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設計并實現(xiàn)了5 mm(U頻段)單刀雙擲(Single Pole Double Throw,SPDT)開關模塊。該開關模塊采用鰭線并聯(lián)PIN二極管電路結構形式,通過采用一種全新的高隔離度措施,獲得高隔離、低插損開關特性。經加工測試,開關模塊在50~56 GHz頻帶內隔離度大于50 dB,插損小于2.3 dB。該模塊已應用于5 mm射頻組件中。
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以0.25μm GaAs PHEMT為基礎,介紹了微波單片集成電路開關模型的設計、測試及建模過程,并以此平臺開展了單刀雙擲開關芯片的設計與研制。討論了PHEMT開關建模的重要性,解決了建模中的關鍵問題,包括開關的設計、測試系統(tǒng)的校準、模型參數的提取,建立了毫米波范圍內高精度的等效電路模型。單刀雙擲開關的設計采用了并聯(lián)式反射型電路拓撲,開關的測試采用了微波探針在片測試系統(tǒng),在18~30 GHz獲得了優(yōu)異的電性能,插入損耗IL≤1.5 dB,輸入/輸出駐波比VSWR≤1.5∶1,關斷狀態(tài)下的隔離度ISO≥30 dB,芯片尺寸為1.2 mm×1.8 mm×0.1 mm。
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