中文名稱
晶體管繼電保護裝置
英文名稱
transistor protection device
定  義
以晶體三極管及其電路為基礎構成的一種繼電保護裝置。
應用學科
電力(一級學科),繼電保護與自動化(二級學科)

晶體管繼電保護裝置造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
(除稅)
工程建議價
(除稅)
行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
綜合繼電保護裝置 SPAJ141C(ABB品牌) 查看價格 查看價格

華力特

13% 深圳市華力特電氣股份有限公司
單相繼電保護試驗裝置 綜合型號:單相;規(guī)格:精度:0.2%; 查看價格 查看價格

五羊

臺班 13% 廣州五羊建設機械有限公司
接地阻表 精度:0.05規(guī)格:精度:0.05;型號:無; 查看價格 查看價格

阿特拉斯

臺班 13% 深圳能科達機械工程有限公司
接地阻表 品種:接地阻表;型號:ZC8/100;規(guī)格:200V-10000V; 查看價格 查看價格

北京遠東

13% 長春市森朗經貿有限公司
數字接地阻計 TES-1605 測量范圍 0 - 1999 Ω(MΩ) 查看價格 查看價格

泰仕

13% 武漢新奧德斯科技有限公司
接地阻表 品種:接地阻表;型號:ZC29B;規(guī)格:200V-10000V; 查看價格 查看價格

杭州朝陽

13% 長春市森朗經貿有限公司
接地阻表 精度:0.05規(guī)格:精度:0.05;型號:無; 查看價格 查看價格

聚力

臺班 13% 廣州聚力建筑機械設備有限公司
接地阻表 精度:0.05型號:無;規(guī)格:精度:0.05; 查看價格 查看價格

五羊

臺班 13% 廣州五羊建設機械有限公司
材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價
含稅
信息價
行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
晶體管測試儀 QT-2A 查看價格 查看價格

臺班 韶關市2010年7月信息價
單相繼電保護試驗裝置 查看價格 查看價格

臺班 韶關市2010年7月信息價
晶體管直流穩(wěn)壓電 WYS-5040 查看價格 查看價格

臺班 韶關市2010年7月信息價
線路故障測距裝置 線路故障測距裝置 查看價格 查看價格

廣東2022年3季度信息價
線路故障測距裝置 線路故障測距裝置 查看價格 查看價格

廣東2021年2季度信息價
線路故障測距裝置 線路故障測距裝置 查看價格 查看價格

廣東2020年3季度信息價
線路故障測距裝置 線路故障測距裝置 查看價格 查看價格

廣東2020年2季度信息價
線路故障測距裝置 線路故障測距裝置 查看價格 查看價格

廣東2019年3季度信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數 最新報價
(元)
供應商 報價地區(qū) 最新報價時間
繼電保護裝置 Sepam20|1臺 1 查看價格 東莞市格雷諾電氣有限公司 廣東  深圳市 2012-03-30
繼電保護裝置 Speam 60|1臺 2 查看價格 深圳威斯康電氣有限公司 全國   2019-12-26
繼電保護裝置 10KV變壓器|2套 1 查看價格 艾達(廣州)自動化控制設備有限公司 全國   2018-09-06
繼電保護裝置 Vamp57|1臺 2 查看價格 深圳威斯康電氣有限公司 全國   2019-12-26
繼電保護裝置 V57|1臺 1 查看價格 廣東中建普聯股份有限公司 全國   2019-05-22
繼電保護裝置 10KV進線母聯|3套 1 查看價格 艾達(廣州)自動化控制設備有限公司 全國   2018-09-06
綜合繼電保護裝置 具有6路開關量輸入功能|1套 3 查看價格 廣州熹尚科技設備有限公司 全國   2021-10-27
綜合繼電保護裝置 PDM-DP|1個 3 查看價格 撫州金安電氣有限公司 全國   2021-05-11

晶體管繼電保護裝置常見問題

  • 繼電保護裝置有哪些組成?

    繼電保護裝置的簡介 [編輯本段] 當電力系統(tǒng)中的電力元件(如發(fā)電機、線路等)或電力系統(tǒng)本身發(fā)生了故障危及電力系統(tǒng)安全運行時,能夠向運行值班人員及時發(fā)出警告信號,或者直接向所控制的斷路器發(fā)出跳閘命令以終...

  • 繼電保護裝置調試

    繼電保護裝置調試只包含保護裝置本體及二次回路的調試,沒有包括:繼電器過流、過熱、速斷、饋線回路等一個單元中所有設備的調試 ,這是系統(tǒng)調試。

  • 繼電保護裝置的任務是什么?

    電力系統(tǒng)繼電保護的基本任務是:(1) 自動、迅速、有選擇性地將故障元件從電力系統(tǒng)中切除,使故障元件免于繼續(xù)遭到破壞,保證其他無故障部分迅速恢復正常運行。(2) 反應電氣元件的不正常運行狀態(tài),并根據運行...

晶體管繼電保護裝置文獻

繼電保護裝置規(guī)程 繼電保護裝置規(guī)程

格式:pdf

大小:1.0MB

頁數: 77頁

評分: 4.5

繼電保護裝置 檢修規(guī)程 樂山金石黃丹水電有限公司 二 00八年六月 批準:桂利 審核:許軍 校對:李紅霞 編寫:王紅君 二 00八年六月 1 目錄 一、 總則 ......................................................................................................................1 1、主題內容與適用范圍 .......................................................................................................................................1 2、 引用標準 ..........................................

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繼電保護裝置動作記錄文檔 繼電保護裝置動作記錄文檔

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大?。?span id="fbpf9ht" class="single-tag-height">1.0MB

頁數: 2頁

評分: 4.8

繼電保護裝置動作記錄 日期 動作設備 動作原因 動作時間 恢復時間 記錄人 備注 鎮(zhèn)藝煤礦 地面變電所繼電保護試驗記錄 鎮(zhèn)藝煤礦編制 二零一四年

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通常簡稱功率晶體管。 其中大容量型又稱巨型晶體管,簡稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件,內含數十至數百個晶體管單元。圖1是功率晶體管的符號,其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導體的類型,器件被分成NPN型和PNP型兩種,硅功率晶體管多為前者。

改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當的偏壓,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后,多數已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數字控制電路仍采用PMOS電路技術。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖1所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規(guī)模大的集成電路。

晶體管,(transistor),是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。嚴格意義上講,晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。

晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor,BJT)又稱晶體三極管,簡稱三極管,是一種固體半導體器件,可用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關.基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可用作電流的開關。和一般機械開關(如Relay、switch)不同的是:晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度非???,在實驗室中的切換速度可達100吉赫茲以上。

晶體管按其結構分為NPN型和PNP型兩類。晶體管結構與符號如圖所示。它們都有三個區(qū):集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū);從這三個區(qū)引出的電極分別稱為集電極c(Collector)、基極b(Base)和發(fā)射極e(Emitter)。兩個PN結:發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間的PN結稱為發(fā)射結J,基區(qū)與集電區(qū)之間的PN結稱為集電結J。

兩種管子的電路符號的發(fā)射極箭頭方向不同,箭頭方向表示發(fā)射結正偏時發(fā)射極電流的實際方向。

應當指出,晶體管絕不是兩個PN結的簡單連接。它采用了以下制造工藝:基區(qū)很薄且摻雜濃度低,發(fā)射區(qū)摻雜濃度高,集電結面積比發(fā)射結的面積大等。這些都是為了保證晶體管具有較好的電流放大作用。

由于晶體管在結構上有這些特點,所以不能用兩個二極管背向連接來說明晶體管的作用,在使用時發(fā)射極和集電極一般不能互換。

晶體管種類很多。除上述的按結構分為NPN型和PNP型外,按工作頻率可分為低頻管和高頻管;按功率大小可分為小功率管、中功率管和大功率管;按所用

半導體材料

分為硅管和鍺管;按用途分為放大管和開關管等。晶體管命名方法參閱附錄B表B一-1。例如3AX31B為鍺材料PNP型低頻小功率晶體管,序號為31,規(guī)格號為B。3DG6C為硅材料NPN型高頻小功率管,序號為6,規(guī)格號為C。3DA2A為硅材料高頻大功率晶體管,序號為2,規(guī)格號為A。

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