半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)基本信息

中文名稱(chēng) 半導(dǎo)體芯片制造技術(shù) 出版社 電子工業(yè)出版社
平裝 152頁(yè) 正文語(yǔ)種 簡(jiǎn)體中文

《半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)》全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)，內(nèi)容包括半導(dǎo)體芯片制造概述、多晶半導(dǎo)體的制備、單晶半導(dǎo)體的制備、晶圓制備、薄膜制備、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積、光刻、刻蝕、摻雜及封裝。書(shū)中簡(jiǎn)要介紹了半導(dǎo)體芯片制造的基本理論基礎(chǔ)，系統(tǒng)介紹了多晶半導(dǎo)體、單晶半導(dǎo)體與晶圓的制備，詳細(xì)介紹了薄膜制備、光刻與刻蝕及摻雜等工藝。由于目前光電產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，對(duì)于化合物半導(dǎo)體的使用越來(lái)越多，《半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)》以半導(dǎo)體硅材料芯片制造為主，兼顧化合物半導(dǎo)體材料芯片制造，比如在介紹薄膜制備工藝中，書(shū)中用單獨(dú)的一章介紹了如何通過(guò)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積來(lái)制備化合物半導(dǎo)體材料薄膜?！栋雽?dǎo)體芯片制造技術(shù)》針對(duì)高職高專(zhuān)學(xué)生的特點(diǎn)，以"實(shí)用為主、夠用為度"為原則，系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)?！栋雽?dǎo)體芯片制造技術(shù)》可作為微電子、光電子、光伏、電子等相關(guān)專(zhuān)業(yè)高職高專(zhuān)的教材，也可作為相關(guān)專(zhuān)業(yè)學(xué)生和技術(shù)人員的自學(xué)參考用書(shū)。

半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢(xún)價(jià)
材料名稱(chēng) 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
寅意制造 H500×W500×D80 型號(hào):YD-G0031 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 13% 廣州三帥光電科技有限公司
半導(dǎo)體指紋頭 品種:指紋鎖;說(shuō)明:標(biāo)配換半導(dǎo)體; 查看價(jià)格 查看價(jià)格

豪力士

 個(gè) 13% 杭州紫辰智能科技有限公司
控制造柜 HDLK-GM-5.5KW/2/兩泵聯(lián)動(dòng)（變頻ABB主要元件正泰） 查看價(jià)格 查看價(jià)格

海德隆

 臺(tái) 13% 上海海德隆流體設(shè)備制造有限公司武漢辦事處
半導(dǎo)體封裝樹(shù)脂用球形氧化鋁 2-90μm/CAP α-Al2O3 查看價(jià)格 查看價(jià)格

天行新材料

 kg 13% 南京天行納米新材料有限公司
控制器組網(wǎng)芯片 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 13% 四川久遠(yuǎn)智能監(jiān)控有限責(zé)任公司昆明辦事
半導(dǎo)體量子阱型路燈 DLZL-130(130W/220V) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 13% 珠海市得意節(jié)能科技有限公司
半導(dǎo)體量子阱型筒燈 DLZT-003(3W/220V） 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 13% 珠海市得意節(jié)能科技有限公司
半導(dǎo)體量子阱型路燈 DLZL-066(66W/220V) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 13% 珠海市得意節(jié)能科技有限公司
材料名稱(chēng) 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
自動(dòng)洗片機(jī) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 韶關(guān)市2010年8月信息價(jià)
X光片脫水烘干機(jī) ZTH-340 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 韶關(guān)市2010年8月信息價(jià)
自發(fā)電一體焊機(jī) 305A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 韶關(guān)市2010年8月信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2011年4季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2011年2季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 廣州市2011年1季度信息價(jià)
二氧化碳?xì)?font color='red'>體保護(hù)焊機(jī) 電流250A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2011年1季度信息價(jià)
材料名稱(chēng) 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
半導(dǎo)體陶瓷 將面板旋轉(zhuǎn)到任一半導(dǎo)體上,旋轉(zhuǎn)按鈕縮小、放大,觀察陶瓷.|1項(xiàng) 1 查看價(jià)格 鴻瑞工美(深圳)實(shí)業(yè)有限公司 全國(guó)   2022-10-24
半導(dǎo)體陶瓷 將面板旋轉(zhuǎn)到任一半導(dǎo)體上,旋轉(zhuǎn)按鈕縮小、放大,觀察陶瓷.|1項(xiàng) 1 查看價(jià)格 合肥金諾數(shù)碼科技股份有限公司 全國(guó)   2022-09-14
半導(dǎo)體陶瓷 將面板旋轉(zhuǎn)到任一半導(dǎo)體上,旋轉(zhuǎn)按鈕縮小、放大,觀察陶瓷.|1項(xiàng) 1 查看價(jià)格 安徽東一特電子技術(shù)有限公司 全國(guó)   2022-09-16
半導(dǎo)體陶瓷 將面板旋轉(zhuǎn)到任一半導(dǎo)體上,旋轉(zhuǎn)按鈕縮小、放大,觀察陶瓷.|1項(xiàng) 1 查看價(jià)格 安徽盛鴻展覽工程有限公司 全國(guó)   2022-08-15
系統(tǒng)芯片 :(Vcc/Vdd)1.81V - 2V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D: 16x12b振蕩器類(lèi)型:內(nèi)部工作溫度:-40°C - 125°C(TA)|20個(gè) 1 查看價(jià)格 深圳市芯航國(guó)際電子有限公司 全國(guó)   2022-08-09
RFID芯片 工作頻率:915±45MHz|10600個(gè) 1 查看價(jià)格 深圳市奧斯達(dá)電子有限公司 全國(guó)   2018-08-21
信息芯片 DS1990A-F5|5926臺(tái) 1 查看價(jià)格 上海格瑞特科技實(shí)業(yè)有限公司 上海  上海市 2015-07-15
DSP芯片卡 1、DSP資源擴(kuò)展卡2、含2個(gè)DSP芯片3、處理芯片運(yùn)算能力不劣于800MHz|1塊 1 查看價(jià)格 廣州市熹尚科技設(shè)備有限公司 全國(guó)   2020-05-11

第1章 半導(dǎo)體芯片制造概述 (1)

1.1 半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展概述 (1)

1.2 半導(dǎo)體材料基礎(chǔ) (3)

1.2.1 半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì) (3)

1.2.2 半導(dǎo)體材料分類(lèi) (4)

1.2.3 晶體 (6)

1.3 半導(dǎo)體生產(chǎn)污染控制 (9)

1.3.1 污染物的種類(lèi) (9)

1.3.2 污染物引起的問(wèn)題 (9)

1.3.3 超凈間的建設(shè) (10)

1.3.4 超凈間標(biāo)準(zhǔn) (11)

1.3.5 超凈間的維護(hù) (12)

1.4 純水的制備 (12)

1.4.1 純水在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的應(yīng)用 (12)

1.4.2 離子交換制備純水 (13)

1.4.3 水的純度測(cè)量 (15)

小結(jié) (15)

第2章 多晶半導(dǎo)體的制備 (16)

2.1 工業(yè)硅的生產(chǎn) (16)

2.1.1 硅的簡(jiǎn)介 (16)

2.1.2 工業(yè)硅的制備 (16)

2.2 三氯氫硅還原制備高純硅 (17)

2.2.1 原料的制備 (17)

2.2.2 三氯氫硅的合成及提純 (18)

2.2.3 三氯氫硅還原 (20)

2.2.4 還原尾氣干法分離回收 (21)

2.3 硅烷熱分解法制備高純硅 (21)

2.3.1 硅烷概述 (21)

2.3.2 硅烷的制備及提純 (22)

2.3.3 硅烷熱分解 (22)

小結(jié) (23)

第3章 單晶半導(dǎo)體的制備 (24)

3.1 單晶硅的基本知識(shí) (24)

3.1.1 晶體的熔化和凝固 (24)

3.1.2 結(jié)晶過(guò)程的宏觀特征 (25)

3.1.3 結(jié)晶過(guò)程熱力學(xué) (25)

3.1.4 晶核的形成 (25)

3.1.5 二維晶核的形成 (27)

3.1.6 晶體的長(zhǎng)大 (27)

3.2 直拉法制備單晶硅的設(shè)備及材料 (28)

3.2.1 直拉法制備單晶硅的設(shè)備 (28)

3.2.2 直拉單晶硅前的材料準(zhǔn)備 (31)

3.2.3 直拉單晶硅前的材料清潔處理 (34)

3.3 直拉單晶硅的工藝流程 (35)

3.3.1 裝爐前的準(zhǔn)備 (35)

3.3.2 裝爐 (35)

3.3.3 熔硅 (35)

3.3.4 引晶 (36)

3.3.5 縮頸 (37)

3.3.6 放肩和轉(zhuǎn)肩 (37)

3.3.7 等徑生長(zhǎng) (37)

3.3.8 收尾 (38)

3.3.9 停爐 (38)

3.4 拉單晶過(guò)程中的異常情況及晶棒檢測(cè) (38)

3.4.1 拉單晶過(guò)程中的異常情況 (38)

3.4.2 晶棒檢測(cè) (40)

3.4.3 硅晶體中雜質(zhì)的均勻性分析 (41)

3.5 懸浮區(qū)熔法制備單晶硅 (45)

3.6 化合物半導(dǎo)體單晶的制備 (47)

3.6.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶的制備 (47)

3.6.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體單晶的制備 (49)

小結(jié) (50)

第4章 晶圓制備 (51)

4.1 晶圓制備工藝 (51)

4.1.1 截?cái)?(51)

4.1.2 直徑滾磨 (51)

4.1.3 磨定位面 (52)

4.1.4 切片 (52)

4.1.5 磨片 (54)

4.1.6 倒角 (55)

4.1.7 拋光 (55)

4.2 晶圓的清洗、質(zhì)量檢測(cè)及包裝 (58)

4.2.1 晶圓的清洗 (58)

4.2.2 晶圓的質(zhì)量檢測(cè) (59)

4.2.3 包裝 (60)

4.2.4 追求更大直徑晶圓的原因 (60)

小結(jié) (61)

第5章 薄膜制備 (62)

5.1 氧化法制備二氧化硅膜 (62)

5.1.1 二氧化硅的性質(zhì) (62)

5.1.2 二氧化硅的作用 (63)

5.1.3 熱氧化法制備二氧化硅膜 (63)

5.1.4 二氧化硅膜的檢測(cè) (65)

5.2 化學(xué)氣相沉積法制備薄膜 (67)

5.2.1 化學(xué)氣相沉積概述 (67)

5.2.2 化學(xué)氣相沉積的主要反應(yīng)類(lèi)型 (67)

5.2.3 化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的激活能 (69)

5.2.4 幾種薄膜的CVD制備 (70)

5.3 物理氣相沉積法制備薄膜 (71)

5.4 金屬化及平坦化 (72)

5.4.1 金屬化 (72)

5.4.2 平坦化 (74)

小結(jié) (76)

第6章 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積 (77)

6.1 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積概述 (77)

6.1.1 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)介 (77)

6.1.2 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積反應(yīng)機(jī)理 (77)

6.2 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備 (80)

6.2.1 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的組成 (80)

6.2.2 典型設(shè)備的介紹 (81)

6.3 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積工藝控制和半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng) (85)

6.4 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的半導(dǎo)體薄膜質(zhì)量檢測(cè) (87)

6.4.1 X射線衍射 (87)

6.4.2 光致發(fā)光 (87)

6.4.3 原子力顯微鏡 (88)

6.4.4 掃描電子顯微鏡 (89)

6.4.5 Hall效應(yīng)測(cè)試 (89)

小結(jié) (89)

第7章 光刻 (90)

7.1 光刻概述 (90)

7.1.1 光刻的特點(diǎn)及要求 (90)

7.1.2 光刻膠 (91)

7.1.3 光刻板 (93)

7.1.4 曝光方式 (93)

7.2 光刻工藝 (96)

7.2.1 光刻前的晶圓處理 (96)

7.2.2 涂光刻膠 (97)

7.2.3 前烘 (98)

7.2.4 對(duì)準(zhǔn) (99)

7.2.5 曝光 (100)

7.2.6 顯影 (102)

7.2.7 檢查 (104)

7.2.8 堅(jiān)膜 (105)

7.2.9 刻蝕 (105)

7.2.10 去膠 (105)

小結(jié) (106)

第8章 刻蝕 (107)

8.1 刻蝕技術(shù)概述 (107)

8.1.1 刻蝕技術(shù)的發(fā)展 (107)

8.1.2 刻蝕工藝 (107)

8.1.3 刻蝕參數(shù) (108)

8.1.4 超大規(guī)模集成電路對(duì)圖形轉(zhuǎn)移的要求 (110)

8.2 干法刻蝕 (111)

8.2.1 刻蝕作用 (112)

8.2.2 電勢(shì)分布 (113)

8.3 等離子體刻蝕 (114)

8.3.1 等離子體的形成 (114)

8.3.2 常見(jiàn)薄膜的等離子刻蝕 (115)

8.3.3 等離子體刻蝕設(shè)備 (119)

8.4 反應(yīng)離子刻蝕與離子束濺射刻蝕 (120)

8.4.1 反應(yīng)離子刻蝕 (120)

8.4.2 離子束濺射刻蝕 (121)

8.5 濕法刻蝕 (122)

8.5.1 硅的濕法刻蝕 (122)

8.5.2 二氧化硅的濕法刻蝕 (123)

8.5.3 氮化硅的濕法刻蝕 (124)

8.5.4 鋁的濕法刻蝕 (124)

小結(jié) (125)

第9章 摻雜 (126)

9.1 熱擴(kuò)散 (126)

9.1.1 擴(kuò)散概述 (126)

9.1.2 擴(kuò)散形式 (126)

9.1.3 常用雜質(zhì)的擴(kuò)散方法 (127)

9.1.4 雜質(zhì)擴(kuò)散后結(jié)深和方塊電阻的測(cè)量 (128)

9.2 離子注入技術(shù) (131)

9.2.1 離子注入技術(shù)概述 (131)

9.2.2 離子注入設(shè)備 (132)

9.2.3 注入離子的濃度分布與退火 (134)

小結(jié) (136)

第10章 封裝 (137)

10.1 封裝概述 (137)

10.1.1 封裝的作用 (137)

10.1.2 封裝的分類(lèi) (137)

10.1.3 常見(jiàn)的封裝形式 (138)

10.2 封裝工藝 (139)

10.2.1 封裝工藝流程 (139)

10.2.2 封裝材料 (140)

10.3 互連方法 (142)

10.3.1 引線鍵合 (142)

10.3.2 載帶自動(dòng)鍵合 (144)

10.3.3 倒裝芯片 (146)

10.4 先進(jìn)封裝方法 (149)

10.4.1 多芯片組件 (149)

10.4.2 三維封裝 (149)

10.4.3 芯片尺寸封裝 (150)

10.4.4 系統(tǒng)級(jí)封裝 (151)

小結(jié) (151)

參考文獻(xiàn) (152)

書(shū)名:半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)

出版社: 電子工業(yè)出版社; 第1版 (2012年2月1日)

叢書(shū)名: 工業(yè)和信息產(chǎn)業(yè)職業(yè)教育教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)"十二五"規(guī)劃教材,高等職業(yè)教育規(guī)劃教材·微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)系列

平裝: 152頁(yè)

正文語(yǔ)種: 簡(jiǎn)體中文

開(kāi)本: 16

isbn: 9787121153969, 7121153963

條形碼: 9787121153969

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半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)常見(jiàn)問(wèn)題

半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)文獻(xiàn)

半導(dǎo)體芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)與工藝博士生培養(yǎng)方案 半導(dǎo)體芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)與工藝博士生培養(yǎng)方案

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1 / 6 半導(dǎo)體芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)與工藝博士生培養(yǎng)方案 （專(zhuān)業(yè)代碼： 授 工學(xué) 學(xué)位） 一、培養(yǎng)目標(biāo) ．培養(yǎng)嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)的科學(xué)態(tài)度和作風(fēng)，具有創(chuàng)新精神和良好的科研道德； ．具有堅(jiān)實(shí)、寬廣的基礎(chǔ)理論和系統(tǒng)、深入的專(zhuān)門(mén)知識(shí)； ．在本學(xué)科或?qū)ｉT(mén)技術(shù)上做出創(chuàng)造性的成果； ．具有獨(dú)立從事科學(xué)研究工作的能力。 二、研究方向 ．集成電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu) ．嵌入式系統(tǒng)與系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì) ．微傳感器與微執(zhí)行器 ．小尺寸半導(dǎo)體器件 ．半導(dǎo)體芯片封裝與測(cè)試 ．集成電路工藝 三、學(xué)習(xí)年限 ．實(shí)行彈性學(xué)制 全日制博士生的學(xué)習(xí)年限一般為－年。博士生畢業(yè)時(shí)間由博士 生導(dǎo)師決定。 提前答辯的博士研究生必須向系提出書(shū)面申請(qǐng)， 并經(jīng)主管系主任批準(zhǔn)。 對(duì) 于在規(guī)定時(shí)間內(nèi)未完成博士學(xué)位論文的博士研究生，則作肄業(yè)處理。 ．碩博連讀和直攻博士生的學(xué)習(xí)年限一般為－年。 四、學(xué)分要求與分配一覽表： 已獲碩士學(xué)位博士生總學(xué)分要求≥學(xué)分。碩博連讀、直攻博研究

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多芯片半導(dǎo)體激光器光纖耦合設(shè)計(jì) 多芯片半導(dǎo)體激光器光纖耦合設(shè)計(jì)

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應(yīng)用ZEMAX光學(xué)設(shè)計(jì)軟件模擬了一種多芯片半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊,將12支808nm單芯片半導(dǎo)體激光器輸出光束耦合進(jìn)數(shù)值孔徑0.22、纖芯直徑105μm的光纖中,每支半導(dǎo)體激光器功率10 W,光纖輸出端面功率達(dá)到116.84W,光纖耦合效率達(dá)到97.36%,亮度達(dá)到8.88MW/(cm2·sr)。通過(guò)ZEMAX和ORIGIN軟件分析了光纖對(duì)接出現(xiàn)誤差以及單芯片半導(dǎo)體激光器安裝出現(xiàn)誤差時(shí)對(duì)光纖耦合效率的影響,得出誤差對(duì)光纖耦合效率影響的嚴(yán)重程度從大到小分別為垂軸誤差、軸向誤差、角向誤差。

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