放大器自激自激

五、電荷放大器 電荷放大器主要由一個高增益反向電壓放大器和電容負反饋組成。輸入端的 MOSFET 或 J-FET 提供高絕緣性能，確保極低的電流泄露。 電荷放大器將壓電傳感器產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)換為成比例的電壓， 用來作為監(jiān)測和控制過程的 輸入量。電荷放大器主要由一個具有高開環(huán)增益和電容負反饋的 MOSFET( 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶 體管 )或 JFET(面結(jié)型場效應(yīng)晶體管 )的反向電壓放大器組成， 因此它的輸入產(chǎn)生高絕緣阻抗， 會引起少量電流泄漏。忽略 Rt 和 Ri，輸出端電壓為： )( 1 1 1 crt r r o CCC AC C Q U 對于足夠高的開環(huán)增益，系數(shù) 1/AC 接近于零。因此可以忽略電纜和傳感器的電容，輸 出電壓僅由輸入端電壓和量程電容決定。 r o C QU 電荷放大器可看成是電荷積分器， 它總是在量程電容兩端以大小相等， 極向相反的電荷 補償傳感器產(chǎn)生的電荷。 量程電容兩端

針對多芯光纖完善了描述抽運光、信號光和Stokes信號的速率方程組.考慮了溫差對受激布里淵散射的影響,利用有限元法求解溫度分布方程組,分析了前向和后向抽運方式、對流系數(shù)、Stokes初始功率、光纖摻雜粒子密度和光纖長度對受激布里淵散射增益的影響.研究表明:后向抽運方式在抑制受激布里淵散射方面具有明顯優(yōu)勢;減小對流系數(shù)有助于抑制受激布里淵散射;提高光纖摻雜密度能夠加強抑制受激布里淵散射,同時也有助于提高光纖放大器的斜率效率.比較了在相同最佳光纖長度條件下,單芯和19芯光纖放大器的最高工作溫度和受激布里淵散射增益.在受激布里淵散射增益小于閾值的前提下,19芯光纖放大器比單芯光纖放大器具有較低的最高工作溫度,為進一步提升輸出功率提供了更大空間.