80年代以來,迅猛發(fā)展的超大規(guī)模集成電路技術(shù)給高壓大電流半導(dǎo)體注入了新的活力,一批新型的聲控功放器件誕生了,其中最有代表性的產(chǎn)品就是VDMOS聲效應(yīng)功率晶體管。
這種電流垂直流動(dòng)的雙擴(kuò)散MOS器件是電壓控制型器件。在合適的柵極電壓的控制下,半導(dǎo)體表面反型,形成導(dǎo)電溝道,于是漏極和源極之間流過適量的電流
VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)。與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度,開關(guān)損耗小;輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小;頻率特性好;跨導(dǎo)高度線性。特別值得指明出的是,它具有負(fù)的溫度系數(shù),沒有雙極功率的二次穿問題,安全工作出了區(qū)大。因此,不論是開關(guān)應(yīng)用還是線性應(yīng)用,VDMOS都是理想的功率器件。
現(xiàn)在,VDMOS器件已廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,包括電機(jī)調(diào)速、逆變器、不間熠電源、開關(guān)電源、電子開關(guān)、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。由于VDMOS的性能價(jià)格比已優(yōu)于比極功率器件,它在功率器件市聲中的份額已達(dá)42%。并將繼續(xù)上升。
reducer又稱大小頭?;す芗?,用于兩種不同管徑的管子的連接。又分為同心大小頭和偏心大小頭。參見管件。 異徑管材質(zhì)包括不銹鋼異徑管,合金鋼,異徑管碳鋼大小頭,異徑管20號(hào)鋼q234q345等...
通草為五加科植物通脫木的莖髓,歸肺、胃經(jīng),清勢(shì)利水;通乳,用于淋癥澀痛;小便不利;水腫;黃疸;濕溫病;小便短赤;產(chǎn)后乳少;經(jīng)閉;帶下。藥草屬性【藥名】:通草【拼音】:tong cao【英文】:Rice...
建筑電氣配電常用插接式母線槽,母線槽的優(yōu)點(diǎn)很多,但是在實(shí)踐應(yīng)用上暴露出來的占用空間大、系統(tǒng)接點(diǎn)多、安全可靠性差、造價(jià)昂貴的缺點(diǎn)卻是顯而易見的。近年來預(yù)分支電纜的應(yīng)用正在逐步推廣中,然而因其設(shè)計(jì)上的麻煩...
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防腐木基本簡(jiǎn)介 防腐木分類: 松木類: 樟子松、歐洲赤松(芬蘭木)、美國(guó)南方松、鐵杉、紅雪松 (紅 崖柏) 等。 硬木類:印尼菠蘿格、柳桉、山樟木、銀口樹等。 防腐木特點(diǎn): 自然、環(huán)保、安全(木材成原本色,略顯青綠色)、無特殊氣 味、不易吸水、含水率低、耐潮濕、不易變形、加工性能好、 防腐、防霉、防蛀、 防白蟻侵襲等可保持 10-30 年以上不變。 防腐木用途: 適用于桑拿房及浴室、裝飾墻板、游泳池地板、園藝小品、庭 院、廚房、陽臺(tái)、玄關(guān)、花圃、露臺(tái)、親水河岸、屋頂、家具等。 防腐木制作: 在真空狀態(tài)下,將木材浸注于防腐劑中,通過高壓使得藥劑浸 入木材組織細(xì)胞中, 緊密地與其細(xì)胞纖維組織混合, 并且藥劑不再被釋放, 從而 徹底改變木材纖維中原有的“養(yǎng)料”成分,使得原先導(dǎo)致木材腐爛的真菌及孢 子植物無法寄居生存,并防止齒木類動(dòng)物的侵襲。 防腐木品種介紹: 紅柏介紹: 西部紅柏,生長(zhǎng)于不列顛哥
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消防工程:氣體滅火系統(tǒng)基本簡(jiǎn)介 [工程類精品文檔 ] 本文內(nèi)容極具參考價(jià)值 ,如若有用 ,請(qǐng)打賞支持 ,謝謝 ! 大于大于大于 氣體滅火系統(tǒng)是指平時(shí)滅火劑以液體、液化氣體或氣體狀態(tài)存貯于壓力容器內(nèi),滅 火時(shí)以氣體(包括蒸汽、氣霧)狀態(tài)噴射作為滅火介質(zhì)的滅火系統(tǒng)。并能在防護(hù)區(qū) 空間內(nèi)形成各方向均一的氣體濃度,而且至少能保持該滅火濃度達(dá)到規(guī)范規(guī)定的浸 漬時(shí)間,實(shí)現(xiàn)撲滅該防護(hù)區(qū)的空間、立體火災(zāi)。 二十世紀(jì)八十年代初有關(guān)專家研究表明,包括哈龍滅火劑在內(nèi)的氯氟烴類物質(zhì)在大 氣中的排放,將導(dǎo)致對(duì)大氣臭氧層的破壞,危害人類的生存環(huán)境, 1990年 6月在英 國(guó)倫敦由 57個(gè)國(guó)家共同簽定了蒙特利爾議定書(修正案) ,決定逐步停止生產(chǎn)和逐 步限制使用氟里昂、 哈龍滅火劑。 我國(guó)于 1991年 6月加入了《蒙特利爾議定書》(修 正案)締約國(guó)行列,承諾 2005年停止生產(chǎn)哈龍 1211滅火劑, 2010年停
VDMOS概述
垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn),無論是開關(guān)
應(yīng)用還是線形應(yīng)用,VDMOS都是理想的功率器件,VDMOS主要
應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。
特征: 接近無限大的靜態(tài)輸入阻抗特性,非??斓拈_關(guān)時(shí)間,導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù),近似常數(shù)的跨導(dǎo), 高dV/dt。
制造過程: 先在重?fù)诫sN襯底上生長(zhǎng)一層N型外延層,由P型基區(qū)與N源區(qū)的兩次橫向擴(kuò)散結(jié)深之差形成溝道,這兩個(gè)區(qū)域在離子注入過程中都是通過柵自對(duì)準(zhǔn)工藝注入各自的摻雜雜質(zhì)。
小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?/p>
電力MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),又稱為VMOSFET(Vertical MOSFET)。
按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的差異,分為利用V型槽實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電的VVMOSFET和具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET)。
這里主要以VDMOS器件為例進(jìn)行討論。
電力MOSFET的工作原理(N溝道增強(qiáng)型VDMOS)
截止:漏源極間加正電源,柵源極間電壓為零。
P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏,漏源極之間無電流流過。
導(dǎo)電:在柵源極間加正電壓UGS
當(dāng)UGS大于UT時(shí),P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層,該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失,漏極和源極導(dǎo)電 。
雙向晶閘管的發(fā)展現(xiàn)狀在我國(guó)精管行業(yè)發(fā)展很快。國(guó)內(nèi)分立器件廠商的主要產(chǎn)品以硅基二極管、三極管和晶閘管為主,國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及,且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件,IGBT還處于研發(fā)階段。寬禁帶半導(dǎo)體器件主要是以微波功率器件(SiCMESFET和GaNHEMT)為主,尚未有針對(duì)市場(chǎng)應(yīng)用的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品器件的產(chǎn)品研發(fā)。
一、普通二極管、三極管國(guó)內(nèi)的自給率已經(jīng)很高,但是在高檔的功率二極管,大部分還依賴進(jìn)口,國(guó)內(nèi)的產(chǎn)品性能還有不小的差距。
二、ABB晶閘管類器件產(chǎn)業(yè)成熟,種類齊全,普通晶閘管、快速晶閘管、超大功率晶閘管、光控晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、高頻晶閘管都能生產(chǎn)。中國(guó)南車集團(tuán)當(dāng)前可以生產(chǎn)6英寸、4000A、8500V超大功率晶閘管,居世界領(lǐng)先水平,已經(jīng)在我國(guó)的機(jī)車上大量使用,為我國(guó)的鐵路現(xiàn)代化建設(shè)做出了貢獻(xiàn)。
三、在功率管領(lǐng)域,逐步有國(guó)內(nèi)的企業(yè)技術(shù)水平上升到MOS工藝,MOSFET的產(chǎn)業(yè)有一定規(guī)模,進(jìn)入21世紀(jì)后,這類器件的產(chǎn)品已批量進(jìn)入市場(chǎng),幾十安培、200V的器件在民用產(chǎn)品上獲得了廣泛應(yīng)用,進(jìn)口替代已然開始。
四、IGBT、FRD(快恢復(fù)二極管)已經(jīng)有所突破,F(xiàn)RD初見規(guī)模。IGBT從封裝起步向芯片設(shè)計(jì)制造發(fā)展,從PT結(jié)構(gòu)向NPT發(fā)展,溝槽工藝正在開發(fā)中。IGBT產(chǎn)品進(jìn)入中試階段,
五、在電源管理領(lǐng)域,2008年前十名都見不到國(guó)內(nèi)的企業(yè)。
一、設(shè)計(jì):國(guó)內(nèi)IGBT還處于研制階段,還沒有商品化的IGBT投入市場(chǎng),我國(guó)IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化道路比較漫長(zhǎng)。目前國(guó)內(nèi)的民營(yíng)和海歸人士設(shè)立的公司已經(jīng)研發(fā)出了低端的IGBT產(chǎn)品,如常州宏微、嘉興斯達(dá)。南車集團(tuán)就不說了。
二、制造:IGBT對(duì)于技術(shù)要求較高,國(guó)內(nèi)企業(yè)還沒有從事IGBT生產(chǎn)。考慮到IP保護(hù)以及技術(shù)因素的限制,外資IDM廠商也沒有在國(guó)內(nèi)進(jìn)行IGBT晶圓制造和封裝的代工。華虹NEC和成芯的8寸線、華潤(rùn)上華和深圳方正的6寸線均可提供功率器件的代工服務(wù)。
三、封裝:我國(guó)只有少數(shù)企業(yè)從事中小功率IGBT的封裝,而且尚未形成規(guī)?;a(chǎn),在IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化以及大功率IGBT封裝領(lǐng)域的技術(shù)更是一片空白。
一、BCD工藝已從無到有,從低壓向高壓發(fā)展,從硅基向SOI基發(fā)展。
二、從封裝起步向芯片設(shè)計(jì)制造發(fā)展,從PT結(jié)構(gòu)向NPT發(fā)展,溝槽工藝正在開發(fā)中。