半導(dǎo)體器件物理與工藝

《半導(dǎo)體器件物理》（第3版）這本經(jīng)典著作在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域已經(jīng)樹立起了先進(jìn)的學(xué)習(xí)和參考典范。此書的第3版保留了重要半導(dǎo)體器件的最為詳盡的知識(shí)內(nèi)容，并做了更新和重新組織，反映了當(dāng)今器件在概念和性能等方面的巨大進(jìn)展，它可以使讀者快速地了解當(dāng)今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場(chǎng)效應(yīng)、微波、光子器件和傳感器的性能特點(diǎn)。《半導(dǎo)體器件物理》（第3版）專為研究生教材和參考所需設(shè)計(jì)，新版本包括：以最新進(jìn)展進(jìn)行了全面更新；包括了對(duì)三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導(dǎo)體傳感器、量子級(jí)聯(lián)激光器、單電子晶體管、實(shí)空間轉(zhuǎn)移器件等新型器件的敘述；對(duì)內(nèi)容進(jìn)行了重新組織和安排；各章后面配備了習(xí)題；重新高質(zhì)量地制作了書中的所有插圖。

譯者序

前言

導(dǎo)言

第1部分半導(dǎo)體物理

第1章半導(dǎo)體物理學(xué)和半導(dǎo)體性質(zhì)概要

1.1引言

1.2晶體結(jié)構(gòu)

1.3能帶和能隙

1.4熱平衡時(shí)的載流子濃度

1.5載流子輸運(yùn)現(xiàn)象

1.6聲子、光學(xué)和熱特性

1.7異質(zhì)結(jié)和納米結(jié)構(gòu)

1.8基本方程和實(shí)例

第2部分器件的基本構(gòu)件

第2章p-n結(jié)二極管

2.1引言

2.2耗盡區(qū)

2.3電流-電壓特性

2.4結(jié)擊穿

2.5瞬變特性與噪聲

2.6端功能

2.7異質(zhì)結(jié)

第3章金屬-半導(dǎo)體接觸

3.1引言

3.2勢(shì)壘的形成

3.3電流輸運(yùn)過程

3.4勢(shì)壘高度的測(cè)量

3.5器件結(jié)構(gòu)

3.6歐姆接觸

第4章金屬-絕緣體-半導(dǎo)體電容

4.1引言

4.2理想MIS電容

4.3硅MOS電容

第3部分晶體管

第5章雙極晶體管

5.1引言

5.2靜態(tài)特性

5.3微波特性

5.4相關(guān)器件結(jié)構(gòu)

5.5異質(zhì)結(jié)雙極晶體管

第6章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

6.1引言

6.2器件的基本特性

6.3非均勻摻雜和埋溝器件

6.4器件按比例縮小和短溝道效應(yīng)

6.5MOSFET的結(jié)構(gòu)

6.6電路應(yīng)用

6.7非揮發(fā)存儲(chǔ)器

6.8單電子晶體管

第7章JFET，MESFET和MODFET器件

7.1引言

7.2JFET和MODFET

7.3MODFET

第4部分負(fù)阻器件和功率器件

第8章隧道器件

8.1引言

8.2隧道二極管

8.3相關(guān)的隧道器件

8.4共振遂穿二極管

第9章碰撞電離雪崩渡越時(shí)間二極管

第10章轉(zhuǎn)移電子器件和實(shí)空間轉(zhuǎn)移器件

第11章晶閘管和功率器件

第5部分光學(xué)器件和傳感器

第12章發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器

第13章光電探測(cè)器和太陽電池

第14章傳感器

附錄A.符號(hào)表

B.國(guó)際單位制

C.單位詞頭

D.希臘字母表

E.物理常數(shù)

F.重要半導(dǎo)體的特性

G.Si和GaAs的特性

H.SiO2和Si3N4的特性 2100433B