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更新時(shí)間：2025.04.19
集成穩(wěn)壓器中基準(zhǔn)電壓源模塊的研究與設(shè)計(jì)

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基準(zhǔn)電壓源是集成穩(wěn)壓器的一個(gè)核心模塊,它是影響集成穩(wěn)壓器精度的最主要因素,其中的帶隙基準(zhǔn)源具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。文章對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源的研究將基于數(shù)字CMOS工藝,先通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)和現(xiàn)有的帶隙基準(zhǔn)電壓源的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行分析和計(jì)算,明確帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)方向和設(shè)計(jì)難點(diǎn);然后利用選定的工藝線器件模型,對(duì)電路進(jìn)行設(shè)計(jì);最后通過(guò)反復(fù)進(jìn)行HSPICE仿真模擬,對(duì)電路進(jìn)行改進(jìn),使電路性能達(dá)到所要求的指標(biāo)。

5×10~(-6)/℃的帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

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在傳統(tǒng)一級(jí)溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上,對(duì)電路進(jìn)行了改進(jìn),實(shí)現(xiàn)二級(jí)溫度補(bǔ)償,該電路可以在-40～115℃范圍內(nèi),達(dá)到平均低于5×10-6/℃的溫度系數(shù)。整個(gè)電路采用Chartered0.35μmCMOS工藝實(shí)現(xiàn),使用Hspice仿真器進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果證明此基準(zhǔn)電壓源具有很低的溫度系數(shù)。

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