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設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了5 mm(U頻段)單刀雙擲(Single Pole Double Throw,SPDT)開關(guān)模塊。該開關(guān)模塊采用鰭線并聯(lián)PIN二極管電路結(jié)構(gòu)形式,通過采用一種全新的高隔離度措施,獲得高隔離、低插損開關(guān)特性。經(jīng)加工測(cè)試,開關(guān)模塊在50~56 GHz頻帶內(nèi)隔離度大于50 dB,插損小于2.3 dB。該模塊已應(yīng)用于5 mm射頻組件中。
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采用電磁場(chǎng)分析方法,研究在大功率工作條件下臺(tái)面結(jié)構(gòu)PIN二極管管芯的工作模式,提取相應(yīng)的S參數(shù),以優(yōu)化并聯(lián)式開關(guān)電路的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),分析開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的電性能,以及大信號(hào)下的功率損耗,研制出了C波段大功率單刀四擲開關(guān)。在5.1~5.7GHz頻帶內(nèi),測(cè)得開關(guān)小信號(hào)插損小于0.67dB、駐波比小于1.2、隔離度優(yōu)于55dB、開通時(shí)間優(yōu)于380ns、關(guān)斷時(shí)間優(yōu)于230ns;大信號(hào)插損小于1.1dB、檢波延遲時(shí)間優(yōu)于118ns,設(shè)計(jì)指標(biāo)滿足了工程應(yīng)用的要求。
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