中文名 | 晶閘管控制并聯(lián)電抗器 | 外文名 | thyristorswitchedcapacitor |
---|---|---|---|
主要組成 | 反向并聯(lián)晶閘管閥、電容器組、小電抗器 |
晶閘管投切電容器thyristorswitchedcapacitor,TSC
Jingzhaguontouq}edI0nrongqi.用管投切電容器(thyristorswitchedcaPac-itor,TSC)靜止無功補償裝里.晶閘管閥用于電容器的投切操作.該裝t提供的容性電流只能分級調(diào)整.常與固定電抗器或晶閘管控制的電抗器、晶閘管控制的變壓器、飽和電抗器配合在一起使用,以使系統(tǒng)能連續(xù)控制物出電流并使系統(tǒng)的工作范圍能擴大到感性區(qū)。其主要優(yōu)點是:①投切速度快;②投切操作時對系統(tǒng)的沖擊電流小,③有功損耗小;④不產(chǎn)生商次諧波電流。主要缺點是:①向系統(tǒng)提供的無功電流只能作級差變化不能平滑調(diào)節(jié);②正常斷開后晶閘管閥所承受的電壓比TCR閥要高出一倍;③有時發(fā)生諧波放大,影響正常工作。工作原理其結(jié)構(gòu)如圖所示.其中限流電抗器的作用是限制電容器投人時的暫態(tài)涌流和降低主電路的電流上升率,限流電抗器的感抗值約為容抗值的百分之幾.在電源電壓瞬時值最大時,晶閘管閥接受來自控制器發(fā)來的觸發(fā)脈沖而導通,使電容器在電流過零時開始通電,此電流半波將在電容電流再次回零時由晶閘管閥自然關(guān)斷。由于TSC控制器每隔半周波便輪流向晶閘管閥兩個方向的晶悶管發(fā)出整個半周波全導通的觸發(fā)脈沖,所以電容器中流過的電流為連續(xù)正弦波,不含諧波分量。廠尸石「萬氣.丁-一十'矛'幣TSC結(jié)構(gòu)示意圖l一電容器組;2一晶閘管閱;3一限流電杭尋性能比較晶閘管投切電容器型靜止無功補償裝!與用斷路器分組投切(BSC)方式的技術(shù)性能比較如下表。用途TSC適用于主要要求補償感性無功功率且有沖擊性負荷的工業(yè)用戶,用于電力系統(tǒng)需要快速響應,如增加系統(tǒng)對功率振蕩阻尼、電壓控制的場合。當需要較頻繁地投切補償電容器而機械投切設備又不能滿足這種要求時,TSC常常成為首選。TSC也常與TCR或其它種類的補償設備配套使用.發(fā)展概況第一套大型TSC工業(yè)裝里是1972年由瑞典原ASEA公司制造的,容量為60Mvar,安裝在瑞典的一家鋼鐵廠,用于電弧爐功率因數(shù)補償,提高母線電壓的穩(wěn)定度,晶閘管閥的傾定電壓是20kV。1980年ASEA公司又首次把TSC與TCR組配應用,用于南非ESCOM公司平衡由于單相電氣化鐵路負荷引起的三相電壓不對稱問題。中國在平頂山至武漢國內(nèi)第一個500kV輸電工程中,在鳳凰山變電所引進ASEA公司2套TCRTSC型靜補裝置,這是世界上首例這種類型的靜補裝里用于500kV輸電系統(tǒng)。TSC與BSC的技術(shù)比較┌───────┬──────────┬────────────┐│項目│TSC│BSC
晶閘管投切電容器thyristorswitchedcapacitor,TSC
Jingzhaguontouq}edI0nrongqi.用管投切電容器(thyristorswitchedcaPac-itor,TSC)靜止無功補償裝里.晶閘管閥用于電容器的投切操作.該裝t提供的容性電流只能分級調(diào)整.常與固定電抗器或晶閘管控制的電抗器、晶閘管控制的變壓器、飽和電抗器配合在一起使用,以使系統(tǒng)能連續(xù)控制物出電流并使系統(tǒng)的工作范圍能擴大到感性區(qū)。其主要優(yōu)點是:①投切速度快;②投切操作時對系統(tǒng)的沖擊電流小,③有功損耗小;④不產(chǎn)生商次諧波電流。主要缺點是:①向系統(tǒng)提供的無功電流只能作級差變化不能平滑調(diào)節(jié);②正常斷開后晶閘管閥所承受的電壓比TCR閥要高出一倍;③有時發(fā)生諧波放大,影響正常工作。工作原理如下:限流電抗器的作用是限制電容器投人時的暫態(tài)涌流和降低主電路的電流上升率,限流電抗器的感抗值約為容抗值的百分之幾.在電源電壓瞬時值最大時,晶閘管閥接受來自控制器發(fā)來的觸發(fā)脈沖而導通,使電容器在電流過零時開始通電,此電流半波將在電容電流再次回零時由晶閘管閥自然關(guān)斷。由于TSC控制器每隔半周波便輪流向晶閘管閥兩個方向的晶悶管發(fā)出整個半周波全導通的觸發(fā)脈沖,所以電容器中流過的電流為連續(xù)正弦波,不含諧波分量。廠尸石「萬氣.丁-一十’矛‘幣TSC結(jié)構(gòu)示意:1一電容器組;2一晶閘管閱;3一限流電杭尋性能比較晶閘管投切電容器型靜止無功補償裝!與用斷路器分組投切(BSC)方式的技術(shù)性能比較如下表。用途TSC適用于主要要求補償感性無功功率且有沖擊性負荷的工業(yè)用戶,用于電力系統(tǒng)需要快速響應,如增加系統(tǒng)對功率振蕩阻尼、電壓控制的場合。當需要較頻繁地投切補償電容器而機械投切設備又不能滿足這種要求時,TSC常常成為首選。TSC也常與TCR或其它種類的補償設備配套使用.發(fā)展概況第一套大型TSC工業(yè)裝里是1972年由瑞典原ASEA公司制造的,容量為60Mvar,安裝在瑞典的一家鋼鐵廠,用于電弧爐功率因數(shù)補償,提高母線電壓的穩(wěn)定度,晶閘管閥的傾定電壓是20kV。1980年ASEA公司又首次把TSC與TCR組配應用,用于南非ESCOM公司平衡由于單相電氣化鐵路負荷引起的三相電壓不對稱問題。中國在平頂山至武漢國內(nèi)第一個500kV輸電工程中,在鳳凰山變電所引進ASEA公司2套TCRTSC型靜補裝置,這是世界上首例這種類型的靜補裝里用于500kV輸電系統(tǒng)。TSC與BSC的技術(shù)比較┌───────┬──────────┬────────────┐│項目│TSC│BSC2100433B
串聯(lián)電抗器和并聯(lián)電抗器的區(qū)別及使用場合?
串聯(lián)電抗器是為了抑制高次諧波,或者是為了抑制涌流,他是一個抑制的作用,并聯(lián)電抗器呢,是和電容串聯(lián)并聯(lián)在電路里面,不同的參數(shù)設置分為濾波作用和無功補償作用。。。
并聯(lián)電抗器無功補償原理是利用電抗器的感性無功電流抵消線間電容的容性無功電流,從而保證線路的正常運行。電網(wǎng)中的電力負荷如電動機、變壓器等大部分屬于感性負荷,這些感性負載在實際運行中均需向電源索取滯后無功...
高壓并聯(lián)電抗應裝設: (1) 高阻抗差動保護:保護電抗器繞組和套管的相間和接地故障。 (2) 匝間保護:保護電抗器的匝間短路故障。 (3) 瓦斯保護和溫度保護:保護...
格式:pdf
大?。?span id="o6pryof" class="single-tag-height">460KB
頁數(shù): 4頁
評分: 4.5
1 低壓并聯(lián)電抗器作為變電站的重要組成部分,可以補充容性充電功率,吸收無功功率,降低 線損,提高功率因數(shù) ; 削弱空載或輕載時長線的電容效應 ( 弗蘭梯效應 ) ,穩(wěn)定電網(wǎng)的運行電 壓,改善供電質(zhì)量 ; 減少潛供電流,加速潛供電弧的熄滅 ; 有利于消除發(fā)電機的自勵磁 ; 減少 用戶電費開支,降低生產(chǎn)成本 [1 - 4],現(xiàn)已成為變電站無功補償中不可或缺的一部分。同時, 隨著變電站智能化水平的提高, 低壓并聯(lián)電抗器可增加部分在線監(jiān)測功能, 實現(xiàn)狀態(tài)化檢修, 從而節(jié)省設備全壽命成本投資。 1 并聯(lián)電抗器性能比較 現(xiàn)階段,低壓并聯(lián)電抗器多采用干式空心并聯(lián)電抗器和油浸式并聯(lián)電抗器兩種。環(huán)氧包 封式空心并聯(lián)電抗器由于結(jié)構(gòu)簡單、價格低等優(yōu)勢在國內(nèi)獲得廣泛應用,但經(jīng)過長時間的運 行,已出現(xiàn)了許多運行故障,有的被迫停運處理,有的甚至燒毀設備,如圖 1 所示。其燒毀 的主要原因是 : ( 1) 空心電抗
格式:pdf
大?。?span id="5pfu0m1" class="single-tag-height">460KB
頁數(shù): 2頁
評分: 4.5
并聯(lián)電抗器在電力系統(tǒng)中的應用
2016年2月24日,《超高壓分級式可控并聯(lián)電抗器晶閘管閥》發(fā)布。
2016年9月1日,《超高壓分級式可控并聯(lián)電抗器晶閘管閥》實施。
?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動功率、快速的開關(guān)過程和晶閘管的高電壓大電流、低導通壓降的特點結(jié)合起來,也是Bi-MOS器件的一種。一個MCT器件由數(shù)以萬計的MCT元組成,每個元的組成為:一個PNPN晶閘管,一個控制該晶閘管開通的MOSFET,和一個控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。
MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右,硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外,MCT可承受極高的di/dt和du/dt,使得其保護電路可以簡化。MCT的開關(guān)速度超高GTR,開關(guān)損耗也小。
總之,MCT曾一度被認為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此,20世紀80年代以來一度成為研究的熱點。但經(jīng)過十多年的努力,其關(guān)鍵技術(shù)問題沒有大的突破,電壓和電流容量都遠未達到預期的數(shù)值,未能投入實際應用。而其競爭對手IGBT卻進展飛速,所以,目前從事MCT研究的人不是很多。
MOS控制晶閘管是由MOSFET和晶閘管復合而成的一種電力電子器件,它的輸人極由MOS管控制,故屬場控器件。