大功率IGBT模塊并聯(lián)使用中動靜態(tài)均流特性研究

介紹了龐巴迪運(yùn)輸裝備公司(bombardiertransportation)生產(chǎn)的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、工作原理以及在不同種類機(jī)車上的應(yīng)用情況。

介紹了龐巴迪運(yùn)輸裝備公司（bombardiertransportation）生產(chǎn)的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、工作原理以及在不同種類機(jī)車上的應(yīng)用情況。

介紹了一種基于igd515ei構(gòu)成的igbt串聯(lián)應(yīng)用的驅(qū)動電路,能夠提供最大15a的驅(qū)動電流,采用光纖傳輸控制信號,解決了所有與mosfet和igbt有關(guān)的驅(qū)動、保護(hù)和電位隔離問題。應(yīng)用結(jié)果表明,該驅(qū)動電路使用簡單、可靠,具有優(yōu)良的驅(qū)動和保護(hù)性能,尤其是其聯(lián)合運(yùn)用端口的設(shè)計非常適用于igbt的串聯(lián)使用。采用串聯(lián)igbt作為剛管調(diào)制器的放電開關(guān),解決了單只igbt耐壓不夠的問題。文中還介紹了igbt柵極驅(qū)動電路和igbt電壓均衡電路的設(shè)計方法,并給出調(diào)制器的輸出波形。

本文分析了開關(guān)電源并聯(lián)均流的閉環(huán)控制,通過閉環(huán)控制的理論分析,提出了閉環(huán)控制的規(guī)則,有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

本文分析了開關(guān)電源并聯(lián)均流的閉環(huán)控制,通過閉環(huán)控制的理論分析,提出了閉環(huán)控制的規(guī)則,有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

基于結(jié)構(gòu)函數(shù)理論,對同一管殼與基板的不同界面熱性能進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)積分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線出現(xiàn)分離,通過分離點可確定igbt模塊內(nèi)部pn結(jié)與基板外殼之間的熱阻值;通過此方法,還可確定同一管殼采用不同接觸面材料的熱特性,并可依此對igbt所用涂覆導(dǎo)熱材料進(jìn)行選型。研究表明,結(jié)構(gòu)函數(shù)理論是分析大功率igbt器件熱特性的一種有效方法。

igbt并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 igbt并聯(lián)均流問題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián)igbt的直流母線側(cè)連接點的電阻分量，因此需要盡量對稱； 2、igbt芯片的vce(sat)和二極管芯片的vf的差異，因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、igbt模塊所處的溫度差異，設(shè)計機(jī)械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時需要考慮； 4、igbt模塊所處的磁場差異； 5、柵極電壓vge的差異。 影響動態(tài)均流的因素 1、igbt模塊的開通門檻電壓vgeth的差異，vgeth越高，igbt開通時刻越晚， 不同模塊會有差異； 2、每個并聯(lián)的igbt模塊的直流母線雜散電感l(wèi)的差異； 3、門極電壓vge的差異； 4、門極回路中的雜散電感量的差異； 5、igbt模塊所處溫度的差異； 6、igbt模塊所處的磁場的差異。 igbt芯片溫度對均流的影響 igbt芯片的溫度對于動態(tài)均

國際整流器公司推出全新mtp隔離式開關(guān)模塊系列,專為大電流工業(yè)電源而設(shè)計,適用于高頻弧焊機(jī)及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣,在結(jié)點與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性(冷卻能力)比用于同類器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600v和1200v,把高速igbt和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi),有助于節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50mt060uls是一款全絕緣低側(cè)斬波模塊,內(nèi)含一個ir超快igbt和一個具超軟逆恢復(fù)電流特性的hexfred二極管;50mtobowh是一款全絕緣半橋式模式,雙igbt設(shè)計可有效控制功率耗散和電流分配。此外,ir還提供兩款1200vmtp開關(guān)模塊:全絕緣的20mt120uf全橋式及40mt120uh半橋式模塊。它們可直接連接到大多數(shù)三相系統(tǒng)的直流總線。

美國銦公司為infineonyectmologiesag專門設(shè)計了用于primepackigbt模塊的heat-spring金屬熱界面材料。heat-spring是柔軟的金屬銦粗加工產(chǎn)品，可壓縮、可用于不規(guī)則的安裝表面、不含硅樹脂、無需脫氣、無需pump-out，可與熱油脂和其他粘性材料同時使用。

測試方法（晶川）：萬用表只能測量不全面：若igbt損壞一般可以測 出；但是若igbt是好的，它無法肯定是好的。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即損壞。 （ge表示g接正表筆，e接負(fù)表筆；其他雷同） igbt的ec之間接有二極管，所以為導(dǎo)通態(tài)，電壓為0.34v左右。 若想完整測試igbt需要用晶體管圖示儀。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù)，即損壞。（ge 表示g接正表筆，e接負(fù)表筆；其他雷同） 新igbt 紅表筆-黑表筆電阻檔二極管檔 1-2無窮大斷路 2-1無窮大斷路 4-3無窮大斷路 3-4無窮大斷路 8-10無窮大斷路 10-80.447mω0.324 9-8無窮大斷路 8-90.448mω0.324 5-4無窮大斷路 4-5無窮

大功率集成模塊化LED路燈演示

25kA12kV兩單元IGBT模塊

低溫高速隔離式IGBT模塊

大功率igbt(絕緣柵雙極晶體管)在現(xiàn)代廣播、雷達(dá)發(fā)射機(jī),特別是全固態(tài)調(diào)制器、高壓開關(guān)電源中得到廣泛應(yīng)用。本文介紹了一種用于大功率psm短波發(fā)射機(jī)全固態(tài)調(diào)制器的雙功率模塊測量與控制電路,該雙功率模塊控制采用微處理器和可編程邏輯芯片設(shè)計,因此具有工作電壓低、損耗小等特點。

模塊化高精度大功率高壓電源并聯(lián)技術(shù) 呂富勇1,李永新1,王　芹2,金　江3,劉　偉1 (1.南京理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,南京210094;2.南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,南京210016; 3.華中科技大學(xué)電子與信息工程系,武漢430074) 摘　要:為實現(xiàn)多模塊大功率高壓電源均流并聯(lián)擴(kuò)容技術(shù),用固定相對相位偏移的脈沖頻率調(diào)制法,將多個高壓 大功率串聯(lián)諧振逆變模塊并聯(lián);并通過優(yōu)化控制補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計及合理接地設(shè)計,解決并聯(lián)系統(tǒng)自激和高壓打火損 壞控制電路難題。實驗表明用該法實現(xiàn)高壓電源的模塊化并聯(lián)擴(kuò)容,簡單可靠且并聯(lián)模塊越多電源紋波水平越 小;無需內(nèi)置電流控制環(huán),模塊間也能得到滿意的均流效果;在脈沖負(fù)載和電阻負(fù)載條件下,均具有好的動態(tài)特性。 關(guān)鍵詞:并聯(lián);均流;固定相位偏移;串聯(lián)諧振;高壓

正確地確定靜態(tài)和動態(tài)運(yùn)行的降額因子,保證了icbt模塊并聯(lián)的可靠運(yùn)行。

并聯(lián)均流技術(shù)作為分布式電源系統(tǒng)中的關(guān)鍵技術(shù),能夠?qū)⒍鄠€電源模塊并聯(lián)工作,共同分擔(dān)電流,即實現(xiàn)均流.本文首先介紹幾種在開關(guān)電源模塊中常用的并聯(lián)均流方法及其優(yōu)缺點;其次,對造成電源模塊不均流的原因進(jìn)行了分析;最后,基于pid技術(shù)研究了數(shù)字并聯(lián)均流的方法,因其良好的靈活性、抗干擾性和控制精度在工程中得到了廣泛的應(yīng)用.

英飛凌公司生產(chǎn)的3.3kvigbt模塊已被客戶廣泛使用,其驅(qū)動電路的設(shè)計在許多方面都有別于1.7kv和1.2kvigbt模塊,文章對該驅(qū)動電路的設(shè)計細(xì)節(jié)進(jìn)行分析,以助于更好地應(yīng)用該款igbt模塊。

大功率集成模塊化LED路燈演示-資料

大功率電源模塊的散熱設(shè)計 摘要：用傳統(tǒng)的熱設(shè)計理論及經(jīng)驗公式對電源模塊內(nèi)的四個50w大功率管進(jìn)行了散熱設(shè)計，應(yīng)用熱分 析軟件icepak對理論計算進(jìn)行了校核,并對方案進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計。 關(guān)鍵詞：功率管散熱；散熱器；熱分析軟件；icepak 1引言 電源模塊內(nèi)有四個功率管（在同一平面上，分成兩排），其兩兩間距為60mm，管徑φ20mm，每一功率 管的發(fā)熱功率為50w。周圍環(huán)境溫度：+50℃。要求設(shè)計一150mm×200mm的平板肋片式散熱器。?? 根據(jù)熱設(shè)計基本理論，功率器件耗散的熱量為： 式中，δt為功率管結(jié)溫與周圍環(huán)境溫度之差，℃；rt為總熱阻，℃/w。 其中，rtj為功率管的內(nèi)熱阻；rtp為器件殼體直接向周圍環(huán)境的換熱熱阻；rtc為功率管與散熱器安裝面之間 的接觸熱阻；rtf為散熱器熱阻。旨在盡量減小rtc和r

為了控制諧渡對電網(wǎng)的污染,電源中有必要增加pfc模塊,采用有源pfc工作原理實現(xiàn)了一種升壓型變換器模塊,設(shè)計完成由交流電壓90~265v輸入到穩(wěn)定的400v直流輸出,所采用的核心控制芯片為l6561.實驗結(jié)果表明:該變換器的輸出電壓穩(wěn)定度高,功率因數(shù)達(dá)到0.94以上,能夠減少整個電源系統(tǒng)的損耗.

IR推出運(yùn)行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊