rc吸收電路原理

為了限制電路電壓上升率過(guò)大，確保晶閘管安全運(yùn)行，常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖陔姼械?變壓器漏感或負(fù)載電感)，所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過(guò)渡過(guò)程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過(guò)電壓損壞晶閘管。同時(shí)，避免電容器通過(guò)晶閘管放電電流過(guò)大，造成過(guò)電流而損壞晶閘管。

由于晶閘管過(guò)流過(guò)壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是常用的保護(hù)方法之一。

若開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，蓄積在寄生電感中能量對(duì)開(kāi)關(guān)的寄生電容充電的同時(shí)，通過(guò)吸 收電阻對(duì)吸收電容充電。由于吸收電阻作用，阻抗變大，那么，吸收電容也等效地增加了開(kāi)關(guān)的并聯(lián)電容容量，為此，抑制開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的電壓浪涌。開(kāi)關(guān)接通時(shí)，吸收 電容通過(guò)開(kāi)關(guān)放電，其放電電流被吸收電阻所限制。

電容的選擇

C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×If

If=0.367Id

Id-直流電流值

如果整流側(cè)采用500A的晶閘管(可控硅)

可以計(jì)算C=(2.5-5)×10的負(fù)8次方×500=12.5-25uF

選用25uF，1kv 的電容器

電阻的選擇：

R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56

選擇10歐

PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負(fù)12次方×R)2

Pfv=2u(1.5-2.0)

u=三相電壓的有效值

阻容吸收回路在實(shí)際應(yīng)用中，RC的時(shí)間常數(shù)一般情況下取1~10毫秒。

小功率負(fù)載通常取2毫秒左右，R=220歐姆1W，C=0.01微法400~630V。

大功率負(fù)載通常取10毫秒，R=10歐姆10W，C=1微法630~1000V。

R的選?。盒」β蔬x金屬膜或RX21線繞或水泥電阻；大功率選RX21線繞或水泥電阻。

C的選?。篊BB系列相應(yīng)耐壓的無(wú)極性電容器。

看保護(hù)對(duì)象來(lái)區(qū)分：接觸器線圈的阻尼吸收和小于10A電流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范疇；接觸器觸點(diǎn)和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范疇。2100433B

（1）RC 串聯(lián)電路

電路的特點(diǎn)：由于有電容存在不能流過(guò)直流電流，電阻和電容都對(duì)電流存在阻礙作用，其總阻抗由電阻和容抗確定，總阻抗隨頻率變化而變化。RC 串聯(lián)有一個(gè)轉(zhuǎn)折頻率： f0=1/2πR1C1 　當(dāng)輸入信號(hào)頻率大于 f0 時(shí)，整個(gè) RC 串聯(lián)電路總的阻抗基本不變了，其大小等于 R1。

（2）RC 并聯(lián)電路

RC 并聯(lián)電路既可通過(guò)直流又可通過(guò)交流信號(hào)。它和 RC 串聯(lián)電路有著同樣的轉(zhuǎn)折頻率：f0=1/2πR1C1。 當(dāng)輸入信號(hào)頻率小于f0時(shí)，信號(hào)相對(duì)電路為直流，電路的總阻抗等于 R1；當(dāng)輸入信號(hào)頻率大于f0 時(shí) C1 的容抗相對(duì)很小，總阻抗為電阻阻值并上電容容抗。當(dāng)頻率高到一定程度后總阻抗為 0。

（3）RC 串并聯(lián)電路

RC 串并聯(lián)電路存在兩個(gè)轉(zhuǎn)折頻率f01 和 f02: 　f01=1/2πR2C1, f02=1/2πC1*[R1*R2/(R1 R2)] 　當(dāng)信號(hào)頻率低于 f01 時(shí)，C1 相當(dāng)于開(kāi)路，該電路總阻抗為 R1 R2。

當(dāng)信號(hào)頻率高于 f02 時(shí)，C1 相當(dāng)于短路，此時(shí)電路總阻抗為 R1。

當(dāng)信號(hào)頻率高于 f01 低于 f02 時(shí)，該電路總阻抗在 R1 R2 到R1之間變化。