V型溝槽Si襯底上SrTiO-3薄膜制備

采用快速熱化學(xué)氣相沉積方法在氧化鋁和氮化鋁陶瓷襯底上制備多晶硅薄膜及太陽電池。多晶硅薄膜的晶粒尺寸在經(jīng)過區(qū)再結(jié)晶后增大且霍爾遷移率提高,但隨后的薄膜生長(zhǎng)發(fā)現(xiàn)薄膜出現(xiàn)裂紋,影響了電池的效率,在al_2o_3襯底上得到196mv開路電壓,1．93ma短路電流；在ain襯底上得到310mv開路電壓,5．31ma短路電流。

采用磁控濺射方法在玻璃襯底上制備了不同厚度的fepd合金薄膜。利用x射線衍射（xrd）,能譜（eds）和物理性能測(cè)試研究了薄膜厚度對(duì)結(jié)構(gòu)和磁性能的影響。結(jié)果表明,在fepd合金薄膜中有序化過程發(fā)生在更厚的薄膜中。隨著薄膜厚度從d=22.5nm增加到d=67.5nm,面內(nèi)矯頑力剛開始急劇增大,然后隨著薄膜厚度的進(jìn)一步增加矯頑力會(huì)減小。在d=67.5nm時(shí)面內(nèi)矯頑力最大約為3.2×79.6ka/m。

采用直流反應(yīng)磁控濺射法在玻璃片上制備了tin薄膜,研究不同制備工藝條件與薄膜性能之間的關(guān)系。用紫外-可見光分光光度計(jì)測(cè)試了不同沉積時(shí)間和n2流量條件下tin薄膜透光率;用x射線衍射儀分析了不同n2流量和濺射功率條件下tin薄膜結(jié)構(gòu);用掃描電鏡(sem)觀察了tin薄膜的表面腐蝕形貌,用恒電位儀對(duì)tin薄膜的耐腐蝕性進(jìn)行了分析。結(jié)果表明:當(dāng)沉積時(shí)間為2min,n2流量為15ml/min時(shí),在可見光區(qū)有較高的透光率,在近紅外區(qū)的透光率很低;當(dāng)n2流量為15ml/min,濺射功率為4kw時(shí),tin薄膜的結(jié)晶最致密;當(dāng)濺射功率為4kw時(shí),tin薄膜具有較好的耐腐蝕性。

用溶膠-凝膠法在經(jīng)過表面氧化處理的不銹鋼基板上制備了含銀的銳鈦礦型二氧化鈦復(fù)合薄膜,對(duì)薄膜進(jìn)行了xrd、sem、光學(xué)顯微鏡等分析,并對(duì)不銹鋼的抗菌性和其他性能進(jìn)行了測(cè)定,討論了樣品中結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系.

用溶膠凝膠法在經(jīng)過表面氧化處理的不銹鋼基板上制備了含銀的銳鈦礦型二氧化鈦復(fù)合薄膜,對(duì)薄膜進(jìn)行了xrd、sem、光學(xué)顯微鏡等分析,并對(duì)不銹鋼的抗菌性和其他性能進(jìn)行了測(cè)定,討論了樣品中結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系

第４５卷第５期 ２００８年９月 真空ｖａｃｕｕｍｖｏｌ．４５，ｎｏ．５ ｓｅｐ．２００８ 收稿日期：２００７－１０－０３ 作者簡(jiǎn)介：王光偉（１９７１－），男，山東省濱州市人，副教授，博士。 ＊基金項(xiàng)目：天津市高?？萍及l(fā)展基金項(xiàng)目（ｎｏ．２００６０６０５）。 ｚｎｏ薄膜的制備方法、性質(zhì)和應(yīng)用＊ 王光偉，張建民，鄭宏興，楊斐 （天津工程師范大學(xué)電子工程系，天津３００２２２） 摘要：介紹了寬禁帶半導(dǎo)體ｚｎｏ薄膜的制備工藝、主要性質(zhì)和器件應(yīng)用等幾方面內(nèi)容。ｚｎｏ薄膜的制 備方法大致分為物理法和化學(xué)法。前者主要包括濺射、脈沖激光沉積和分子束外延等；后者則涵蓋化學(xué)氣 相沉積、噴霧熱解和溶膠－凝膠法等。從

對(duì)介質(zhì)－金屬組合的建筑節(jié)能薄膜進(jìn)行了理論設(shè)計(jì)，給出了雙層和三層膜的理論參數(shù)。用計(jì)算機(jī)模擬了大面積薄膜的膜厚均勻性分布，獲得了最佳的蒸發(fā)源配置，實(shí)驗(yàn)上達(dá)到了滿足實(shí)際使用的均勻性要求。最后給出了實(shí)際樣品的光譜特性。

氧化物薄膜半導(dǎo)體材料的研制及應(yīng)用 zno薄膜的結(jié)構(gòu)、性能應(yīng)用和制備 摘要：介紹了寬禁帶半導(dǎo)體zno薄膜的結(jié)構(gòu)、主要性質(zhì)、制備工藝和應(yīng)用等幾方面內(nèi)容。 關(guān)鍵詞：zno薄膜；結(jié)構(gòu)；性質(zhì)；制備 abstract:thecrystalstructure，basicperformance,andpreparationofznofilms withwideforbiddenbandwerereviewed. keywords:znothinfilm；crystalstructure；nature；preparation 1引言 zno是ii-vi族寬禁帶直接帶隙化合物半導(dǎo)體,室溫下禁帶寬度約為3.3ev,激子束縛 能為60mev，可以實(shí)現(xiàn)室溫下的激子發(fā)射。自1997年報(bào)道了zno薄膜紫外受

以鎂(mg)為可燃物質(zhì),聚四氟乙烯(ptfe)為氧化劑,利用磁控濺射和真空蒸鍍兩種方法,制備薄膜煙火器件,研究?jī)煞N制膜工藝在性能上的差異,并對(duì)其附著力、薄膜粒度和燃速進(jìn)行了測(cè)量。結(jié)果表明,磁控濺射制得的薄膜附著力為35.88mn,粒度為0.1～0.5μm,燃速為(623.9±12.5)mm.s-1,其主要性能優(yōu)于真空蒸鍍法制得的薄膜。

hdpe/eva共混物在薄膜流延機(jī)上進(jìn)行薄膜成型,制備了hdpe/eva共混物薄膜,對(duì)其薄膜的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了分析。其結(jié)果表明,隨著eva中mah含量的增加,共混薄膜的力學(xué)性能得到提高,同時(shí)共混物薄膜的熱粘合性能得到較大程度的提高,當(dāng)mah的接枝含量為0.8%,重量比為30%時(shí),hdpe/eva共混物薄膜的熱粘合力可達(dá)到3.6n/15mm。

介紹了多晶si薄膜的成膜機(jī)理及其在集成電路中的應(yīng)用,針對(duì)溝槽功率mosfet集成電路制造中兩種主流多晶si工藝的優(yōu)點(diǎn)和不足進(jìn)行了分析和對(duì)比。從柵氧化層厚度分布和arrivingangle模型兩個(gè)方面分析了溝槽中多晶si空洞的形成機(jī)制。闡述了金屬通過多晶si空洞穿透si襯底導(dǎo)致器件失效的理論,并通過失效器件的fib分析對(duì)理論加以證實(shí)。最后基于arrivingangle模型理論,在試驗(yàn)中改變溝槽頂端和底部寬度,將溝槽刻蝕成倒梯形的結(jié)構(gòu),以多晶si填充溝槽經(jīng)歷高溫退火工藝再進(jìn)行sem分析。分析結(jié)果證實(shí),改變溝槽頂端和底部寬度可徹底消除溝槽中多晶si的空洞,提高器件的可靠性。

采用母料法(二次擠出法)制備hdpe/poe/caco3共混物薄膜。比較了母料法與一次擠出法制得薄膜的力學(xué)性能與透光率。結(jié)果表明,在工藝參數(shù)相同時(shí),母料法制備的薄膜力學(xué)性能比一次擠出法要好,而薄膜透光率基本相同。當(dāng)poe、重質(zhì)碳酸鈣質(zhì)量分?jǐn)?shù)均為10%時(shí),母料法制備的薄膜拉伸強(qiáng)度、斷裂伸長(zhǎng)率、單位沖擊破損質(zhì)量比純hdpe薄膜分別提高了24.8%、27.5%、121%,比一次擠出法制備的薄膜力學(xué)性能分別提高了36.8%、14.1%、52.5%。

以piranha溶液處理玻璃基板,采用液相沉積技術(shù),制備了鈦酸鍶晶態(tài)薄膜。改性基板的親水性測(cè)定與偏光顯微鏡測(cè)試表明,piranha溶液能夠有效改善玻璃基板的親水性,并且基板表面的硅烷醇對(duì)鈦酸鍶薄膜的沉積具有積極指導(dǎo)作用;x射線衍射(xrd)與掃描電鏡(sem)表征顯示,制備成功的鈦酸鍶薄膜純度高,結(jié)晶良好,樣品表面均勻,在垂直基板表面方向上呈纖維花簇狀生長(zhǎng)。文章同時(shí)對(duì)基板表面硅烷醇形成過程進(jìn)行了研究。

設(shè)計(jì)了一款55vn溝道溝槽型功率器件。通過對(duì)元胞與邊端進(jìn)行理論分析,結(jié)合實(shí)際工藝,對(duì)元胞與邊端進(jìn)行合理優(yōu)化。通過對(duì)流片測(cè)試數(shù)據(jù)的分析,最終實(shí)現(xiàn)擊穿電壓為69.562v、閾值電壓2.85v、特征導(dǎo)通電阻537.8mω·cm2的功率器件設(shè)計(jì)。仿真與流片的擊穿電壓偏差1.5%、閾值電壓偏差2.4%、導(dǎo)通電阻偏差0.83%,器件具有較高的可靠性。

濺射鍍膜技術(shù)采用高能粒子轟擊靶材,濺射出的粒子重新沉積凝聚在固體表面形成薄膜,這種技術(shù)在現(xiàn)代薄膜材料制備過程中得到廣泛應(yīng)用。本文闡述了目前直接利用輝光放電中產(chǎn)生的離子進(jìn)行濺射鍍膜技術(shù)在單原子金屬、半導(dǎo)體材料、絕緣材料、化合物薄膜材料制備工藝的研究進(jìn)展以及展望。

薄壁類零件的加工一直是機(jī)械加工行業(yè)的一道難題,如何選擇正確的裝夾方法和合理的切削用量都對(duì)加工效果起著決定性的作用。如圖1所示,在φ89mm×1mm的不銹鋼管上銑削一條680mm×10mm的直槽

titanpetchem(m)sdn.bhd. (co.no.154990w) (formerlyknownastitanpppolymers(m)sdn.bhd.) productdata titanpropm383 forboppfilm薄膜級(jí)pp characterpolypropylenehomopolymer. thebaseresinmeetstherequirementsoftheu.s.foodanddrugadministrationas specifiedin21cfr177.1520(a)(1)(i)and(c)1.1a.theadjuvantsmeettheir respectivefdaregulationsand21cfr177.15

不需要添加任何催化劑,直接在含有少量ni和cr成分的不銹鋼襯底上,用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(mpcvd)方法沉積碳納米管薄膜.在sem下觀察,生成的碳納米管取向無序,但濃度大、雜質(zhì)含量少、直徑小且分布均勻,其直徑在50-60nm,為多壁碳納米管.raman光譜實(shí)驗(yàn)證實(shí)了此碳納米管中存在大量缺陷.場(chǎng)發(fā)射實(shí)驗(yàn)表明,本樣品的開啟電壓低,電子發(fā)射均勻,發(fā)射電流大.當(dāng)用ito玻璃作陽極且場(chǎng)強(qiáng)為11v/μm時(shí),電流密度可達(dá)到31ma/cm2;當(dāng)用熒光粉包覆的ito玻璃作陽極且場(chǎng)強(qiáng)為6v/μm時(shí),電流密度可達(dá)到1.25ma/cm2,這時(shí)的電子可穩(wěn)定發(fā)射,使該樣品變成良好的電子發(fā)射體.

多晶硅薄膜太陽電池在提高電池效率和大幅度降低成本等方面具有極大潛力。陶瓷材料是高溫路線制備多晶硅薄膜電池最常用的襯底材料之一。本文介紹了陶瓷襯底上多晶硅薄膜的制備方法及其電池結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝,最后綜述了當(dāng)前該領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。

利用直流反應(yīng)磁控濺射在柔性襯底(聚乙烯對(duì)苯二酸脂,pet)上低溫沉積了對(duì)可見光透明的低電阻率的zn_xcd_(1-x)o薄膜,并研究了zn含量x對(duì)zn_xcd_(1-x)o薄膜的結(jié)晶性能、電學(xué)性能及光學(xué)性能的影響.xrd分析結(jié)果表明,當(dāng)x0.65時(shí),薄膜為高度取向的zno結(jié)構(gòu).hall效應(yīng)測(cè)試顯示,當(dāng)x≤0.5時(shí),薄膜的載流子濃度很高,電阻率為10~(-3)ω·cm的數(shù)量級(jí);遷移率隨x增加先增大,在x=0.5處達(dá)到極大值,然后隨x的增加而降低.紫外可見透射譜表明,摻zn后的zn_xcd_(1-x)o薄膜在整個(gè)可見光波段內(nèi)的透過率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于純cdo薄膜的透過率.綜合分析結(jié)果表明,x=0.5是低溫制備的低阻、高透光性能薄膜的最佳zn含量.

以廢棄稻草為原料,采用堿性過氧化氫法提取了稻草中的半纖維素。以木糖醇為增塑劑,羧甲基纖維素鈉(cmc)為共混組分,制備了一系列半纖維素共混薄膜(bf),對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行了紅外光譜(ftir)及x-射線衍射(xrd)分析,并研究了增塑劑及共混組分質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì)半纖維素共混薄膜拉伸性能的影響。結(jié)果表明:適量添加木糖醇和增加cmc質(zhì)量分?jǐn)?shù)均有助于改善半纖維素薄膜的柔韌性。

以正硅酸乙酯(teos)、不同相對(duì)分子量的聚乙二醇(peg)為主要原料,采用溶膠-凝膠法在硼硅酸鹽玻璃板上制備單層sio2減反射薄膜,研究了制備工藝對(duì)薄膜光學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:peg的添加量可以改變薄膜的透過率,當(dāng)peg/teos的摩爾比為50/50時(shí)能達(dá)到最大值。peg1k能將反射率最小值調(diào)整到550nm,從而對(duì)應(yīng)于最高的太陽輻射波長(zhǎng)。