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氧化鋅材料是新一代寬禁帶光電子半導(dǎo)體材料,我們通過等離子體分子束外延設(shè)備,在a-plane的藍寶石襯底生長了高質(zhì)量的氧化鋅外延材料.在生長過程中用反射高能電子束衍射儀(RHEED),在位地研究了生長時材料薄膜的表面形貌.通過調(diào)節(jié)ZnMgO材料鎂的組份,生長了禁帶寬度可調(diào)的寬禁帶材料.用紫外-可見透射光譜研究了ZnO,Zn0.89Mg0.11O和Zn0.80Mg0.20薄膜材料的透射和吸收光譜性質(zhì),觀察到Zn0.89Mg0.11O,Zn0.80Mg0.20材料的吸收邊的藍移現(xiàn)象等.以上說明了我們用分子束外延生長設(shè)備成功的生長了高質(zhì)量的氧化鋅和組份漸變的ZnMgO薄膜材料.
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氧化鋅材料是新一代寬禁帶光電子半導(dǎo)體材料,我們通過等離子體分子束外延設(shè)備,在a-plane的藍寶石襯底生長了高質(zhì)量的氧化鋅外延材料.在生長過程中用反射高能電子束衍射儀(RHEED),在位地研究了生長時材料薄膜的表面形貌.通過調(diào)節(jié)ZnMgO材料鎂的組份,生長了禁帶寬度可調(diào)的寬禁帶材料.用紫外-可見透射光譜研究了ZnO,Zn0.89Mg0.11O和Zn0.80Mg0.20薄膜材料的透射和吸收光譜性質(zhì),觀察到Zn0.89Mg0.11O,Zn0.80Mg0.20材料的吸收邊的藍移現(xiàn)象等.以上說明了我們用分子束外延生長設(shè)備成功的生長了高質(zhì)量的氧化鋅和組份漸變的ZnMgO薄膜材料.
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