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更新時(shí)間：2025.04.26
IGBT模塊的檢測(cè)方法

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測(cè)試方法（晶川）：萬(wàn)用表只能測(cè)量不全面：若 IGBT損壞一般可以測(cè) 出；但是若 IGBT是好的，它無(wú)法肯定是好的。 IGBT損壞：GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即損壞。 （GE表示G接正表筆， E接負(fù)表筆；其他雷同） IGBT 的 EC 之間接有二極管，所以為導(dǎo)通態(tài)，電壓為 0.34V左右。 若想完整測(cè)試 IGBT需要用晶體管圖示儀。 IGBT損壞：GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù)， 即損壞。（GE 表示G接正表筆， E接負(fù)表筆；其他雷同） 新 IGBT 紅表筆 -黑表筆 電阻檔 二極管檔 1-2 無(wú)窮大 斷路 2-1 無(wú)窮大 斷路 4-3 無(wú)窮大 斷路 3-4 無(wú)窮大 斷路 8-10 無(wú)窮大 斷路 10-8 0.447MΩ 0.324 9-8 無(wú)窮大 斷路 8-9 0.448MΩ 0.324 5-4 無(wú)窮大 斷路 4-5 無(wú)窮

一種IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電源模塊的設(shè)計(jì)方案

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介紹了一款針對(duì)IGBT的使用特點(diǎn)而設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源，專(zhuān)為IGBT驅(qū)動(dòng)芯片供電。重點(diǎn)分析了IGBT工作的特點(diǎn)，及對(duì)供電電源的特殊要求，以及如何設(shè)計(jì)一款適用于IGBT工作系統(tǒng)的電源模塊，并給出了實(shí)測(cè)參數(shù)。

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