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通過(guò)在硅PIN結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),采用硅P+PIN結(jié)構(gòu),研制出650nm增強(qiáng)型光電探測(cè)器。詳細(xì)介紹了器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制作工藝。對(duì)器件響應(yīng)度、暗電流和響應(yīng)速度等參數(shù)進(jìn)行計(jì)算與分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,器件響應(yīng)度達(dá)0.448A/W(λ=650nm),暗電流達(dá)到0.1nA(VR=10V),上升時(shí)間達(dá)到3.2ns。
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