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更新時(shí)間：2025.05.11
摻Eu(DBM)_3phen的PE膜的發(fā)光性能研究

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制備了含稀土配合物Eu(DBM)_3phen的PE熒光膜,研究了膜的紫外吸收光譜和熒光光譜,并與配合物在丙酮溶劑中的光譜作了對(duì)比。結(jié)果發(fā)現(xiàn)Eu(DBM)_3phen在PE膜中的紫外吸收光譜發(fā)生了紅移,熒光發(fā)射譜變寬,常溫下配合物及其PE膜在紫外光下發(fā)出強(qiáng)的紅光,主要是Eu~(3+)的~5DO→~7F_2的躍遷。

低柵極電壓控制下帶有phenyltrimethoxysilane單分子自組裝層的有機(jī)薄膜晶體管場(chǎng)效應(yīng)特性研究

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制作了底柵極頂接觸有機(jī)薄膜晶體管器件,60 nm的pentacene被用作有源層,120 nm熱生長(zhǎng)的SiO2作為柵極絕緣層.通過采用不同自組裝修飾材料對(duì)器件的有源層與柵極絕緣層之間的界面進(jìn)行修飾,如octadecyltrichlorosilane(OTS),phenyltrimethoxysilane(PhTMS),來比較界面修飾層對(duì)器件性能的影響.同時(shí)對(duì)帶有PhTMS修飾層的OTFTs器件低柵極電壓調(diào)制下的場(chǎng)效應(yīng)行為及其載流子的傳輸機(jī)理進(jìn)行研究.結(jié)果得到,當(dāng)|VGS|<0.1 V時(shí),載流子在如此小的柵極電壓調(diào)制下已經(jīng)不能過多在半導(dǎo)體有源層與柵極絕緣層之間的界面處積聚,使OTFTs器件的輸出電流保持相對(duì)的平衡.但是,器件的調(diào)制柵壓在-0.001V時(shí),器件仍然有好的輸出特性,當(dāng)VDS為-20 V時(shí),器件的場(chǎng)效應(yīng)遷移率為3.22×10-3cm2/Vs,開關(guān)電流比為1.43×102,閾值電壓為0.66 V.

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