DRAM

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))

DRAM基本信息

中文名稱 DRAM 外文名稱 DRAM
拼音 DRAM 類別 磁卡

DRAM造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
(除稅)
工程建議價
(除稅)
行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
路由器 CISCO1921/K9技術參數(shù):C1921 Modular Router, 2 GE, 2 EHWIC slots, 512DRAM, IP Base; 查看價格 查看價格

思科

13% 武漢銀河嘉華科技發(fā)展有限公司
路由器 CISCO1941/K9技術參數(shù):Cisco 1941 w/2 GE,2 EHWIC slots,256MB CF,512MB DRAM,IP Base; 查看價格 查看價格

思科

13% 武漢銀河嘉華科技發(fā)展有限公司
路由器 CISCO2901/K9技術參數(shù):Cisco 2901 w/2 GE,4 EHWIC,2 DSP,256MB CF,512MB DRAM,IP Base; 查看價格 查看價格

思科

13% 武漢銀河嘉華科技發(fā)展有限公司
路由器 CISCO2921/K9技術參數(shù):Cisco 2921 w/3 GE,4 EHWIC,3 DSP,1 SM,256MB CF,512MB DRAM,IPB; 查看價格 查看價格

思科

13% 武漢銀河嘉華科技發(fā)展有限公司
路由器 1.名稱:路由器2.規(guī)格:3個板載 GE端口 ,4 個EHWIC插槽,DSP插槽,256MB CF卡,512MB DRAM,支持IPv4,I 查看價格 查看價格

新華三

13% 河北亞特爾信息技術有限公司
路由器 CISCO2911/K9技術參數(shù):Cisco 2911 w/3 GE,4 EHWIC,2 DSP,1 SM,256MB CF,512MB DRAM,IPB; 查看價格 查看價格

思科

13% 武漢銀河嘉華科技發(fā)展有限公司
材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價
含稅
信息價
行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
暫無數(shù)據(jù)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
(元)
供應商 報價地區(qū) 最新報價時間
路由器、總網(wǎng)絡交換機 MPC860 160MHZ/DRAM 、 WS-C3750G-16TD-E|0臺 1 查看價格 東莞科德電子有限公司 廣東  東莞市 2009-09-08
無線網(wǎng)橋 不低于64MB DRAM,不低于8MB Flash;PoE供電;|15副 1 查看價格 廣州帝視尼電子有限公司 全國   2020-07-09
路由器支持VPN功能 3個板載GE端口,4個EHWIC插槽,256MB,CF卡512MB,DRAM,支持IPV4/IPV6,L2和L3VPN,帶防火墻|1臺 3 查看價格 廣州康邁通信科技有限公司 四川  成都市 2020-07-02
路由器 產(chǎn)品類型:企業(yè)級路由器;局域網(wǎng)接口:2個千兆以太電口;處理器:RISC新一代處理器533MHz;DRAM內(nèi)存:1024MB;控制端口:Console;擴展插槽:11個;包轉發(fā)率:200KPPS|1臺 1 查看價格 上海天苑信息科技有限公司 全國   2017-12-08
學生電腦(科學實驗室1室-探究型) 處理器: New Core New Pentium Dual Core G3240(3.1G/3M/2核) 或以上CPU, 內(nèi)存:1×2GB DDR3 Synch DRAM 2 個 DImm 插槽 ,硬盤:500GB 7200rpm 光驅:DVD,顯卡: 集成顯卡|7臺 3 查看價格 廣東廣視通科教設備有限公司    2014-12-29
路由器 DRAM內(nèi)存512MBFLASH內(nèi)存512MB轉發(fā)性能 2mpps固定端口 4GE+1×GE光,8GE(支持切換成WAN口)槽位 2×SIC支持管理12個AP|1臺 1 查看價格 北京中致遠郵科技有限公司 廣東   2021-08-18
無線接入交換機(民興苑、文瀾苑、祥瀾苑) POE供電交換機24口24個以太網(wǎng)10/100Mbps端口,背板帶寬32Gbps,包轉發(fā)率6.5Mpps, DRAM內(nèi)存:128MB, FLASH內(nèi)存:16MB,2個SFP上行鏈路端口|3臺 1 查看價格 廣州中贏電子科技有限公司 廣東  深圳市 2016-11-04
路由器 應用層級:三層內(nèi)存:128 MB DRAM和32 MB閃存?zhèn)鬏斔俾?10Mbps/100Mbps/1000Mbps網(wǎng)絡標準: IEEE 802.3, 802.3u, 802.3z, 802.3ab端口結構:非模塊化端口數(shù)量:48個+ 2個多模光纖接口|1臺 1 查看價格 河北諾創(chuàng)通信設備科技有限公司    2015-06-02

DRAM常見問題

  • RAM中文什么意思?

    隨機存取存儲器 存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容,故主要用于存儲短時間使用的程序。 RAM ROM 內(nèi)存的區(qū)別 r...

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DRAM文獻

英飛凌將90納米DRAM溝槽技術轉讓于中芯國際 英飛凌將90納米DRAM溝槽技術轉讓于中芯國際

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英飛凌科技公司(Infineon)和中芯國際(SMIC)近日簽署合作協(xié)議,將進一步擴展在DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)領域中的現(xiàn)有合作,開始90納米標準的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。

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英飛凌將90納米DRAM溝槽技術轉讓于中芯國際 英飛凌將90納米DRAM溝槽技術轉讓于中芯國際

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評分: 4.7

英飛凌科技公司(Infineon)和中芯國際(SMIC)近日簽署合作協(xié)議,將進一步擴展在DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)領域中的現(xiàn)有合作,開始90納米標準的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。

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所有的DRAM基本單位都是由一個晶體管和一個電容器組成。

電容器的狀態(tài)決定了這個DRAM單位的邏輯狀態(tài)是1還是0,但是電容的被利用的這個特性也是它的缺點。一個電容器可以存儲一定量的電子或者是電荷。一個充電的電容器在數(shù)字電子中被認為是邏輯上的1,而"空"的電容器則是0。電容器不能持久的保持儲存的電荷,所以內(nèi)存需要不斷定時刷新,才能保持暫存的數(shù)據(jù)。電容器可以由電流來充電--當然這個電流是有一定限制的,否則會把電容擊穿。同時電容的充放電需要一定的時間,雖然對于內(nèi)存基本單位中的電容這個時間很短,只有大約0.2-0.18微秒,但是這個期間內(nèi)存是不能執(zhí)行存取操作的。

DRAM制造商的一些資料中顯示,內(nèi)存至少要每64ms刷新一次,這也就意味著內(nèi)存有1%的時間要用來刷新。內(nèi)存的自動刷新對于內(nèi)存廠商來說不是一個難題,而關鍵在于當對內(nèi)存單元進行讀取操作時保持內(nèi)存的內(nèi)容不變--所以DRAM單元每次讀取操作之后都要進行刷新:執(zhí)行一次回寫操作,因為讀取操作也會破壞內(nèi)存中的電荷,也就是說對于內(nèi)存中存儲的數(shù)據(jù)是具有破壞性的。所以內(nèi)存不但要每64ms刷新一次,每次讀操作之后也要刷新一次。這樣就增加了存取操作的周期,當然潛伏期也就越長。 SRAM,靜態(tài)(Static)RAM不存在刷新的問題,一個SRAM基本單元包括4個晶體管和2個電阻。它不是通過利用電容充放電的特性來存儲數(shù)據(jù),而是利用設置晶體管的狀態(tài)來決定邏輯狀態(tài)--同CPU中的邏輯狀態(tài)一樣。讀取操作對于SRAM不是破壞性的,所以SRAM不存在刷新的問題。

SRAM不但可以運行在比DRAM高的時鐘頻率上,而且潛伏期比DRAM短的多。SRAM僅僅需要2到3個時鐘周期就能從CPU緩存調入需要的數(shù)據(jù),而DRAM卻需要3到9個時鐘周期(這里我們忽略了信號在CPU、芯片組和內(nèi)存控制電路之間傳輸?shù)臅r間)。

在有機處理器被展示的大會上,研究人員展示了首個印刷有機DRAM存儲器(動態(tài)隨機存儲器),大多數(shù)電腦都是用這種存儲器和處理器一起工作用于短期數(shù)據(jù)存儲。通過噴霧器的噴嘴噴出有機“油墨”層來制作24平方微米大小的存儲器陣列,可以存儲64位的信息。

之前的印刷存儲器是非揮發(fā)的,也就是說,即使斷電,它也會保存數(shù)據(jù),這不適合包括了頻繁讀寫和改寫操作的短期存儲。明尼蘇達的研究小組能夠印刷DRAM是因為他們設計了一種印刷有機晶體管,使用離子凝膠絕緣物質隔離電極。

內(nèi)部的離子較之傳統(tǒng)的非離子絕緣體可以使凝膠層存儲更多的電荷。這強調了限制有機存儲器發(fā)展的兩個問題。凝膠的電荷存儲能力降低了操作晶體管和由其構成的存儲器所需的功率;也使得存儲器中用來表示1和0的電荷等級變得明顯,并可以在不需要存儲器刷新的情況下持續(xù)一分鐘之久。

有機印刷DRAM可用于由印刷有機LED構成的顯示器中圖像幀的短期存儲。這使得更多的設備可以用印刷方法來制造,拋棄一些硅組件,并降低成本。

把有機微處理器和存儲器結合起來的方法可以降低成本,盡管張偉說這兩者還不能連接。但是在將來,這是可行的。

首個塑料半導體計算機處理器和存儲器芯片的誕生表明,有一天,計算機的影響將無處不在。

處理器:125MHz

DRAM內(nèi)存:2MB

Flash內(nèi)存:512KB

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