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介紹了一種適用于堆疊芯片的封裝結構。采用層壓、機械銑刀開槽等工藝獲得Cavity基板,通過引線鍵合(wire bonding,WB)和倒裝焊(flip chip,FC)兩種方式實現(xiàn)堆疊芯片與基板的互連,并將堆疊芯片埋入Cavity基板。最后,將包含4款有源芯片和22個無源器件的小系統(tǒng)高密度集成在一個16 mm×16 mm的標準球柵陣列封裝(ball grid array,BGA)封裝體內。相比較于傳統(tǒng)的二維封裝結構,該封裝結構將封裝面積減小了40%,封裝高度減小500μm左右,并將堆疊芯片與基板的互連空間增加了2倍。對這款封裝結構的設計過程進行了詳細的闡述,并驗證了該封裝設計的工藝可行性。