1 不要超過手冊上所列出的極限工作條件的限制。
2 器件上所有空閑的輸入端必須接 VDD 或 VSS,并且要接觸良好。
3 所有低阻抗設(shè)備(例如脈沖信號發(fā)生器等)在接到 CMOS 或 NMOS 集成電路輸入端以前必然讓器件先接通電源,同樣設(shè)備與器件斷開后器件才能斷開電源。
4 包含有 CMOS 和 NMOS 集成電路的印刷電路板僅僅是一個器件的延伸,同樣需要遵守操作準(zhǔn)則。從印刷電路板邊緣的接插件直接聯(lián)線到器件也能引起器件損傷,必須避免一般的塑料包裝,印刷電路板接插件上的 CMOS 或 NMOS 集成電路的地址輸入端或輸出端應(yīng)當(dāng)串聯(lián)一個電阻,由于這些串聯(lián)電阻和輸入電容的時間常數(shù)增加了延遲時間。這個電阻將會限制由于印刷電路板移動或與易產(chǎn)生靜電的材料接觸所產(chǎn)生的靜電高壓損傷。
5 所有 CMOS 和 NMOS 集成電路的儲存和運輸過程必須采用抗靜電材料做成的容器,而不能按常規(guī)將器件插入塑料或放在普通塑料的托盤內(nèi),直到準(zhǔn)備使用時才能從抗靜電材料容器中取出來。
6 所有 CMOS 和 NMOS 集成電路應(yīng)當(dāng)放置在接地良好的工作臺上,鑒于工作人員也能對工作臺產(chǎn)出靜電放電,所以工作人員在操作器件之前自身必須先接地,為此建議工作人員要用牢固的導(dǎo)電帶將手腕或肘部與工作臺表面連接良好。
7 尼龍或其它易產(chǎn)生靜電的材料不允許與 CMOS 和 NMOS 集成電路接觸。
8 在自動化操作過程中,由于器件的運動,傳送帶的運動和印刷電路板的運動可能會產(chǎn)生很高的靜電壓,因此要在車間內(nèi)使用電離空氣鼓風(fēng)機和增濕機使室內(nèi)相對濕度在 35% 以上,凡是能和集成電路接觸的設(shè)備的頂蓋、底部、側(cè)面部分均要采用接地的金屬或其它導(dǎo)電材料。
9 冷凍室要用二氧化碳制冷,并且要放置隔板,而器件必須放在導(dǎo)電材料的容器內(nèi)。
10 需要扳直外引線和用手工焊接時,要采用手腕接地的措施,焊料罐也要接地。
11 波峰焊時要采用下面措施:
a 、波峰焊機的焊料罐和傳送帶系統(tǒng)必須接真地。
b 、工作臺采用導(dǎo)電的頂蓋遮蓋,要接真地。
c 、工作人員必須按照預(yù)防準(zhǔn)則執(zhí)行。
d 、完成的工件要放到抗靜電容器中,優(yōu)先送到下一道工序去。
12 清洗印刷電路板要采用下列措施:
a 、蒸氣去油劑和籃筐必須接真地,工作人員同樣要接地。
b 、不準(zhǔn)使用刷子和噴霧器清洗印數(shù)電路板。
c 、從清洗籃中拿出來的工件要立即放入蒸汽去油劑中。
d 、只有在工件接地良好或在工件上采用靜電消除器后才允許使用高速空氣和溶劑。
13 必須有生產(chǎn)線監(jiān)督者的允許才能使用靜電監(jiān)測儀。
14 在通電狀態(tài)時不準(zhǔn)插入或拔出集成電路,絕對應(yīng)當(dāng)按下列程序操作:
a 、插上集成電路或印刷電路板后才通電。
b 、斷電后才能拔出集成電路或印刷電路板。
15 告誡使用 MOS 集成電路的人員,決不能讓操作人員直接與電氣地相連,為了安全的原因,操作人員與地氣之間的電阻至少應(yīng)有 100K。
16 操作人員使用棉織品手套而不要用尼龍手套或橡膠手套。
17 在工作區(qū),禁止使用地毯。
18 除非絕對必要外,都不準(zhǔn)工作人員觸摸 CMOS 或 NMOS 器件的引線端子。
由于徐葭生同志對我國集成電路事業(yè)的突出貢獻,他作為我校僅有的兩名代表之一參加了1978年由鄧小平倡導(dǎo)召開的全國科學(xué)大會。
除了集成電路技術(shù)本身之外,半導(dǎo)體車間對我國集成電路生產(chǎn)基礎(chǔ)條件的發(fā)展也起了重要的推動作用。為了滿足大規(guī)模集成電路生產(chǎn)對于設(shè)備的高精度和自動化要求,有很多關(guān)鍵設(shè)備都是自制的,例如高精度初縮機、擴散爐和三氯乙烯氧化系統(tǒng)、高速勻膠機、等離子刻蝕機等。有些設(shè)備是由半導(dǎo)體車間提出性能要求并進行試用改進,與其它單位協(xié)作生產(chǎn),例如高精度分步重復(fù)精縮機就是與我校無線電系、精儀系協(xié)作定型生產(chǎn)的,這一精縮機成了當(dāng)時國內(nèi)集成電路廠普遍采用的設(shè)備。
為了滿足大規(guī)模集成電路制造對減少灰塵沾污的要求,半導(dǎo)體車間自己設(shè)計、自己采購材料、聯(lián)系施工,對原來的800平方米實驗室進行了凈化改造,于1975年建成了350平方米、凈化級別達到1000級和10000級的超凈車間。這是當(dāng)時國內(nèi)集成電路生產(chǎn)用的第一個超凈車間,它滿足了大規(guī)模集成電路研制的需要,一直使用到1993年。
集成電路的種類與用途 作者:陳建新 在電子行業(yè),集成電路的應(yīng)用非常廣泛,每年都有許許多多通用或?qū)S玫募呻娐繁谎邪l(fā)與生產(chǎn)出來,本文將對集成電路的知識作一全面的闡述?! ∫?、 集成...
MC3361是美國MOTOROLA公司生產(chǎn)的單片窄帶調(diào)頻接收電路,主要應(yīng)用于語音通訊的無線接收機。片內(nèi)包含振蕩電路、混頻電路、限幅放大器、積分鑒頻器、濾波器、抑制器、掃描控制器及靜噪開關(guān)電路。主要應(yīng)用...
集成電路取代了晶體管,為開發(fā)電子產(chǎn)品的各種功能鋪平了道路,并且大幅度降低了成本,第三代電子器件從此登上舞臺。它的誕生,使微處理器的出現(xiàn)成為了可能,也使計算機變成普通人可以親近的日常工具。集成技術(shù)的應(yīng)用...
60年代末、70年代初,我國在集成電路技術(shù)的研究上剛剛起步,只是對雙極型小規(guī)模集成電路開始進行研制和少量生產(chǎn)。當(dāng)時,國外MOS電路發(fā)展很快,與雙極型電路相比,MOS集成電路具有電路簡單、功耗低、集成度高的優(yōu)勢,而國內(nèi)MOS集成電路技術(shù)的研究開發(fā)上還存在不少困難。一個困難是MOS器件很容易被靜電擊穿,有人形容說:“MOS、MOS,一摸就死”;另一個難點是MOS器件柵氧化層電荷不易控制,因而大大影響了MOS電路的可生產(chǎn)性與工作穩(wěn)定性。所以,大家對MOS集成電路的發(fā)展前途仍有很多疑慮。
在這樣的形勢下,半導(dǎo)體車間的徐葭生同志帶領(lǐng)十幾個中青年教師,從1970年開始,毅然投入了我國MOS集成電路研究開發(fā)與應(yīng)用推廣的事業(yè)。在當(dāng)時缺乏技術(shù)資料和工藝設(shè)備、生產(chǎn)條件十分落后的情況下,大家自力更生、團結(jié)奮斗,從工藝和電路設(shè)計上解決了柵氧化層電荷與靜電損傷保護問題,為MOS集成電路在我國的發(fā)展掃清了技術(shù)障礙。在此基礎(chǔ)上,開發(fā)研制成功了中小規(guī)模MOS數(shù)控系列電路,包括了計數(shù)器、寄存器、譯碼器及各種觸發(fā)器、門電路等,并進行了小量生產(chǎn)。為了使這些電路得到推廣,他們還制作了頻率計、數(shù)碼顯示等多種應(yīng)用部件,到有關(guān)單位演示,幫助解決應(yīng)用中的技術(shù)問題。這樣,終于使MOS集成電路得到社會認(rèn)可。在此期間先后接產(chǎn)此數(shù)控系列電路的有,北京半導(dǎo)體器件五廠、前門器件廠、上海元件五廠、天津第一半導(dǎo)體廠、石家莊半導(dǎo)體器件廠、保定無線電二廠等。這些數(shù)控系列電路在相當(dāng)長一段時間內(nèi)成了不少半導(dǎo)體廠的主打產(chǎn)品。清華半導(dǎo)體車間除了派人傳授、推廣技術(shù)之外,還多次舉辦短訓(xùn)班,幫助這些企業(yè)培養(yǎng)生產(chǎn)技術(shù)骨干??梢哉f,清華的半導(dǎo)體車間成為了我國MOS集成技術(shù)最早的發(fā)源地。
在成功開發(fā)、推廣中小規(guī)模MOS數(shù)控系列電路的基礎(chǔ)上,半導(dǎo)體車間又進一步向中大規(guī)模MOS集成電路進軍,先后研制成功050臺式計算機(器)全套電路,2240位96字符發(fā)生器和1KDRAM等多種大規(guī)模集成電路。從1970年開始直至1976年以后相當(dāng)長的時期內(nèi),清華在國內(nèi)一直保持著MOS集成電路技術(shù)的最高水平。
①制造結(jié)構(gòu)簡單,隔離方便。
②電路尺寸小、功耗低適于高密度集成。
③MOS管為雙向器件,設(shè)計靈活性高。
④具有動態(tài)工作獨特的能力。
⑤溫度特性好。其缺點是速度較低、驅(qū)動能力較弱。一般認(rèn)為MOS集成電路功耗低、集成度高,宜用作數(shù)字集成電路;雙極型集成電路則適用作高速數(shù)字和模擬電路。
按晶體管的溝道導(dǎo)電類型,可分為P溝MOSIC、N溝MOSIC以及將P溝和N溝MOS晶體管結(jié)合成一個電路單元的互補MOSIC,分別稱為PMOS 、NMOS和CMOS集成電路。隨著工藝技術(shù)的發(fā)展,CMOS集成電路已成為集成電路的主流,工藝也日趨完善和復(fù)雜 ,由P阱或N阱CMOS發(fā)展到雙阱CMOS工藝。80年代又出現(xiàn)了集雙極型電路和互補金 屬-氧化物-半導(dǎo)體(CMOS)電路優(yōu)點的BiCMOS集成電路結(jié)構(gòu)。按柵極材料可分為鉛柵、硅柵、硅化物柵和難熔金屬(如鉬、鎢)柵等MOSIC,柵極尺寸已由微米進入亞微米(0.5~1微米)和強亞微米(0.5微米以下)量級 。此外,還發(fā)展了不同的MOS集成電路結(jié)構(gòu)的MOSIC:如浮柵雪崩注入MOS(FAMOS)結(jié)構(gòu),用于可擦寫只讀存貯器;擴散自對準(zhǔn)MOS(DMOS)結(jié)構(gòu)和V型槽MOS結(jié)構(gòu)等,可滿足高速、高電壓要求。近年來發(fā)展了以藍寶石為絕緣襯底的CMOS結(jié)構(gòu),具有抗輻照、功耗低和速度快等優(yōu)點。MOSIC廣泛用于計算機、通信、機電儀器、家電自動化、航空航天等領(lǐng)域,可使整機體積縮小、工作速度快、功能復(fù)雜、可靠性高、功耗低和成本便宜等。
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用多股銅絲吸錫拆卸集成電路的操作過程 用多股銅絲吸錫拆卸集成電路的操作過程如下: ①去除多股銅芯導(dǎo)線的塑膠外皮,將導(dǎo)線放在松香中 用電烙鐵加熱,使導(dǎo)線沾上松香。 ②將多股銅芯絲放到集成塊引腳上用電烙鐵加熱,這 樣引腳上的焊錫就會被沾有松香的銅絲吸附,吸上焊錫的部 分可剪去,重復(fù)操作幾次就可將集成電路引腳上的焊錫全部 吸走,然后用鑷子或小型一字螺絲刀輕輕將集成電路撬下。
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集成電路論文 第 1頁 智能配電網(wǎng)中電力變壓器的應(yīng)用研究 摘要 為應(yīng)對電力系統(tǒng)在新世紀(jì)面臨的分布式電源并網(wǎng)、電網(wǎng)利用系數(shù)低,高可靠性,高 電能質(zhì)量要求以及數(shù)字化技術(shù)應(yīng)用等諸多挑戰(zhàn), 智能電網(wǎng)成為未來電網(wǎng)的主要發(fā)展方向。 智能電網(wǎng)的建設(shè)離不開高級電力電子裝置, 因此電力電子變壓器的研究對于建設(shè)綠色電 網(wǎng),智能電網(wǎng)具有重要的意義。 論文首先對智能電網(wǎng)的概念及功能特點進行了介紹, 其 次,論文分析了電力電子變壓器的基本原理和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), 最后,論文就 AC/AC和AC /DC /AC這兩種典型的電力電子變壓器在智能配電網(wǎng)上的應(yīng)用進行了研究。首先提出 了應(yīng)用在配電網(wǎng)的基于 AC/AC型電力電子變壓器的自動電壓穩(wěn)壓器。其次,論文分析 了應(yīng)用在智能配電網(wǎng)中的基于 AC/DC/AC型電力電子變壓器的電能質(zhì)量控制方案, 構(gòu) 建了系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型,詳細(xì)分析了電力電子變壓器輸入級、中間隔離級和輸出級的控制 策略。
mos晶體管簡介
?MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構(gòu) 成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC
N溝MOS晶體管簡介
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu) 成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。
由p型襯底和兩個高濃度n擴散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管,該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時,就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
NMOS集成電路是N溝道MOS電路,NMOS集成電路的輸入阻抗很高,基本上不需要吸收電流,因此,CMOS與NMOS集成電路連接時不必考慮電流的負(fù)載問題。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電,并且以5V為多。CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源,就可與NMOS集成電路直接連接。不過,從NMOS到CMOS直接連接時,由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平,因而需要使用一個(電位)上拉電阻R,R的取值一般選用2~100KΩ。
首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極,一個是金屬,另一個是extrinsic silicon(外在硅),他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE,而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質(zhì))。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地,gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中,這個電場使金屬極帶輕微的正電位,P型硅負(fù)電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來,它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了,所以載流子濃度的變化非常小,對器件整體的特性影響也非常小。
當(dāng)MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發(fā)生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了,有更多的電子從襯底被拉了上來。同時,空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高,會出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子,硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion,反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高,越來越多的電子在表面積累,channel變成了強反轉(zhuǎn)。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時,不會形成channel。當(dāng)電壓差超過閾值電壓時,channel就出現(xiàn)了。
MOS電容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反轉(zhuǎn)(VBG=3V),(C)積累(VBG=-3V)。
正是當(dāng)MOS電容的GATE相對于backgate是負(fù)電壓時的情況。電場反轉(zhuǎn),往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了,這個器件被認(rèn)為是處于accumulation狀態(tài)了。
MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate,電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source,另一個稱為drain。假設(shè)source 和backgate都接地,drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,就不會形成channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置,所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓,在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain??偟膩碚f,只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時,才會有drain電流。
在對稱的MOS管中,對source和drain的標(biāo)注有一點任意性。定義上,載流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的,兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下,電路設(shè)計師必須指定一個是drain另一個是source。
Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管。制造非對稱晶體管有很多理由,但所有的最終結(jié)果都是一樣的。一個引線端被優(yōu)化作為drain,另一個被優(yōu)化作為source。如果drain和source對調(diào),這個器件就不能正常工作了。
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置,電子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累,沒有channel形成。如果GATE相對于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的,PMOS的閾值電壓是負(fù)的,所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號。一個工程師可能說,"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V", 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。