晶體管開關(guān)特性與擊穿電壓

根據(jù)雙極型靜電感應(yīng)晶體管的通斷特性,提出了開關(guān)特性的測(cè)試方法。測(cè)試和給出了gji2d雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開關(guān)參數(shù)、曲線和反偏參數(shù)。將gji2d與國(guó)外的雙極型晶體管和功率場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行了比較。

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從長(zhǎng)間隙真空開關(guān)的擊穿特性出發(fā),理論推導(dǎo)得到雙斷口及多斷口真空開關(guān)的擊穿電壓最大可能增益倍數(shù)kn,同時(shí)引入"擊穿弱點(diǎn)"概念和概率統(tǒng)計(jì)方法,分析建立了雙斷口及多斷口真空開關(guān)的靜態(tài)擊穿統(tǒng)計(jì)分布模型,發(fā)現(xiàn)無(wú)論是雙斷口真空開關(guān)還是n個(gè)斷口串聯(lián)起來(lái),其擊穿的統(tǒng)計(jì)概率都要比單斷口的擊穿統(tǒng)計(jì)概率要小.為了進(jìn)行實(shí)驗(yàn)論證,建立了三斷口真空開關(guān)實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｐ?對(duì)單斷口真空滅弧室模型和三斷口真空開關(guān)實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｐ瓦M(jìn)行了大量的沖擊擊穿特性實(shí)驗(yàn).研究表明,三斷口真空滅弧室相比單斷口真空滅弧室具有更低的擊穿概率.試驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論分布曲線基本吻合,證明理論研究結(jié)果正確.

設(shè)計(jì)了應(yīng)用于感應(yīng)電壓疊加器中的水介質(zhì)主開關(guān)與峰化開關(guān),主開關(guān)的電極結(jié)構(gòu)為"平板-環(huán)型",峰化開關(guān)的電極結(jié)構(gòu)為"環(huán)型"。研究了開關(guān)在300ns脈沖電壓下的自擊穿特性,給出了不同工作電壓下開關(guān)的間隙距離。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,主開關(guān)與峰化開關(guān)的結(jié)構(gòu)合理、擊穿特性穩(wěn)定、相互配合良好,峰化開關(guān)可以有效地峰化主脈沖,降低預(yù)脈沖的幅值。主開關(guān)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果同時(shí)驗(yàn)證了martin經(jīng)驗(yàn)公式的適用性。

第四章雙極型晶體管功率特性

武漢市華天電力自動(dòng)化有限責(zé)任公司 1 高壓開關(guān)特性測(cè)試儀說(shuō)明書 由于輸入輸出端子、測(cè)試柱等均有可能帶電壓，在 插拔測(cè)試線、電源插座時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電火花，小心電擊， 避免觸電危險(xiǎn)，注意人身安全！ 安全要求 請(qǐng)閱讀下列安全注意事項(xiàng)，以免人身傷害，為了避免可能發(fā)生 的危險(xiǎn)，只可在規(guī)定的范圍內(nèi)使用。 只有合格的技術(shù)人員才可執(zhí)行維修。 —防止火災(zāi)或人身傷害 使用適當(dāng)?shù)碾娫淳€。只可使用專用并且符合規(guī)格的電源線。 正確地連接和斷開。當(dāng)測(cè)試導(dǎo)線與帶電端子連接時(shí)，請(qǐng)勿隨意連接 或斷開測(cè)試導(dǎo)線。 注意所有終端的額定值。為了防止火災(zāi)或電擊危險(xiǎn)，請(qǐng)注意所有額定 值和標(biāo)記。在進(jìn)行連接之前，請(qǐng)閱讀使用說(shuō)明書，以便進(jìn)一步了解有 關(guān)額定值的信息。 使用適當(dāng)?shù)谋ｋU(xiǎn)絲。只可使用符合規(guī)定類型和額定值的保險(xiǎn)絲。 避免接觸裸露電路和帶電金屬。有電時(shí)，請(qǐng)勿觸摸裸露的接點(diǎn)和 部位。 武漢市華天電力自動(dòng)化有限責(zé)任公司 2

圖1所示電路采用最少的外部元件,就可使0.5a補(bǔ)償型開關(guān)穩(wěn)壓集成電路的最大輸出電流提高到6a以上。該電路適用于15v～60v輸入電壓,根據(jù)所選開關(guān)穩(wěn)壓集成電路的不同,可提供3.3v、5v或12v三種輸出電壓。圖2是在高達(dá)60v的輸入電壓范圍內(nèi)繪制的三種標(biāo)準(zhǔn)輸出電壓的轉(zhuǎn)換效率曲線。該電路適用于要求輸出電流、輸入電壓比標(biāo)準(zhǔn)集成電路高,或

制作了底柵極頂接觸有機(jī)薄膜晶體管器件,60nm的pentacene被用作有源層,120nm熱生長(zhǎng)的sio2作為柵極絕緣層.通過(guò)采用不同自組裝修飾材料對(duì)器件的有源層與柵極絕緣層之間的界面進(jìn)行修飾,如octadecyltrichlorosilane(ots),phenyltrimethoxysilane(phtms),來(lái)比較界面修飾層對(duì)器件性能的影響.同時(shí)對(duì)帶有phtms修飾層的otfts器件低柵極電壓調(diào)制下的場(chǎng)效應(yīng)行為及其載流子的傳輸機(jī)理進(jìn)行研究.結(jié)果得到,當(dāng)|vgs|<0.1v時(shí),載流子在如此小的柵極電壓調(diào)制下已經(jīng)不能過(guò)多在半導(dǎo)體有源層與柵極絕緣層之間的界面處積聚,使otfts器件的輸出電流保持相對(duì)的平衡.但是,器件的調(diào)制柵壓在-0.001v時(shí),器件仍然有好的輸出特性,當(dāng)vds為-20v時(shí),器件的場(chǎng)效應(yīng)遷移率為3.22×10-3cm2/vs,開關(guān)電流比為1.43×102,閾值電壓為0.66v.

晶體管制造一般是用玻璃作基底材料。這有利于在多變的環(huán)境下保持穩(wěn)定，從而保證用電設(shè)備所需的電流。據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)佐治亞理工大學(xué)研究人員最近開發(fā)出一種雙層界面新型晶體管，性能極為穩(wěn)定，還能在可控的環(huán)境中。

設(shè)計(jì)了典型參數(shù)下的偽火花放電開關(guān),進(jìn)行了空氣介質(zhì)下的電壓特性實(shí)驗(yàn),詳細(xì)研究了氣體壓力,電極間隙距離,電極孔徑和電極材料對(duì)偽火花開關(guān)耐受電壓的影響;給出了偽火花開關(guān)放電電壓與氣壓變化的關(guān)系曲線;測(cè)量了產(chǎn)生偽火花放電的氣壓范圍和單間隙偽火花開關(guān)耐受電壓的最大值,測(cè)得了偽火花放電與輝光放電的轉(zhuǎn)折點(diǎn)氣壓,并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了理論分析。研究了偽火花開關(guān)電壓跌落時(shí)間與放電電壓的關(guān)系,首次將開關(guān)電壓跌落過(guò)程分為暫態(tài)階段和穩(wěn)態(tài)階段,討論了放電電路參數(shù),氣體壓力,開關(guān)結(jié)構(gòu)和放電電壓對(duì)電壓跌落時(shí)間的影響。實(shí)驗(yàn)表明,在氣壓和開關(guān)結(jié)構(gòu)不變的條件下,暫態(tài)過(guò)程時(shí)間由放電電壓決定,電壓越高,則所需時(shí)間就越短;穩(wěn)態(tài)過(guò)程時(shí)間由放電電路參數(shù)決定,而與放電電壓無(wú)關(guān)。最后討論了真空潔凈程度和開關(guān)加工與裝配工藝對(duì)偽火花開關(guān)耐受電壓的影響。

本文較詳細(xì)地介紹了高反壓晶體管玻璃鈍化的生產(chǎn)工藝。該工藝操作簡(jiǎn)單、成本低,生產(chǎn)出的產(chǎn)品一致性好,可靠性高。

空氣開關(guān)特性及選用.

第07章薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)

精品文檔 精品文檔 雙極性三極管開關(guān)特性 晶體三極管工作于截止區(qū)時(shí)，內(nèi)阻很大，相當(dāng)于開關(guān)斷開狀態(tài)；工作于飽和區(qū)時(shí)，內(nèi)阻很低，相當(dāng)于 開關(guān)接通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路如圖2.2.2(a)示。輸入控制信號(hào)為矩形電壓脈沖，電源電壓, 輸出信號(hào)為,三極管開關(guān)電路輸入輸出波形如圖2.2.2(b)。 下實(shí)例中為12v的開關(guān)控制信號(hào)，為單片機(jī)可接收的ttl信號(hào)，為了與輸入控制信號(hào)一致，加入反 相器74ls14。 精品文檔 精品文檔 精品文檔 精品文檔 精品文檔 精品文檔 transistors atransistorisasolid-statedevicedesignedtocontroldccurrent.transistors aremostcommonlyfoundinlowdcpoweredsensorsastheout

雙極性三極管開關(guān)特性 晶體三極管工作于截止區(qū)時(shí)，內(nèi)阻很大，相當(dāng)于開關(guān)斷開狀態(tài)；工作于飽和區(qū)時(shí)，內(nèi)阻很低，相當(dāng)于 開關(guān)接通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路如圖2.2.2(a)示。輸入控制信號(hào)為矩形電壓脈沖，電源電壓, 輸出信號(hào)為,三極管開關(guān)電路輸入輸出波形如圖2.2.2(b)。 下實(shí)例中為12v的開關(guān)控制信號(hào)，為單片機(jī)可接收的ttl信號(hào)，為了與輸入控制信號(hào)一致，加入反 相器74ls14。 transistors atransistorisasolid-statedevicedesignedtocontroldccurrent.transistors aremostcommonlyfoundinlowdcpoweredsensorsastheoutputswitch. therearetwotypesoftr

　采用8只ixlf19n250a絕緣柵雙極型晶體管串聯(lián)研制成功了10kv固體開關(guān)。試驗(yàn)表明:該固體開關(guān)最高輸出電壓為14kv,最高輸出脈沖電流為20a、輸出脈沖寬度可在2112μs之間以1μs步長(zhǎng)變化,脈沖重復(fù)頻率范圍為1hz4khz,短時(shí)間可以工作到8.6khz。

www.***.*** -1- 高壓開關(guān)的開距和超程，其定義是機(jī)械結(jié)構(gòu)方面的。由于開關(guān)結(jié)構(gòu)的多樣性及滅弧性能 的要求，開關(guān)動(dòng)、靜觸頭的兩個(gè)平面重合時(shí)，電性能上還沒(méi)有構(gòu)成導(dǎo)通回路。而開關(guān)測(cè)試儀 的剛分（和）點(diǎn)及開距超程的判斷依據(jù)是完全依賴于是否構(gòu)成導(dǎo)電回路（或是否斷開導(dǎo)電回 路）。由于兩者定義上的不同，導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果的偏差。我們認(rèn)為，依賴測(cè)試儀器來(lái)測(cè)試開距 和超程是沒(méi)有太大的意義的，一方面是不可能測(cè)試準(zhǔn)確；另一方面，用常規(guī)方式測(cè)試其準(zhǔn)確 度和可靠性更高。也比較方便。 高壓開關(guān)測(cè)試儀可用于各種電壓等級(jí)的真空、六氟化硫、少油、多油等電力系統(tǒng)高壓開 關(guān)的機(jī)械特性參數(shù)測(cè)試與測(cè)量。測(cè)量數(shù)據(jù)穩(wěn)定，接線方便，操作簡(jiǎn)單，是高壓開關(guān)檢修試驗(yàn) 最方便的工具。 1.儀器可自動(dòng)識(shí)別斷口分、合閘狀態(tài)，并根據(jù)參考斷口狀態(tài)提示相對(duì)應(yīng)的合、分操作。 2.可檢測(cè)并提示6斷口的連接狀態(tài)，

在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)

雙極型功率開關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu)

s波段500wrf器件2729gn～500越于碳化硅襯底氮化鎵（ganonsic）技術(shù)，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通管制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)（asr）應(yīng)用，asr用于監(jiān)視和控制在機(jī)場(chǎng)大約100英里范圍的飛機(jī)。

從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面對(duì)靜電感應(yīng)晶體管（ｂｓｉｔ）的開關(guān)時(shí)間進(jìn)行了分析和測(cè)量，提出了簡(jiǎn)單的分析方法，將影響ｂｓｉｔ開關(guān)時(shí)間的各個(gè)因素歸結(jié)為結(jié)構(gòu)因子和材料因子，從而簡(jiǎn)化了分析影響ｂｓｉｔ開關(guān)時(shí)間的因素，對(duì)于ｂｓｉｔ的實(shí)際工藝、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有指導(dǎo)意義。

應(yīng)用價(jià)值工程 降低晶體管成本