使開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大到12倍的雙極晶體管
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圖1所示電路采用最少的外部元件,就可使0.5A補償型開關(guān)穩(wěn)壓集成電路的最大輸出電流提高到6A以上。該電路適用于15V～60V輸入電壓,根據(jù)所選開關(guān)穩(wěn)壓集成電路的不同,可提供3.3V、5V或12V三種輸出電壓。圖2是在高達60V的輸入電壓范圍內(nèi)繪制的三種標準輸出電壓的轉(zhuǎn)換效率曲線。該電路適用于要求輸出電流、輸入電壓比標準集成電路高,或
絕緣柵雙極晶體管的設(shè)計要點 絕緣柵雙極晶體管的設(shè)計要點
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介紹了絕緣柵雙極晶體管(igbt)的基本結(jié)構(gòu)和工作原理;討論了igbt各關(guān)鍵參數(shù)和結(jié)構(gòu)設(shè)計中需要考慮的主要問題;分析了igbt設(shè)計中需要協(xié)調(diào)的幾對矛盾參數(shù)的關(guān)系以及影響igbt可靠性的關(guān)鍵因素。
電子輻照對開關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響 電子輻照對開關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響
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功率雙極晶體管的損耗是開關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一,采用10mev電子輻照來降低功率雙極晶體管的下降延時,以此來降低功率雙極晶體管的關(guān)斷損耗。在一個典型的充電器開關(guān)電源中,85v交流輸入電壓下,功率雙極晶體管總損耗最多降低了42%,系統(tǒng)效率提高了2.1%。
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互補絕緣門極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開關(guān)器件 互補絕緣門極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開關(guān)器件
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4.6
互補絕緣門極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開關(guān)器件
第五章雙極型晶體管開關(guān)特性
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4.8
第五章雙極型晶體管開關(guān)特性
開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管熱門文檔
第五章雙極型晶體管開關(guān)特性 (2)
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第五章雙極型晶體管開關(guān)特性 (2)
動態(tài)控制開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓 動態(tài)控制開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓
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動態(tài)控制開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓
雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開關(guān)特性 雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開關(guān)特性
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4.6
根據(jù)雙極型靜電感應(yīng)晶體管的通斷特性,提出了開關(guān)特性的測試方法。測試和給出了gji2d雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開關(guān)參數(shù)、曲線和反偏參數(shù)。將gji2d與國外的雙極型晶體管和功率場效應(yīng)管進行了比較。
10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開關(guān)的研制 10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開關(guān)的研制
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4.3
采用8只ixlf19n250a絕緣柵雙極型晶體管串聯(lián)研制成功了10kv固體開關(guān)。試驗表明:該固體開關(guān)最高輸出電壓為14kv,最高輸出脈沖電流為20a、輸出脈沖寬度可在2112μs之間以1μs步長變化,脈沖重復(fù)頻率范圍為1hz4khz,短時間可以工作到8.6khz。
開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管精華文檔
雙極型靜電感應(yīng)晶體管開關(guān)時間的測量與分析 雙極型靜電感應(yīng)晶體管開關(guān)時間的測量與分析
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4.7
從理論和實驗兩方面對靜電感應(yīng)晶體管（ｂｓｉｔ）的開關(guān)時間進行了分析和測量，提出了簡單的分析方法，將影響ｂｓｉｔ開關(guān)時間的各個因素歸結(jié)為結(jié)構(gòu)因子和材料因子，從而簡化了分析影響ｂｓｉｔ開關(guān)時間的因素，對于ｂｓｉｔ的實際工藝、結(jié)構(gòu)設(shè)計有指導(dǎo)意義。
16第三章晶體管的開關(guān)特性與擊穿電壓
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16第三章晶體管的開關(guān)特性與擊穿電壓
選用恰當?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器 選用恰當?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器
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靜態(tài)電流相同或極接近的超低靜態(tài)電流ldo的動態(tài)性能可能差異很大。有兩項主要因素決定了這些器件的動態(tài)性能。一是使用的半導(dǎo)體工藝,大多數(shù)當今ldo使用先進的cmos或bicmos技術(shù)制造;二是ldo設(shè)計中應(yīng)用的技術(shù)。有幾種不同類型的超低靜態(tài)電流
在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián) 在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)
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在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)
開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管最新文檔
正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路 正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路
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4.4
過去,電荷泵電路主要應(yīng)用于電壓反轉(zhuǎn)(v_(out)≈v_(in))或倍壓電路(v_(out)≈2v_(in))中,它們的輸出都不穩(wěn)壓,如icl7660、icl7662、max660等。近年來,利用電荷泵電路可進行升壓和降壓,并集成了新型穩(wěn)壓電路(電壓調(diào)節(jié)電路),開發(fā)出無電感器的dc/dc變換器,它就是正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路。本文介紹其主要特點、結(jié)構(gòu)與工作原理及典型應(yīng)用電路。
銻化銦晶體管工作電壓低、開關(guān)快
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基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計
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基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計
多路輸出直流穩(wěn)壓電源
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中南民族大學(xué) 課程設(shè)計 題目多路輸出直流穩(wěn)壓電源 學(xué)院計算機科學(xué)學(xué)院 專業(yè)自動化 班級一班 姓名 指導(dǎo)教師 2010年6月20日 電子技術(shù)課程設(shè)計 任務(wù)書 設(shè)計題目：多路輸出直流穩(wěn)壓電源 學(xué)生姓名：專業(yè)班級：自動化一班學(xué)號： 指導(dǎo)教師簽名：2010年6月20日 一、設(shè)計條件 1．可選元件（或自備元件）： 變壓器（±15v/15w）：一只 整流二極管或整流橋：若干 電阻、電容、電位器：若干 三端集成穩(wěn)壓器：若干 2．可用儀器：萬用表，示波器，毫伏表，信號發(fā)生器，直流穩(wěn)壓源 二、設(shè)計任務(wù)及要求 1．設(shè)計任務(wù) 根據(jù)技術(shù)要求和已知條件，完成對多路輸出直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計、裝配與調(diào)試。 2．設(shè)計要求 （1）將220v/50hz交流電源轉(zhuǎn)換為五路直流穩(wěn)壓電源輸出：±12v
電壓輸出與電流成比例的改進型電流監(jiān)控器 電壓輸出與電流成比例的改進型電流監(jiān)控器
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4.6
本設(shè)計實例是對以往設(shè)計實例的擴展(參考文獻1)。原版采用一個電流變壓器,它的次級繞組構(gòu)成一個振蕩器振蕩回路的一部分。正常條件下,流經(jīng)電流變壓器單匝初級繞組的直流電流不會使電路保持振蕩,直到初級電流停止流動。雖然這個電路起到一個斷電檢測器的作用,
場板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機理研究 場板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機理研究
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4.3
通過實驗和數(shù)值器件仿真研究了鈍化gan高電子遷移率晶體管(hemts)、柵場板ganhemts和柵源雙層場板ganhemts電流崩塌現(xiàn)象的物理機理,建立了電流崩塌強度與帽層中載流子濃度、陷阱電離率和電場的內(nèi)在聯(lián)系.研究結(jié)果表明,場板可以有效調(diào)制帽層中橫向和縱向電場的強度分布,并可有效調(diào)制縱向電場的方向,減弱柵極附近電場強度,增加場板下方電場強度,這會減弱柵極附近自由電子的橫向運動,增強場板下方自由電子的縱向運動,進而可以有效調(diào)制帽層中自由電子濃度的分布,提高陷阱的電離率,減小器件的電流崩塌.
過壓保護穩(wěn)壓器和浪涌電流限幅器 過壓保護穩(wěn)壓器和浪涌電流限幅器
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4.4
lt4356-3是一個新的可選版本，在故障情況下可以鎖斷工作。它也是一個產(chǎn)品系列的最新成員，這個產(chǎn)品系列用來抑制高壓浪涌和電流，以保護下游電子組件免受損壞。性能特點：電壓范圍為4～80v；可調(diào)輸出鉗位電壓；
雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出穩(wěn)壓電路TAR8H01K 雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出穩(wěn)壓電路TAR8H01K
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tar8h01k是日本東芝公司生產(chǎn)的低壓差(ldo)穩(wěn)壓器新品,東芝稱之為點穩(wěn)壓器,它是一種采用了超小型8引腳的封裝結(jié)構(gòu)的雙輸入和雙穩(wěn)壓輸出(2.8v和3.0v)的穩(wěn)壓集成電路,通過其控制端可以使穩(wěn)壓輸出端導(dǎo)通和截止,并且具有過熱和過流保護功能。為手機、電池供電設(shè)備和其它可攜式消費電子產(chǎn)品等等提供了更小尺寸和更具成本效益的選擇。
一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補償設(shè)計 一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補償設(shè)計
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文中基于一種采用vicordc-dc轉(zhuǎn)換器設(shè)計的低壓大電流直流電源,通過采樣負載點電壓,外加反饋電路來調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)換器輸出電壓,以補償在大電流傳輸時負載線上的電壓降,從而達到穩(wěn)定負載點電壓的目的。本文詳細分析了電壓補償電路的原理,介紹了元器件選擇方法,并通過電壓補償電路的設(shè)計和測試驗證了該電路的可行性。
美國研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管 美國研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管
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加利福利亞圣芭芭拉大學(xué)和亞利桑那州立大學(xué)近期研制出一種氮化鎵電流孔徑垂直電子晶體管(cavet),該產(chǎn)品擁有p型掩埋層,能產(chǎn)生反向偏置pn結(jié)。cavet將二維電子氣和垂直結(jié)構(gòu)相結(jié)合,在鋁鎵氮/氮化鎵界面處的二維電子氣能提供較高的導(dǎo)電性能,而垂直結(jié)構(gòu)能使得產(chǎn)品在較低峰值的條件下具有較好的電場分布。
開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管相關(guān)
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職位：市政給排水工程師
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