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三相電壓型逆變器課程設(shè)計(jì)

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實(shí)用文案 文案大全 三相電壓型逆變器 一.電力電子器件的發(fā)展: 1.概述: 1957 年可控硅 (晶閘管 )的問(wèn)世,為半導(dǎo)體器件應(yīng)用于強(qiáng)電領(lǐng)域的自動(dòng)控 制邁出了重要的一步,電力電子開(kāi)始登上現(xiàn)代電氣傳動(dòng)技術(shù)舞臺(tái),這標(biāo)志著 電力電子技術(shù)的誕生。 20 世紀(jì) 60 年代初已開(kāi)始使用電力電子這個(gè)名詞,進(jìn) 入 70 年代晶閘管開(kāi)始派生各種系列產(chǎn)品,普通晶閘管由于其不能自關(guān)斷的 特點(diǎn),屬于半控型器件,被稱(chēng)作第一代電力電子器件。隨著理論研究和工藝 水平的不斷提高,以門(mén)極可關(guān)斷晶閘管( GTO)、電力雙極性晶體管( BJT) 和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Power-MOSFET )為代表的全控型器件迅速發(fā)展, 被 稱(chēng)作第二代電力電子器件。 80 年代后期,以絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 為代表的復(fù)合型第三代電力電子器件異軍突起,而進(jìn)入 90 年代電力電子器 件開(kāi)始朝著智能化、功率集成化發(fā)展,這代表了電力電

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實(shí)用文案 文案大全 三相電壓型逆變器 一.電力電子器件的發(fā)展: 1.概述: 1957 年可控硅 (晶閘管 )的問(wèn)世,為半導(dǎo)體器件應(yīng)用于強(qiáng)電領(lǐng)域的自動(dòng)控 制邁出了重要的一步,電力電子開(kāi)始登上現(xiàn)代電氣傳動(dòng)技術(shù)舞臺(tái),這標(biāo)志著 電力電子技術(shù)的誕生。 20 世紀(jì) 60 年代初已開(kāi)始使用電力電子這個(gè)名詞,進(jìn) 入 70 年代晶閘管開(kāi)始派生各種系列產(chǎn)品,普通晶閘管由于其不能自關(guān)斷的 特點(diǎn),屬于半控型器件,被稱(chēng)作第一代電力電子器件。隨著理論研究和工藝 水平的不斷提高,以門(mén)極可關(guān)斷晶閘管( GTO)、電力雙極性晶體管( BJT) 和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Power-MOSFET )為代表的全控型器件迅速發(fā)展, 被 稱(chēng)作第二代電力電子器件。 80 年代后期,以絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 為代表的復(fù)合型第三代電力電子器件異軍突起,而進(jìn)入 90 年代電力電子器 件開(kāi)始朝著智能化、功率集成化發(fā)展,這代表了電力電

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