1997年,經(jīng)全國(guó)科學(xué)技術(shù)名詞審定委員會(huì)審定發(fā)布。
《鐵道科學(xué)技術(shù)名詞》第一版。
招標(biāo)人在收到評(píng)標(biāo)報(bào)告之日起三日內(nèi)公布評(píng)標(biāo)結(jié)果。比較大的項(xiàng)目可能時(shí)間會(huì)稍長(zhǎng)一些。一般標(biāo)書中有說明。
1.投標(biāo)截止時(shí)間前五個(gè)工作日或之前的時(shí)間; ?2.公布內(nèi)容: (1)招標(biāo)控制價(jià)總價(jià) (2)分部分項(xiàng)合計(jì)價(jià); (3)措施項(xiàng)目合計(jì)價(jià); (4)規(guī)費(fèi)計(jì)取基數(shù)(按專業(yè))。 ?這是2012標(biāo)準(zhǔn)招標(biāo)文件的規(guī)定。
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評(píng)分: 4.8
1引言在HFC雙向網(wǎng)絡(luò)維護(hù)中,匯聚噪聲及其它各類噪聲干擾一直是不可根除的問題。雖然能通過縮小光節(jié)點(diǎn)覆蓋范圍,提高設(shè)備器件及線纜性能,加強(qiáng)施工工藝等方法使問題得到一定的緩解,但如何進(jìn)一步有效降低噪聲的影響程度,提高回傳通道質(zhì)量,仍然是廣電人探索和追求的目標(biāo)。動(dòng)態(tài)噪聲開關(guān)(DNIS)技術(shù)就是在這種情況下誕生的一種新技術(shù),其通過突發(fā)式的回傳通道開關(guān),有效降低CMTS處、光站處、甚至是樓棟放大器處匯聚的各類侵入干擾噪聲,從而提高整體回傳通道的穩(wěn)定性。
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評(píng)分: 4.5
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:與儀表電路絕緣,通過光隔離器輸出。 應(yīng)用范圍:感應(yīng)器設(shè)計(jì)用來測(cè)量范圍是10mA到50A的直流電。 實(shí)踐經(jīng)驗(yàn):已應(yīng)用。合作方式:技術(shù)轉(zhuǎn)讓,獲準(zhǔn)協(xié)議,成品銷售。
當(dāng)調(diào)頻接收機(jī)輸入載波噪聲比下降到某一特定電平時(shí),輸入信噪比開始急劇下降,產(chǎn)生這種突變的臨界點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的特定電平。
U :上門限,U-:下門限
門限寬度
在nMOSFET晶體管的基體由p類型硅組成,正面地充電流動(dòng)孔作為載體。 當(dāng)正面電壓是應(yīng)用的在門, 電場(chǎng)造成孔從接口被排斥,創(chuàng)造a 勢(shì)壘區(qū)包含固定消極地被充電的接受器離子。 在門電壓的進(jìn)一步增加最終造成電子出現(xiàn)于接口,在什么稱逆溫層,或者渠道。 電子密度在接口同一樣孔密度在中立粒狀材料稱門限電壓歷史的門電壓。 實(shí)際上門限電壓是有足夠的電子在做MOSFET來源之間的一個(gè)低抵抗舉辦的道路和排泄的逆溫層的電壓。
如果門電壓在門限電壓之下,晶體管被關(guān)閉,并且理想地沒有潮流從流失到晶體管的來源。 實(shí)際上,有潮流甚而為門偏心在門限之下(次于最低限度的漏出)潮流,雖然它是小的并且隨門偏心變化指數(shù)地。
如果門電壓在門限電壓之上,晶體管在渠道起動(dòng),由于那里是許多電子在氧化物硅接口,創(chuàng)造低抵抗渠道,潮流可能從流失流動(dòng)到來源。 重大電壓在門限之上,這個(gè)情況被要求強(qiáng)的反向。 渠道逐漸變細(xì),當(dāng) vD > 0 因?yàn)殡妷合侣溆捎诋?dāng)前流動(dòng)在抗拒渠道減少支持渠道的氧化物領(lǐng)域,當(dāng)流失接近。2100433B