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更新時間:2025.04.13
超大規(guī)模集成電路的可制造性設(shè)計

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以Synopsys推出的TCAD軟件TSUPREM-Ⅳ和Medici為藍本,結(jié)合100nm柵長PMOSFET的可制造性聯(lián)機仿真與優(yōu)化實例,闡述了超大規(guī)模集成電路DFM階段所進行的工藝級、器件物理特性級優(yōu)化及工藝參數(shù)的提取。

超大規(guī)模集成電路可靠性設(shè)計與測試技術(shù)的新進展

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隨著芯片制造工藝的不斷發(fā)展,超大規(guī)模集成電路集成度不斷提高,體積不斷縮小.納米工藝一方面帶來產(chǎn)品規(guī)模、產(chǎn)品性能的提升,另一方面帶來了產(chǎn)品可靠性,不可信制造和測試效率、測試覆蓋率等諸多問題.為應(yīng)對這些問題,設(shè)計工程師和測試工程師研發(fā)了很多新的方法,分析了超大規(guī)模集成電路在可靠性設(shè)計和測試技術(shù)發(fā)展的最新進展,最后指出了VLSI可靠性設(shè)計和測試技術(shù)的發(fā)展方向.

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