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利用MOCVD方法,在GaAs襯底上生長了不同DBR結(jié)構(gòu)的紅光和黃綠光AlGaInP四元外延片,并通過芯片工藝制成芯片。使用X-射線衍射儀(HRXRD)、光致發(fā)光儀(PL)、芯片光電測試儀等表征了外延片和芯片的性能,研究了紅光和黃綠光AlGaInP四元外延片的發(fā)光強(qiáng)度與DBR結(jié)構(gòu)的關(guān)系。結(jié)果表明,紅光AlGaInP LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度高于黃綠光,其主要原因是黃綠光有源區(qū)的內(nèi)量子效率低和黃綠光DBR具有較小的反射率,從而導(dǎo)致較低的發(fā)光強(qiáng)度。本研究為今后LED全結(jié)構(gòu)的芯片亮度研究打下良好基礎(chǔ)。
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