作 者: 周孝信 著
出 版 社: 科學出版社
ISBN: 9787030228758
出版時間: 2009-01-01
版 次: 1
頁 數(shù): 342
裝 幀: 精裝
開 本: 16開
所屬分類: 圖書>科技>一般工業(yè)技術
《電力系統(tǒng)可控串聯(lián)電容補償》是在大量科研工作的基礎上,結合實際工程經(jīng)驗編寫而成。它系統(tǒng)介紹了可控串補技術(thyristor controlled series compensation)的原理、計算分析模型和方法、控制策略、關鍵技術及工程應用。全書共分8章,主要內(nèi)容包括:可控串補系統(tǒng)的潮流和穩(wěn)定計算,小干擾穩(wěn)定分析,過電壓保護控制與絕緣配合計算,次同步諧振分析的模型和方法,可控串補系統(tǒng)穩(wěn)定控制策略,可控串補測量、控制和保護系統(tǒng),可控串補主要設備功能要求、關鍵技術及其系統(tǒng)設計?!峨娏ο到y(tǒng)可控串聯(lián)電容補償》的一大特點是內(nèi)容豐富全面,注重理論在工程中的應用,不僅對可控串補的基本理論和系統(tǒng)分析有較深入的討論,也對可控串補的裝置設計和工程應用進行了較詳細的闡述。 《電力系統(tǒng)可控串聯(lián)電容補償》可供從事電力系統(tǒng)規(guī)劃設計、運行和科學研究人員參考,并可作為高等院校電力系統(tǒng)高年級學生和研究生的教材。
串聯(lián)電容器是一種無功補償設備。通常串聯(lián)在330kV及以上的超高壓線路中,其主要作用是從補償電抗的角度來改善系統(tǒng)電壓,以減少電能損耗,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
可以直接套用,但是主材需要找差,也就是你說的那個文化磚,不論是比定額中的價格高還是底都要找差價的。 投標的時候
以下就是電容補償所需補償容量的計算公式:tgφ1=√1-cos²φ1/cosφ1tgφ=√1-cos²φ/cosφQk=p(tgφ1-tgφ)(kvar)式中cosφ1: 補償前的...
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評分: 4.6
磁閥式可控電抗器及其在電力系統(tǒng)中的應用 作者: 王長善 學位授予單位: 山東大學 參考文獻(54條) 1.徐基泰 電抗器品種及其發(fā)展 [期刊論文]-變壓器 2000(1) 2.陳柏超 新型可控飽和電抗器理論及應用 1999 3.劉滌塵 .陳柏超 .田翠華 .郭俊華 新型可控電抗器在電網(wǎng)中的應用與選型分析 [期刊論文]-電網(wǎng)技術 1999(2) 4.周臘吾 .徐勇 .朱青 .朱英浩 新型可控電抗器的工作原理與選型分析 [期刊論文]-變壓器 2003(8) 5.陳維賢 .陳禾 .劉艷村 .田翠華 .魯鐵成 高速響應新型可控電抗器 [期刊論文]-武漢水利電力大學學報 1999(2) 6.奚梅成 數(shù)值分析方法 1995 7.徐士良 .孫甲松 科學計算通用程序集 19
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評分: 4.4
電容補償柜基本介紹 新柜調(diào)試前應將所有電容器斷開 ,并在不通電情況下測試主回路 相間通斷 ,和對“N”通斷 ,手動投切檢查一切正常后再將電容接上 , 無涌流投切器及動補調(diào)節(jié)器沒接 N線 ,會使其直接損壞及炸毀。 一 .無功補償電容柜用途 TSC數(shù)字全自動動態(tài)無功功率補償裝置是一種具有國際先進水平、功 能高度集成化的無功補償設備。 它廣泛應用于機械制造、 冶金、礦山、 鐵道、輕工、化工、建材、油田、港口、高層建筑、城鎮(zhèn)小區(qū)等低壓 配電網(wǎng) ,對電力系統(tǒng)降損節(jié)能有重大的技術經(jīng)濟意義 ,為國家重點推薦 的節(jié)約電能的高新技術項目。 二、無功補償電容柜的作用 功率補償裝置在電子供電系統(tǒng)中所承擔的作用是提高電網(wǎng)的功率因 數(shù) ,降低供電變壓器及輸送線路的損耗 ,提高供電效率 ,改善供電環(huán)境。 所以無功功率補償裝置在電力供電系統(tǒng)中處在一個不可缺少的非常 重要的位置。合理的選擇補償裝置 ,可以做到最大限度的減
可控硅分類
可控硅有多種分類方法。
(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導通可控硅。
(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅,常見的是移相觸發(fā),即通過改變正弦交流電的導通角(角相位),來改變輸出百分比。
串聯(lián)電容補償調(diào)壓:
串聯(lián)電容補償可用于配電網(wǎng)中進行局部調(diào)壓。在距離較長的重載線路,因其調(diào)壓作用是通過線路滯相電流流過串聯(lián)電容而產(chǎn)生的電壓升高來實現(xiàn)的。故線路負載愈重,功率因數(shù)愈低,串聯(lián)電容補償調(diào)壓的作用愈顯著。這種調(diào)壓作用隨線路負載的變化而變化,具有自行調(diào)節(jié)的功能。