基于單分子層去除機理芯片化學機械拋光材料去除模型

磨料是化學機械拋光(cmp)中重要的組成部分,是決定拋光平坦化的重要影響因素。采用兩步法制備了新型的氧化硅包覆聚苯乙烯(ps)核殼型復合磨料,采用掃描電子顯微鏡(sem)、透射電子顯微鏡(tem),x射線能量色散譜(edx)等對復合磨料進行了表征。結(jié)果表明所制備的復合磨料具有核殼結(jié)構(gòu),且表面光滑。隨后復合磨料對比硅溶膠對銅化學機械拋光進行研究,采用原子力顯微鏡(afm)觀測表面的微觀形貌,并測量了表面粗糙度。經(jīng)過復合磨料拋光后的銅片粗糙度為0.58nm,拋光速率為40nm/min。硅溶膠拋光后的銅片的粗糙度是1.95nm,拋光速率是37nm/min。

在化學機械拋光過程中，拋光墊表面溝槽形狀是決定拋光墊性能的重要影響因素之一，它會直接影響拋光效果。在分析幾種常規(guī)拋光墊表面溝槽結(jié)構(gòu)形狀的特性的基礎(chǔ)上，介紹了新型拋光墊溝槽的研究進展，分析了幾種新型拋光墊表面溝槽對拋光效果的影響，為化學機械拋光用的拋光墊表面溝槽特性的深入研究與分析提供參考。

拋光墊表面溝槽是決定拋光墊性能的重要因素之一。介紹了拋光墊表面溝槽的形狀、尺寸和傾斜角度等因素對拋光過程的影響規(guī)律,認為:負螺旋對數(shù)型溝槽拋光墊的性能最佳,溝槽的深度和寬度會影響加工區(qū)域拋光液的平均駐留時間、混和效率及成分,溝槽的傾斜角度也會影響拋光效率,-20°傾斜角拋光墊的拋光效率最高。

采用有限元數(shù)值方法分析微電子材料化學機械平坦化(cmp)工藝過程中材料的變形和去除機理,得到作用在磨料顆粒上的力與名義壓力、磨粒含量以及墊板幾何和力學特性之間的關(guān)系,進而建立起一個材料去除率(mrr)模型。利用該模型預測得到的材料去除率與懸浮液中磨料顆粒含量以及壓力間的關(guān)系與已有的實驗結(jié)果相吻合,合理解釋了實驗觀察到的現(xiàn)象。

拋光后光學元件仍然存在亞表面損傷,它降低光學元件的抗激光損傷能力和光學性能,為去除拋光亞表面損傷以提升光學元件使用性能,需要對其進行準確檢測和表征。首先,采用恒定化學蝕刻速率法和二次離子質(zhì)譜法分別檢測水解層深度和拋光雜質(zhì)的嵌入深度。然后,使用原子力顯微鏡檢測亞表面塑性劃痕的幾何尺寸。通過分析表面粗糙度沿深度的演變規(guī)律,研究淺表面流動層、水解層和亞表面塑性劃痕間的依存關(guān)系。最后,建立拋光亞表面損傷模型,并在此基礎(chǔ)上探討拋光材料去除機理。研究表明:水解層內(nèi)包括淺表面流動層、塑性劃痕和拋光過程嵌入的拋光雜質(zhì);石英玻璃水解層深度介于76和105nm之間;拋光過程是水解反應(yīng)、機械去除和塑性流動共同作用的結(jié)果。

主要介紹自動化機械拋光工藝的設(shè)計理念以及常用的拋光方式并論述拋光工藝的技術(shù)工序.通過詳細的分析了解工藝進展狀況,為更好地發(fā)展自動化機械拋光工藝提供文字參考.

材料去除率是表征雙面拋光加工效率的重要參數(shù),也是影響工件表面質(zhì)量的關(guān)鍵因素。基于雙面拋光加工中工件運動過程的分析,通過向量法構(gòu)建了工件上任一點的運動軌跡及其相對速度的數(shù)學模型。運用preston模型,建立雙面拋光過程中材料去除特性方程,并輔助計算機軟件模擬了不同工藝條件下的材料去除特性。最后,通過微通道板的雙面拋光實驗,研究了不同工藝參數(shù)下的材料去除量,驗證了理論模擬的正確性。

化學氣相沉積(cvd)制備的金剛石膜表面粗糙且厚薄不均勻,在許多情況下不能直接使用,必須對其進行拋光。本文研究了不同型號的金剛石微粉對cvd金剛石厚膜研磨的影響,通過對研磨結(jié)果的比較分析,優(yōu)化出一種高質(zhì)量高效率的拋光方法,即先采用w40和w28金剛石微粉,分別研磨2h,然后用w0.5金剛石微粉研磨4h。經(jīng)掃描電子顯微鏡(sem)和原子力顯微鏡(afm)測試分析表明:金剛石膜的平均去除率為12.2μm/h,粗糙度ra由4.60μm降至3.06nm,說明該拋光方法能實現(xiàn)金剛石膜高質(zhì)量、高效率的拋光。

不銹鋼拋光材料拋光輥輪特性 漢通研磨：不銹鋼拋光材料拋光輥輪應(yīng)用于面積較大的不銹鋼板材、不同金屬板材的打磨、拋光，可 選擇不同磨料對表面處理。拋光材料拋光輥輪包括：尼龍拋光軸輥、拉絲刷輥、飛翼輪軸輥、尼龍輪拼輥、 卷緊輪等，用于電梯制造、不銹鋼板材卷板、廚具制造、銅鋁板材制品、人造大理石、高檔木地板、線路 板等拉絲拋光。常規(guī)及特殊規(guī)格可訂做，歡迎咨詢漢通客服。 拋光材料拋光輥應(yīng)用范圍：電梯制造、不銹鋼板材卷板、廚具制造、銅鋁板材制品、人造大理石、高 檔木地板、線路板等拉絲拋光。 拋光材料拋光輥產(chǎn)品特性：在高速自動拋光機上使用打磨板材時產(chǎn)生高溫時飛翼輪軸輥不會熔粘上板 材，可以加水或液體使用、鋒利、耐用、自銳、防堵、光潔度高。 拋光材料輥輪加工范圍： 直徑：7.5cm--35.0cm（3寸--14寸） 厚度：20.0cm--150.0cm（8寸--60寸） 砂號：46#-

對將軍紅、濟南青花崗石進行了磨削、拋光實驗,并選取拋光后的花崗石中的礦物輝石、斜長石和石英,分別在掃描電鏡和透射電鏡下做了大量的微觀觀察和測定,研究了礦物的拋光層、拋光面及其形成機理,提出了花崗石拋光層、拋光面是在拋光過程中礦物表層微?；?、微粒表面熔融、發(fā)生塑性變形而成的觀點。

提出一種采用模糊貼近度的評判方法,有效實現(xiàn)農(nóng)業(yè)機械的分類評判。通過建立評判集中每個評判元素的評判因素集,然后通過判別待評判的農(nóng)業(yè)機械評價指標因素集與評判因素集的貼近度,判別農(nóng)業(yè)機械的所屬類別。

添加MnS改善材料機械加工性能的機理

本文立足于嵌入式控制芯片的顯著特征,結(jié)合筆者多年相關(guān)工作經(jīng)驗,詳細分析了機械控制系統(tǒng)中嵌入式控制芯片的具體應(yīng)用,剖析了機械控制系統(tǒng)中嵌入式控制芯片的應(yīng)用前景。希望能為提高嵌入式控制芯片在機械控制系統(tǒng)中的應(yīng)用水平提供部分理論支撐。

較粗糙的表面是影響金剛石厚膜廣泛使用的因素之一。本文對cvd金剛石厚膜進行了機械拋光的正交實驗研究。實驗結(jié)果表明,影響拋光效率的因素依次為拋光盤的磨粒、轉(zhuǎn)速、正壓力和拋光面積。采用較大粒度的磨盤,適當增加轉(zhuǎn)速和壓力有利于提高拋光的效率。此外用xrd方法對機械拋光前后的膜的殘余應(yīng)力進行了測定和對比分析,結(jié)果表明,經(jīng)過機械拋光,殘余拉應(yīng)力明顯減小。

為解決不銹鋼電熱水壺在手工拋光方式中存在的污染嚴重、拋光效率低和質(zhì)量不穩(wěn)定等問題,成功自主研發(fā)了一套電水壺曲面自動化機械拋光系統(tǒng),該系統(tǒng)采用了多磨具多工位的拋光方法,可夾持三個水壺同時進行拋光,提高了拋光效率。為確保水壺表面拋光質(zhì)量,規(guī)劃了螺旋式刀具路徑,同時提出了基于示教法的拋光刀位數(shù)據(jù)生成方法,并利用nurbs曲線擬合的方法對刀具軌跡進行優(yōu)化。實驗結(jié)果證明,與手工拋光方式相比較,該方法大大提高了拋光質(zhì)量和效率。

提出了一種新的支持向量機(supportvectormachines,svm)機械系統(tǒng)狀態(tài)組合預測模型。應(yīng)用fpe(finalprincipleerror)準則優(yōu)化樣本的維數(shù),采用時域內(nèi)的振動烈度和頻域內(nèi)的特征頻率分量作為預測機械系統(tǒng)狀態(tài)的敏感因子,構(gòu)建了預測模型。支持向量機采用新型的結(jié)構(gòu)風險最優(yōu)化準則,預測能力強、魯棒性好。采用徑向基函數(shù)和ε損失函數(shù),將該模型應(yīng)用于實驗臺和旋轉(zhuǎn)注水機組的狀態(tài)預測,取得了較好的效果。這表明利用支持向量機的組合預測模型,可以降低設(shè)備維修代價,提高設(shè)備的安全性和可靠性。

生態(tài)環(huán)境2004,13(1):98-101http://www.***.*** ecologyandenvironmente-mail:editor@eco-environment.com 基金項目：國家科技部“十五”重大專項（2002aa601023）；江蘇省高校省級重點實驗室開放基金項目（kjs03071） 作者簡介：張軍（1976－），男，博士研究生，研究方向為水污染控制和生態(tài)毒性學。e-mail:zhj530@sina.com 收稿日期：2003-06-13 表面流人工濕地中氮磷的去除機理 張軍，周琪，何蓉 同濟大學環(huán)境科

為實現(xiàn)對橈足類生物泄露風險的高效控制,以猛水蚤為研究對象,開展了常規(guī)凈水工藝對橈足類生物的去除作用機理及效果研究,重點研究了猛水蚤去除與絮體顆粒形態(tài)特性關(guān)系和在石英砂濾床的分布規(guī)律.結(jié)果表明:優(yōu)化操作條件下,混凝沉淀和過濾對猛水蚤去除率均可達99%,最佳工況包括快速攪拌300r/min(1min)、中速攪拌150r/min(5min)和低速攪拌75r/min(5min),聚合氯化鋁(pac)投加量10mg/l,沉淀時間0.5h,濾速9m/h,過濾周期1d.混凝對猛水蚤的去除效率主要決定于猛水蚤與絮體的有效吸附,絮體顆粒粒徑越大、分形維數(shù)越低,猛水蚤去除率越高;過濾水沖刷攜帶引起的被動遷移,是導致猛水蚤穿透砂濾池的主要原因,適當降低濾速和縮短過濾周期,控制猛水蚤被動遷移規(guī)模,可以達到提高猛水蚤去除率效果.

金相組織檢驗工序，包括試樣制備，試驗侵蝕，顯微組織 檢驗，顯微照相等五步。拋光是金相試樣磨制工序中的最后一 道工序，其目的是消除試樣細磨時在磨面上留下的細微磨痕， 便之成為平整光亮無痕的鏡面。拋光由機械拋光、電解拋光、 化學拋光等方法?，F(xiàn)就電解拋光和機械拋光進行討論，分析他 們的區(qū)別。 1概念上區(qū)別 1.1機械拋光 機械拋光是是一種機械物理過程。粗拋時用帆布或粗呢， 細拋時用絨布、細呢或絲綢等。拋光過程中要不斷向拋光布上 倒入適量的水與cr2o3（或al2o3、mgo等）懸浮液。試樣的磨面 應(yīng)平正地壓在旋轉(zhuǎn)的拋光盤上，壓力不宜過大，并使試樣從拋 光盤邊緣到中心不斷地作徑向往復移動。待試樣表面磨痕全 部被拋掉而呈現(xiàn)光亮鏡面時，拋光即可停止，并將試樣用水或 酒精洗干凈后轉(zhuǎn)入浸蝕。 1.2電解拋光 電解拋光是電化學溶解過程，以被拋工件為陽極，不溶性

在玻璃微流控芯片通道表面用硅烷化試劑二氯二甲基硅烷進行處理后,二氯二甲基硅烷與玻璃通道表面的硅羥基反應(yīng),硅烷基覆蓋在原來的硅羥基上,其結(jié)果為電滲流減小甚至完全消除.進一步采用全勢能線性糕模軌道分子動力學方法,對表面反應(yīng)的微觀結(jié)構(gòu)進行了理論計算,計算結(jié)果表明硅羥基中的氫原子與二氯二甲基硅烷中的氯原子結(jié)合形成穩(wěn)定的hcl分子結(jié)構(gòu)而脫離,從而使硅烷基覆蓋在表面上.

1 abstract themanipulatortechnologyinvolvestotheelectron,mechanics,theautomaticcontroltechnology, thesensortechnologyandthecomputertechnologyandsoonscientificfield,isaninterdisciplinary comprehensivetechnology.alongwiththeindustrialautomationneedtodevelop,themanipulator is gettingmoreandmoreimportantintheindustrialapplication.thearticlemainlyna

本實用新型提供一種電化學檢測用塑料芯片，由兩層pmma片制成的芯片和一層pcb板貼合而成，芯片上制有工作電極，工作電極碳纖維是用導電膠與導線相連的，然后再與工作電極接線端連接，pcb板上制有高壓電極、電化學檢測用電極或稱為參比電極和對電極和高壓地電極；在分離通道的末端制有電化學檢測池。本實用新型提供的電化學檢測用塑料芯片制造容易，成本低廉。