電子設(shè)備用電阻式濕敏元件空白詳細(xì)規(guī)范簡(jiǎn)介

備案信息

備案號(hào)：0063-1994

1998年3月31日，《電子設(shè)備用C 類(lèi)預(yù)調(diào)可變電容器空白詳細(xì)規(guī)范》發(fā)布。

1990年1月1日，《電子設(shè)備用C 類(lèi)預(yù)調(diào)可變電容器空白詳細(xì)規(guī)范》實(shí)施。

濕敏陶瓷1.接觸晶粒的界面勢(shì)壘理論

由于濕敏陶瓷為多孔材料，界面接觸主要以點(diǎn)接觸為主，這樣使n型和p型半導(dǎo)體陶瓷的晶粒內(nèi)部和表面正負(fù)離子所處的狀態(tài)不同。內(nèi)部離子對(duì)稱(chēng)包圍，而表面離子則處于未受異性離子屏蔽的不穩(wěn)定狀態(tài)，其電子親和力發(fā)生了變化，表現(xiàn)為表面附近能帶上彎(n型)或下彎(p型)，在半導(dǎo)體陶瓷晶粒接觸處產(chǎn)生雙勢(shì)壘曲線，如下圖《半導(dǎo)體的表面勢(shì)》所示。由于晶粒界面勢(shì)壘的存在，晶粒界面的電阻比晶粒內(nèi)部大得多。當(dāng)濕敏陶瓷晶粒晶界處吸收水分子時(shí)，由于水分子是一-種強(qiáng)極性物質(zhì)，其分子結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)，在氫原子的一側(cè)具有很強(qiáng)的正電場(chǎng)，使得表面吸附的水分子可以從半導(dǎo)體表面吸附的O₂或O中吸取電子,甚至從滿帶中直接俘獲電子。因此將引起晶粒表面電子能態(tài)的變化，從而導(dǎo)致晶粒表面電阻和整個(gè)元件的電阻變化。對(duì)于p型半導(dǎo)體，主要表現(xiàn)為表面俘獲電子，形成表面束縛態(tài)的負(fù)空間電荷，而在表面內(nèi)層形成自由態(tài)的正電荷，該正電荷被氧的施主能級(jí)所俘獲，使氧的施主能級(jí)密度下降，使下彎的能級(jí)變平，耗盡層變薄，表面載流子密度增加，電阻率下降 。

濕敏陶瓷2.質(zhì)子導(dǎo)電理論

質(zhì)子導(dǎo)電理論把分子在晶粒表面的吸附分為三個(gè)階段：第一階段少量水分子在晶粒之間的頸部吸附，表面化學(xué)吸附水的一個(gè)羥基首先與高價(jià)陽(yáng)離子結(jié)合，水離解出的H 與表面的氧離子形成第二個(gè)羥基，羥基解離后的質(zhì)子由一個(gè)位置向另一個(gè)位置移動(dòng)，形成了質(zhì)子導(dǎo)電；第二階段是水分子物理吸附在羥基上，形成多分子吸附層，由于水分子的極化，相對(duì)介電常數(shù)增加，導(dǎo)致離解水分子的能量增高，促進(jìn)了水分子的離解；第三階段，不僅在頸部的凹面，而且在平表面也吸附了大量水分子，在兩極間形成了連續(xù)電解質(zhì)層，導(dǎo)致電導(dǎo)率隨含水量的增加而增加。