霍爾效應(yīng)發(fā)生器

通常測(cè)量3-20A范圍內(nèi)電流的方法主要有以下兩種：采用電阻分流器的傳統(tǒng)測(cè)量方法，和使用電流傳感器。這兩種技術(shù)均有局限性：第一種方法缺少流電隔離，第二種方法帶寬有限。此外，這兩種方法都對(duì)校準(zhǔn)工作有相當(dāng)高的要求。lem電流傳感器曾經(jīng)幫助有效解決了這些問(wèn)題，但為了全面滿足當(dāng)前對(duì)降低成本和縮小尺寸的需求，現(xiàn)在到了需要對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行重新設(shè)計(jì)的時(shí)候了。

2002年，LEM收購(gòu)了一家位于日本的生產(chǎn)霍爾效應(yīng)電流傳感器企業(yè)——NANAElectronicsK.K.公司。新公司更名為NANALEMK.K.，總部位于東京町田。新的研發(fā)隊(duì)伍融合了兩家公司的專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了日本最暢銷(xiāo)的產(chǎn)品SY系列，并把它發(fā)展成為HX系列。

霍爾效應(yīng)原理

HX傳感器的核心是一個(gè)霍爾效應(yīng)發(fā)生器。1879年，EdwardH.Hall發(fā)現(xiàn)了霍爾效應(yīng)，在電流流經(jīng)一片薄傳導(dǎo)材料(霍爾發(fā)生器)，并放在正交磁場(chǎng)中時(shí)，會(huì)發(fā)生這種效應(yīng)。然后電磁洛倫茲力將感應(yīng)電子，根據(jù)極性流到薄片邊緣。

在這兩個(gè)邊緣之間產(chǎn)生的霍爾電壓VH與控制電流IC和磁通量B直接成正比(圖1)。霍爾發(fā)生器由一片薄傳導(dǎo)材料制成，如鎵砷化物(GaAs)，這種材料在使用期間能夠?qū)崿F(xiàn)可靠穩(wěn)定的性能。在5mA的控制電流下，獲得的霍爾電壓約為1.25mV/mT。

霍爾效應(yīng)開(kāi)環(huán)電流測(cè)量

一次電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)在磁性電路的間隙中生成線性磁通量B，磁通量B會(huì)在霍爾發(fā)生器中感應(yīng)成比例的霍爾電壓VH。然后這個(gè)電壓被電子電路放大，得到一個(gè)與一次電流成比例的輸出模擬信號(hào)。HX系列可以測(cè)量DC電流和AC電流，以及相控整流器、有源電源轉(zhuǎn)換器、PWM轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)式電源中復(fù)雜的電流波形。輸出電壓一直是一次電流的真映像。

抗dv/dt噪聲能力

在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)器控制和開(kāi)關(guān)設(shè)備時(shí)，工程師遇到的其中一個(gè)問(wèn)題是整流期間快速電壓變化導(dǎo)致的高dv/dt噪聲。

電源半導(dǎo)體技術(shù)一直在不斷發(fā)展。現(xiàn)在，許多半導(dǎo)體產(chǎn)品大樣本中都可以看到整流速度非常高的IGBT。因此，當(dāng)前通用逆電器一般會(huì)以很高的開(kāi)關(guān)頻率工作，通常在20kHz以上。在這么高的頻率上工作的好處包括波形更平滑、操作更安全、效率更高。

開(kāi)關(guān)設(shè)備每次開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高dv/dt值將在主電纜和傳感器的電子電路之間產(chǎn)生電容電流。大多數(shù)模擬線性放大器對(duì)這種寄生電流很靈敏。因此，dv/dt噪聲將被疊加在輸出信號(hào)上。根據(jù)變動(dòng)電壓的幅度和斜坡，初始尖峰和后來(lái)的振蕩有時(shí)會(huì)非常高，以致它們會(huì)激活傳感器的電流保護(hù)電路，進(jìn)而使逆電器暫停運(yùn)轉(zhuǎn)。LEM的經(jīng)驗(yàn)在HX系列設(shè)計(jì)階段幫助保證了對(duì)關(guān)鍵噪聲的完美免疫力，而又不會(huì)損害帶寬，因此HX的性能要超過(guò)其它類(lèi)似的傳感器(圖2和圖3)。

對(duì)階躍電流的超快速響應(yīng)時(shí)間對(duì)IGBT短路保護(hù)必不可少。HX系列可以以50A/ms以上的速度，準(zhǔn)確追蹤電流變化，對(duì)階躍電流的響應(yīng)最快為3ms。2100433B

霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試儀是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。2100433B

在轎車(chē)電路上經(jīng)?？梢钥吹健盎魻枴保℉all）這個(gè)名稱(chēng)，例如桑塔納2000點(diǎn)火系統(tǒng)就有一只霍爾傳感器，專(zhuān)門(mén)給發(fā)動(dòng)機(jī)電控單元（ECU）提供電壓信號(hào)。那么霍爾器件起到什么作用呢？ 這里涉及一個(gè)“霍爾效應(yīng)”的問(wèn)題，霍爾效應(yīng)在應(yīng)用技術(shù)中特別重要?；魻柊l(fā)現(xiàn)，如果對(duì)位于磁場(chǎng)(B)中的導(dǎo)體(d)施加一個(gè)電壓(Iv)，該磁場(chǎng)的方向垂直于所施加電壓的方向，那么則在既與磁場(chǎng)垂直又和所施加電流方向垂直的方向上會(huì)產(chǎn)生另一個(gè)電壓(UH)，人們將這個(gè)電壓叫做霍爾電壓，產(chǎn)生這種現(xiàn)象被稱(chēng)為霍爾效應(yīng)。