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更新時(shí)間：2025.04.19
功率高壓MOS器件關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用

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1 國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)公示材料 項(xiàng)目名稱：功率高壓 MOS 器件關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用 推薦單位意見 推薦意見： 該成果深究功率高壓 MOS 器件的耐壓與比導(dǎo)通電阻之制約關(guān)系， 建立功率高壓 MOS器件優(yōu)化設(shè)計(jì)理論，其中非全耗盡新模式和 R-阱全域優(yōu)化法實(shí)現(xiàn)功率 MOS 器 件更低比導(dǎo)通電阻；等效襯底模型揭示襯底輔助耗盡效應(yīng)的物理機(jī)制，獲得理想襯 底條件提高耐壓。 提出橫向功率高壓 MOS器件襯底終端技術(shù)， 解決小曲率導(dǎo)致的低 耐壓瓶頸問題。據(jù)此，發(fā)明并研制出兩類新型功率高壓 MOS 器件。 該成果創(chuàng)建國(guó)內(nèi)首個(gè)功率高壓超結(jié) MOS器件量產(chǎn)平臺(tái)暨全球首個(gè)深槽工藝 8英 寸超結(jié) MOS 器件代工平臺(tái)；建立超低比導(dǎo)通電阻 700V BCD 量產(chǎn)平臺(tái)和功率高壓 SOI量產(chǎn)代工平臺(tái)。相關(guān)工藝平臺(tái)已為全球 230余家企業(yè)提供芯片量產(chǎn)代工服務(wù)， 并 為三星、飛利浦等知名整機(jī)廠家提供半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)服務(wù)。應(yīng)裝備急

高壓MSC無功補(bǔ)償裝置器件選擇則依據(jù)

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高壓 MSC無功補(bǔ)償裝置器件選擇則依據(jù) 一、熔斷器選擇： 依據(jù)《 DL 442-1991 高壓并聯(lián)電容器單臺(tái)保護(hù)用熔斷器訂貨技術(shù)條 件》中 2.2.4 電阻 熔斷器的電阻值應(yīng)符合制造廠的規(guī)定，其偏差值應(yīng)不超過± 2.5%。 2.2.5 耐壓要求 熔絲熔斷后，熔斷器應(yīng)能承受表 4 規(guī)定的試驗(yàn)電壓，歷時(shí) 1min，不得發(fā)生閃絡(luò)或擊穿。 戶外型熔斷器應(yīng)進(jìn)行濕試驗(yàn)。（我們選擇 12kV，耐壓為 40kV） 2.2.7.1 合閘過程中，電容器端子間的過電壓上限值是 2.0 2 Unc ，動(dòng)作后，熔斷器應(yīng)能承受 這一電壓。 注： Unc 為電容器的額定電壓。 2.2.7.2 應(yīng)能在 Umf 下開斷規(guī)定的容性電流，隨后應(yīng)能承受這個(gè)電壓加上熔斷器動(dòng)作后電容 器上的剩余電荷所造成的直流電壓分量。 在開斷過程中，斷口間不得出現(xiàn)重?fù)舸?2.2.8.1 電壓要求： 熔斷器的額定電壓 Umf 不得低于被保護(hù)的電容

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