū)，在pn＋結(jié)的兩側(cè)形成正負電荷的積累，產(chǎn)生光生 電壓，此為光生伏打效應。當光伏電池兩端接一負載后，光電池就從p區(qū)經(jīng)負載流 至n＋區(qū)，負載中就有功率輸出。 太陽能電池各區(qū)對不同波長光的敏感型是不同

實用標準文案 精彩文檔 雙結(jié)非晶硅太陽電池能組件系列： 雙結(jié)非晶硅太陽電池組件在標準測試條件(stc)下，系列額定功率穩(wěn)定值為：32w,34w,36w,38w,和40w。 不同規(guī)格的產(chǎn)品有不同的電性能。并且可根據(jù)需求制作特殊規(guī)格的要求，做成不同規(guī)格、不同性能、不同 要求、不同尺寸的雙結(jié)非晶硅太陽電池組件。 雙結(jié)非晶硅太陽能電池組件的參數(shù)： 在標準測量條件(stc)下，雙結(jié)非晶硅太陽電池典型組件參數(shù)如下： 型號pm(w)voc(v)isc(a)vmpp(v)尺寸(mm)重量 32(42)h/g643×125332±1571.042643×1253×3714.7kg 34(43)h/g643×125334±1581.043643×1253×3714.7kg 36(44)h/g643×125336±1591.04464

以太陽能電池產(chǎn)品鏈的發(fā)展為切入點,闡述了國內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀,并提出了國內(nèi)太陽電池用多晶硅材料國產(chǎn)化的設想與思考。

半導體(電子)及太陽能電池材料的多晶硅 一、概要 1、從鍺到硅 鍺：融點960℃用石英或炭的容器來熔化。 硅：融點1420℃炭和石英反應生成。（沸點：2355℃） 最初半導體的產(chǎn)生從生產(chǎn)使用方便的鍺材料開始的，隨著技術(shù)進步，開始使用了特別顯 著性質(zhì)的硅（從1965年的硅的生產(chǎn)量超過了鍺的生產(chǎn)量），用于太陽能電池就從這時開始的。 2、硅的特性 半導體：導體、絕緣物的中間導電物。 導電：有p型與n型。根據(jù)溫度有所變化，p型n型的結(jié)合。（p型：空穴；n型：電 子） 常溫下，本征半導體硅的電導率是230000ω·cm，1100℃時為0.01ω·cm.純度為9個9 時為100ω·cm，10個9時為1000ω·cm。所含雜質(zhì)越多，導電性越好。 3、高純度多晶硅的技術(shù)變化 進入1950年開始工業(yè)性生產(chǎn)（美國du-pont）日本是從進入1960年代

-1- 多晶硅太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率仿真研究 徐耀敏 武漢理工大學信息工程學院，湖北武漢（430070） e-mail：yaominxu@sina.com 摘要：本文結(jié)合多晶硅太陽能電池這一具有廣泛應用前景的太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的影 響因素，在分析各因素對太陽能電池效率影響的基礎上，利用澳大利亞新南威爾士大學光伏 研究中心開發(fā)一維半導體仿真軟件pc-1d作為仿真模擬平臺，從仿真角度分析如何提高現(xiàn)有 多晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率，分析了設計太陽能電池的理論方法，為實際工業(yè)生產(chǎn)提供了可 靠的理論基礎，為進一步提高太陽能電池換轉(zhuǎn)效率，降低生產(chǎn)成本提供理論支持。 關鍵詞：多晶硅太陽能電池；pc-1d；轉(zhuǎn)換效率；影響因素；仿真 中圖分類號：tn304.1 1.引言 自1954年第一片太陽能電池問世以來，作為清潔能源的太陽能電池技術(shù)突飛猛進，太

由于太陽能級多晶硅價格直線上揚,硅片在太陽能電池中的成本已經(jīng)占到了70%,中國太陽能企業(yè)利潤也因此受到了極大沖擊。從2004年起,太陽能電池制造商的利潤率已從高點開始下滑,如無錫尚德,其2005～2007年的毛利率分別約30%25%、20%。太陽能下游行業(yè)不久可能出現(xiàn)洗牌。

夏普將上市模塊轉(zhuǎn)換效率達14．4％，用于日本國內(nèi)住宅的多晶硅太陽能電池模塊“nd-191av”。在提高轉(zhuǎn)換效率的同時，還擴大了可在屋頂設置的范圍，與以前產(chǎn)品相比，屋頂可設置容量平均達1．5倍。高效率的實現(xiàn)，得益于表面電極結(jié)構(gòu)的變更。太陽能電池的電極由較租的busbar電極和較細的finger電極構(gòu)成。此次，將busbar電極從原來的2條增加到3條，同時還減小了所有電極的寬度。

據(jù)美國“技術(shù)評論”網(wǎng)站報道，麻省理工學院（mit）科學家最近發(fā)明了可大幅提高多晶硅太陽能電池效率，同時維持低成本的方法。他們同時成立了一家名為1366的技術(shù)公司以將這項技術(shù)商業(yè)化。

利用電子背散射衍射(electronbackscattereddiffraction,ebsd)對太陽能電池用多晶硅的晶界進行了研究。結(jié)果表明,太陽能電池用多晶硅中的大部分晶界為大角度晶界,且以特殊晶界σ3和普通晶界為主,同時還存在少量小角度晶界。在制作太陽能電池用多晶硅時,重點要降低小角度晶界和σ3的含量。

隨著多晶硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大,多晶硅生產(chǎn)中的環(huán)境問題日益受到人們的關注。我國制備高純多晶硅的主流技術(shù)是改良西門子法,物理冶金法制備高純多晶硅企業(yè)有1～2家,是今后可能的發(fā)展方向之一。全面系統(tǒng)分析了改良西門子法和物理冶金法多晶硅生產(chǎn)中的產(chǎn)污環(huán)節(jié)、污染物種類及排污情況,為核算多晶硅產(chǎn)業(yè)產(chǎn)排污系數(shù)提供實踐基礎。