《靜電紡絲技術(shù)與無機(jī)納米材料合成》,本書在簡要介紹靜電紡絲技術(shù)基本原理的基礎(chǔ)上,系統(tǒng)介紹了靜電紡絲技術(shù)在無機(jī)物納米材料合成領(lǐng)域中的應(yīng)用,包括氧化物體系、硫化物體系和氟化物體系;就材料的應(yīng)用而言,涵蓋光學(xué)、半導(dǎo)體、鋰離子電池、生物等領(lǐng)域。
第1章 靜電紡絲技術(shù)與一維納米材料概論
1.1 一維納米材料的性能
1.2 一維納米材料的制備
1.2.1 靜電紡絲技術(shù)的發(fā)展歷史
1.2.2 靜電紡絲原理
1.2.3 靜電紡絲裝置
1.3 納米纖維的應(yīng)用
1.4 靜電紡絲的研究意義及存在的問題
參考文獻(xiàn)
第2章 靜電紡絲技術(shù)合成鋰離子電池正極材料
2.1 幾種鋰離子二次電池正極材料
2.2 LiFePO4簡介
2.2.1 LiFePO4的結(jié)構(gòu)和基本性能
2.2.2 合成與改性方法
2.3 LiFePO4納米纖維的靜電紡絲技術(shù)合成與電性能
2.3.1 LiFePO4納米纖維的靜電紡絲技術(shù)合成
2.3.2 結(jié)構(gòu)與性能分析
2.4 LiFePO4納米帶的靜電紡絲技術(shù)合成與電化學(xué)性能
2.4.1 LiFePO4納米帶的靜電紡絲技術(shù)合成
2.4.2 結(jié)果與討論
2.5 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 靜電紡絲技術(shù)合成Nd/TiO2光觸媒納米纖維
3.1 引言
3.1.1 納米TiO2的光催化機(jī)理
3.1.2 提高T1O2光催化活性的途徑
3.2 Nd/TiO2光觸媒納米纖維的制備
3.3 Nd/TiO2光觸媒納米纖維的表征
3.4 光催化降解羅丹明
3.5 光催化降解甲基橙
3.6 光催化降解苯酚
3.7 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 靜電紡絲技術(shù)合成Y2O3:Eu3 @S1O2豆角狀納米電纜
4.1 引言
4.2 Y2O3:Eu3 @S1O2豆角狀同軸納米電纜的制備
4.3 Y2O3:Eu3 @SiO2豆角狀同軸納米電纜的表征
4.4 豆角狀納米電纜形成機(jī)理
4.5 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 網(wǎng)狀納米結(jié)構(gòu)稀土磷酸鹽的靜電紡絲技術(shù)合成與表征
5.1 引言
5.2 LaPO4網(wǎng)狀納米結(jié)構(gòu)的制備與表征
5.3 LaPO4:Eu3 網(wǎng)狀納米結(jié)構(gòu)的制備與表征
5.4 LaPO4:Ce3 ,Tb3 網(wǎng)狀納米結(jié)構(gòu)的制備與表征
5.5 網(wǎng)狀納米結(jié)構(gòu)的形成機(jī)理
5.6 總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 鈣鈦礦型復(fù)合氧化物多孔空心納米纖維的制備與表征
第7章 靜電紡絲技術(shù)合成燒綠石型多孔空心納米纖維
第8章 稀土氧化物納米帶的靜電紡絲技術(shù)制備與發(fā)光性質(zhì)研究
第9章 Gd2O3:Yb3 ,Er3 上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米纖維的制備與表征
第10章 Gd2O3:Yb3 發(fā)光納米纖維的靜電紡絲技術(shù)制備與表征
第11章 低維硫化物納米材料的靜電紡絲技術(shù)合成
第12章 稀土氟化物低維納米材料的靜電紡絲技術(shù)合成
參考文獻(xiàn)
1.納米材料是由納米顆粒組成的。納米顆粒中的電子被局限在一個十分微小的納米空間里,電子運(yùn)輸受到限制,電子的平均自由程短,使電子的局域性和相干性增強(qiáng)。與宏觀物體相比,納米顆粒所包含的原子數(shù)大大減少,因此...
象金屬納米材料一樣,無機(jī)非金屬納米種類也相當(dāng)多。有納米金屬氧化物,如納米Ti02、Al203、ZrO2等,非金屬氧化物,如納米SiO2,金屬氫氧化物,如納米Co(OH)2、La(OH)3等,還有金屬硫...
納米無機(jī)樹脂涂料的合成與應(yīng)用技術(shù)?
我有這四本書,現(xiàn)代涂料與涂裝技術(shù),最新涂料品種配方和工藝集,涂料助劑大全,新編涂料品種的開發(fā)配方與工藝手冊,你說的那個沒有,不過推薦你去小木蟲論壇看看。以上的超星電子書如果你要,告訴你的郵箱,給你發(fā)去...
格式:pdf
大?。?span id="b2rfk2z" class="single-tag-height">831KB
頁數(shù): 7頁
評分: 4.6
采用同軸靜電紡絲技術(shù),以硝酸鋅、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、無水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)為原料,成功制備出大量的ZnO@SiO2同軸納米電纜。用TG-DTA,XRD,SEM,TEM,FTIR等分析技術(shù)對樣品進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,得到的ZnO@SiO2同軸納米電纜的殼層為無定型SiO2,厚度為50nm,芯軸為晶態(tài)ZnO,電纜直徑為300~450nm,長度大于300μm。探討了ZnO@SiO2同軸納米電纜的形成機(jī)理。
格式:pdf
大小:831KB
頁數(shù): 6頁
評分: 4.6
采用同軸靜電紡絲技術(shù),以硝酸鈰、硝酸鋅、聚乙烯吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、甘油和氯仿為原料,制備了ZnO@CeO2同軸納米電纜.用差熱-熱重分析、X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和能譜儀對樣品進(jìn)行了表征.結(jié)果表明,所得產(chǎn)物為ZnO@CeO2同軸納米電纜,以晶態(tài)CeO2為殼層,晶態(tài)ZnO為芯層,電纜直徑約90 nm,芯層直徑約60 nm,殼層厚度約15 nm,電纜長度大于300μm,并分析了其形成機(jī)理.
靜電紡絲技術(shù)是一種規(guī)?;苽浼{微米纖維材料的方法,在國民經(jīng)濟(jì)的各個等領(lǐng)域均有著廣闊的應(yīng)用前景。本書首先介紹靜電紡絲技術(shù)的歷史、設(shè)備和材料等基本知識和基本理論,然后對靜電紡絲技術(shù)制備有機(jī)、無機(jī)和復(fù)合納微米纖維材料的研究情況進(jìn)行重點介紹,最后對靜電紡絲技術(shù)在材料、化工和生物醫(yī)藥等在國民經(jīng)濟(jì)各個領(lǐng)域中的應(yīng)用情況進(jìn)行介紹。 2100433B
《無機(jī)納米材料的表面修飾改性與物性研究》納米復(fù)合材料具有優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用,是納米材料科學(xué)研究的前沿和熱點。怎樣改善無機(jī)納米顆粒在高聚物中的分散性,一直是一項富有挑戰(zhàn)性的研究課題。納米粉體的表面處理技術(shù)是一門新興學(xué)科,20世紀(jì)90年代以來,隨著納米粉體制備技術(shù)的發(fā)展,以改善納米粉體分散性、表面活性、功能性以及與其他物質(zhì)之間的相容性為目的的表面處理或表面修飾技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。近年來,納米粉體的表面處理(表面修飾)已形成了一個新的研究領(lǐng)域,從處理方法到處理對納米粉體表面性質(zhì)以及應(yīng)用性能的影響,都有許多問題值得探討。在這個領(lǐng)域進(jìn)行研究的重要意義在于,人們可以根據(jù)應(yīng)用需要有針對性地對納米粉體表面進(jìn)行改性,不但可以深入認(rèn)識納米粉體表面的基本物理化學(xué)效應(yīng),而且也改善和優(yōu)化了納米粉體的物化性能和應(yīng)用性能,擴(kuò)大了納米粉體的應(yīng)用范圍。本書介紹了對不同用途低維納米材料進(jìn)行表面改性研究,以提高無機(jī)納米顆粒與高聚物的相容性和穩(wěn)定性及其在高聚物中的分散性,分析了表面改性對復(fù)合材料光催化、微波吸收和導(dǎo)電性能的影響,為有機(jī)一無機(jī)復(fù)合材料的實際應(yīng)用提供了材料和物理基礎(chǔ)。本書主要包括以下內(nèi)容:
納米結(jié)構(gòu)粉體及其復(fù)合材料的性質(zhì)和應(yīng)用。納米結(jié)構(gòu)粉體表面改性的方法和常用的表面改性劑。納米氧化鋁和超細(xì)絹云母粉體用作高聚物改性填充材料時的表面改性方法及效果,研究發(fā)現(xiàn)經(jīng)硅烷偶聯(lián)劑表面改性及有機(jī)物預(yù)接枝聚合改性后,納米氧化鋁和超細(xì)絹云母粉體在有機(jī)溶劑介質(zhì)中的分散性和穩(wěn)定性顯著提高,與有機(jī)物基體的相容性得到改善。
采用反相微乳液法在Al2O3表面上包覆La3+、Fe3+共摻雜TiO2,制備負(fù)載型摻雜TiO2光催化劑,并探討了La3+、Fe3+共摻雜對TiO2吸光性能的影響,研究發(fā)現(xiàn)負(fù)載型共摻雜TIO2光催化劑的可見光催化活性比單元摻雜的高,在太陽光照射下對甲基橙具有更高的脫色率。
碳納米管、納米碳化硅的化學(xué)鍍表面改性,探討了預(yù)處理、化學(xué)鍍和熱處理等條件等對鍍層組成、物相結(jié)構(gòu)、表面形貌、粒度和分散性等的影響,并對金屬化改性后的碳納米管和納米碳化硅的電磁波吸收涂料的性能進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)改性后的復(fù)合涂料的吸波性能顯著改善,吸收率提高,最高吸收峰向低頻移動,且有寬化趨勢。
對超細(xì)絹云母粉進(jìn)行化學(xué)鍍改性制備鍍鎳云母,并以其作為輕質(zhì)導(dǎo)電填料部分替代鎳粉制備了導(dǎo)電涂料。結(jié)果發(fā)現(xiàn),當(dāng)替代量≤25%時,導(dǎo)電涂料在30MHz~1000MHz頻率范圍的屏蔽系數(shù)達(dá)到30dB,可滿足一般情況下對電磁屏蔽性的要求。
采用環(huán)境友好模板、熱液等軟化學(xué)合成方法,制備結(jié)構(gòu)新穎具有特定應(yīng)用性能的納米催化、光電等功能材料。.選擇納米孔晶體材料、介孔-有機(jī)復(fù)合材料、納米管為基體,以典型半導(dǎo)體和催化功能的金屬為主要研究對象,通過各種化學(xué)法復(fù)合制備納米功能復(fù)合材料。通過成核和生長的動力學(xué)因素的控制,制備晶體結(jié)構(gòu)、尺寸、維度、形貌、分散性、組成與物性可控的納米半導(dǎo)體、氧化物、復(fù)合物晶體材料;研究納米晶體的定向生長、有序排列,對合成的納米晶體進(jìn)行自組裝。.分析基體組成和結(jié)構(gòu)、復(fù)合制備方法和實驗條件與復(fù)合材料中納米微結(jié)構(gòu)的關(guān)系,分析微結(jié)構(gòu)與光電和催化等功能的關(guān)系。探索晶體生長機(jī)理,提出合理的生長機(jī)制。探索結(jié)構(gòu)與應(yīng)用性能之間的關(guān)系,為制備結(jié)構(gòu)新穎的高性能的納米結(jié)構(gòu)材料提供理論基礎(chǔ)和技術(shù)儲備。開發(fā)一些性能增強(qiáng)的新型高質(zhì)量納米催化和光電材料,試驗其實際應(yīng)用。 2100433B