基本介紹
項目編號Plan Name in Chinese 20110426-T-610
中文項目名稱Plan Name in Chinese 電子薄膜用高純鋁及鋁合金濺射靶材
英文項目名稱Plan Name in English High Purity Aluminum and Aluminum Alloy Sputtering Targets for Electronic Thin Film Application
制\修訂Plan Name in English 制定
被修訂標準號Replaced Standard
采用國際標準Adopted International Standard 無
采用國際標準號Adopted International Standard No
采用程度Application Degree
采標名稱Adopted International Standard Name
標準類別Plan Name in English 產品
國際標準分類號(ICS)
計劃完成年限Suppose to Be Finished Year 2012年
完成時間Achievement Time
所處階段Plan Phase 起草階段
國家標準號Standard No.
備注Remark 國標委綜合[2011]57號
起草單位Drafting Committee 有研億金新材料股份有限公司
主管部門Governor 中國有色金屬工業(yè)協(xié)會
歸口單位Technical Committees 243 全國有色金屬標準化技術委員會
濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異...
完全可以做平板電容的電極和介質,濺射鍍膜是很可控的薄膜,多以可以做高檔電容
濺射靶材主要應用于電子及信息產業(yè),如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等;亦可應用于玻璃鍍膜領域;還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。 分類 根據形狀可分為長靶,...
格式:pdf
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頁數: 未知
評分: 4.4
試樣經堿溶解,鹽酸酸化,以過量的氫氧化鈉分離干擾元素,在弱酸性介質中過量EDTA存在下,將鋁配位,用鉛鹽滴定剩余的EDTA,再以氟化鈉置換出與鋁絡合的EDTA,以鉛鹽滴定置換出來的EDTA,從而求得鋁量。該法簡便,準確度高,適用范圍廣,測定范圍:25%-100%。
本標準規(guī)定了集成電路用高純鈦濺射靶材的術語、定義、基本要求、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則和標志、包裝、運輸、貯存及質量承諾和服務保證。
本標準適用于集成電路中制造電子薄膜用的各類鈦濺射靶材。
主要完成人:
姚力軍(寧波江豐電子材料股份有限公司)
劉慶(重慶大學)
王學澤(寧波江豐電子材料股份有限公司)
周友平(寧波江豐電子材料股份有限公司)
袁海軍(寧波江豐電子材料股份有限公司)
邊逸軍(寧波江豐電子材料股份有限公司)
通常把純度(鋁含量)大于99.8%的純鋁叫做高純鋁(highpurity aluminium).它是以優(yōu)質精鋁為原料,采用定向凝固提煉法生產的。高純鋁又可細分為次超高純鋁(鋁含量99.5%~99.95%)、超高純度鋁(鋁含量99.996%~99.999%)和極高純度鋁(鋁含量99.999%以上)。高純鋁呈銀白色,表面光潔,具有清晰結晶紋,不含有夾雜物。高純鋁具有低的變形抗力、高的電導率及良好的塑性等性能,主要被應用于科學研究、電子工業(yè)、化學工業(yè)及制造高純合金、激光材料及一些其他特殊用途。產品一般以半圓錠或長板錠供貨,每個半圓錠質量不小于45kg.每個長板錠質量不大于25kg,長板錠斷面尺寸一般為200mm*65mm,長度不大于600mm.