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本文提出了一種改進型的低壓、低功耗基準(zhǔn)參考源,通過分析原偏置電流對性能的影響,利用MOS管的亞閾值區(qū)特性,在原電路的基礎(chǔ)上做了改進,提高了性能參數(shù)。與原電路比較,輸出電壓波動由2.83mv降低至0.86mv,溫度變化(-25oC至125oC)由83.3ppm/oC提高至51.3ppm/oC,并在低頻時具有較高的電源抑制比(79dB@1kHz)。
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