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根據(jù)SiC電阻的伏安特性及滅磁回路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在理想情況下對勵(lì)磁電流與滅磁時(shí)間的函數(shù)關(guān)系進(jìn)行了推導(dǎo)并給出了SiC電阻耗能公式,分別對空載誤強(qiáng)勵(lì)和機(jī)端三相短路兩種極端滅磁工況的滅磁電阻耗能作出了理論分析,依據(jù)計(jì)算結(jié)果提出滅磁電阻容量配置應(yīng)重點(diǎn)考慮第二種工況。
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巨磁電阻傳感特性是物理實(shí)驗(yàn)教學(xué)關(guān)注點(diǎn),而且認(rèn)為其近似線性工作區(qū)適用于弱磁場測量.傳感器測量定標(biāo)是一項(xiàng)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶?shí)驗(yàn)工作,針對惠斯通電橋結(jié)構(gòu)的巨磁電阻傳感特性,采用線性擬合屬于半定量標(biāo)定.使用周期磁場調(diào)制并結(jié)合鎖相放大技術(shù),由微分測量實(shí)驗(yàn)值直觀地描述曲線斜率變化,從而理解分段線性插值是常用有效的傳感定標(biāo)方法.通過對數(shù)據(jù)擬合和微分測量技術(shù)比較,不僅體現(xiàn)不同分析方案的原理共性,也展示了基于實(shí)驗(yàn)事實(shí)的技術(shù)方法更符合物理實(shí)驗(yàn)教學(xué)需要.