可刻蝕各種尺寸形狀的樣品, 最大面積達1000 cm2。
薄膜刻蝕。 2100433B
等離子體隱身技術(shù)的原理是利用電磁波與等離子體互相作用的特性來實現(xiàn)的,其中等離子體頻率起著重要的作用。等離子體頻率指等離子體電子的集體振蕩頻率,頻率的大小代表等離子體對電中性破壞反應(yīng)的快慢,它是等離子體...
國內(nèi)外企業(yè)利用低溫等離子體技術(shù)在環(huán)保方面開發(fā)出了“低溫等離子體有機廢氣凈化設(shè)備”、“低溫等離子體廢水凈化設(shè)備”及“低溫等離子體汽車尾氣凈化技術(shù)”。1、低溫等離子體在保鮮、殺菌、除臭等方面產(chǎn)品開發(fā),目前...
低溫等離子體物理與技術(shù)經(jīng)歷了一個由60年代初的空間等離子體研究向80年代和90年代以材料為導(dǎo)向研究領(lǐng)域的大轉(zhuǎn)變,高速發(fā)展的微電子科學、環(huán)境科學、能源與材料科學等,為低溫等離子體科學發(fā)展帶來了新的機遇和...
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等離子體刻蝕過程中有害氣體凈化的原理和方法——敘述了等離子體刻蝕過程中產(chǎn)生的有害氣體以及處理這些有害氣體的原理和方法。對燃燒分解、化學中和、 薄膜吸氣、等離子體凈化及脈沖電暈放電等作了簡要的概述。指出等離子體凈化和脈沖電暈放電是凈化有害氣體的...
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TEGAL421 等離子刻蝕機射頻電源的維 修及調(diào)整 TEGAL421 等離子刻蝕機射頻電源的電路圖如下: 各部分電路的作用, DC Power Supply Board 板是一塊電源板提供射頻源 工作所需的各路電源,包括電子管工作的高低壓。 OSICLACTOR Board 板提供 射頻源的激勵信號, Q1是震蕩管,Q4是推動管,Q3,Q2組成脈寬功率調(diào)節(jié)電路。 V1和 V2是兩個輸出電子管,提供所需的射頻功率。其中 Lv 是低壓變壓器,機 器一通電,該變壓器就被通電。而 BV 是高壓變壓器,只有在需要射頻輸出時才 被通電。 Power Coupler 是入射功率和反射功率檢測模塊。主機背面的電位器 R5 和 R6 用于矯正入射和反射功率的偏差。 Test Port 測試端口用于檢測射頻電 源的工作參數(shù)。 射頻電源的調(diào)整 射頻電源調(diào)整的步驟如下: 1. 關(guān)閉交流電源。 2. 移除射頻電源
等離子刻蝕機濕法刻蝕相對于等離子刻蝕的缺點
1. 硅片水平運行,機片高(等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干,硅片受沖擊小);
2. 下料吸筆易污染硅片(等離子刻蝕去PSG后甩干);
3. 傳動滾抽易變形(PVDF,PP材質(zhì)且水平放置易變形);
4. 成本高(化學品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加)。
此外,有些等離子刻蝕機,如SCE等離子刻蝕機還具備"綠色"優(yōu)勢:無氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。SCE等離子刻蝕機支持以下四種平面等離子體處理模式:
直接模式--基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上,以獲得最大的平面刻蝕效果。
定向模式--需要非等向性刻蝕(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不帶電托架上,以便取得微小的等離子體效果。
定制模式--當平面刻蝕配置不過理想時,特制的電極配置可以提供。
1、 硅片水平運行,機片高(等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干,硅片受沖擊?。?;
2、下料吸筆易污染硅片(等離子刻蝕去PSG后甩干);
3、傳動滾軸易變形(PVDF,PP材質(zhì)且水平放置易變形);
4、成本高(化學品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加)。
此外,有些等離子刻蝕機,如SCE等離子刻蝕機還具備“綠色”優(yōu)勢:無氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。SCE等離子刻蝕機支持以下四種平面等離子體處理模式:
直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上,以獲得最大的平面刻蝕效果。
定向模式——需要非等向性刻蝕(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不帶電托架上,以便取得微小的等離子體效果。
定制模式——當平面刻蝕配置不過理想時,特制的電極配置可以提供。
等離子刻蝕機的組成一般包括等離子發(fā)生器(工業(yè)上常用RF激發(fā)法),真空室,和電極。
其工作原理是用等離子體中的自由基(radical)去轟擊(bombard)或濺射(sputter)被刻蝕材料的表面分子,形成易揮發(fā)物質(zhì),從而實現(xiàn)刻蝕的目的。也有部分等離子刻蝕機采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)(Reactive Ion Etching)。